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    포커스 링 및 플라즈마 처리 장치
    12.
    发明公开
    포커스 링 및 플라즈마 처리 장치 有权
    聚焦环和等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020050025079A

    公开(公告)日：2005-03-11

    申请号：KR1020040070432

    申请日：2004-09-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고시이시아키라 ,  다나카히데아키 ,  오카야마노부유키 ,  미야가와마사아키 ,  미즈카미순스케 ,  시미즈와타루 ,  히로세준 ,  와카키도시카츠 ,  미와도모노리 ,  오오야부준 ,  하야시다이스케

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32642

    Abstract: A focus ring and a plasma processing apparatus are provided to obtain the same uniform plasma processing of an edge as a center of wafer and to reduce a deposition in the back surface of edge. A focus ring includes a lower member and an upper member. The lower member(9) is formed with a dielectric. An upper member(10) made of a conductive material is formed on the top of the lower member. An inclined portion that an outer circumferential side thereof is higher than an inner circumferential side is formed on the top surface of the upper member. The position of end of the outer circumferential side in the inclined portion is higher than the position of a surface of the wafer(W) to be processed. The inner circumferential side of the upper member is spaced apart from a circumferential edge of the wafer by a predetermined distance.

    Abstract translation: 提供聚焦环和等离子体处理装置以获得作为晶片中心的边缘的相同的均匀等离子体处理并减少边缘的后表面中的沉积。 聚焦环包括下部构件和上部构件。 下部构件（9）形成有电介质。 由导电材料制成的上部构件（10）形成在下部构件的顶部上。 在上部构件的上表面上形成有外周侧高于内周侧的倾斜部。 倾斜部分中的外周侧的端部的位置高于待处理的晶片（W）的表面的位置。 上部构件的内周侧与晶片的圆周边缘间隔预定距离。

    처리장치, 상부전극유니트와 그 사용방법 및 전극유니트와 그 제조방법
    13.
    发明授权
    처리장치, 상부전극유니트와 그 사용방법 및 전극유니트와 그 제조방법 失效
    처리장치，상부전극유니트와그사용방법및전극유니트와그제조방처

    公开(公告)号：KR100469047B1

    公开(公告)日：2005-01-31

    申请号：KR1019997009083

    申请日：1998-04-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준 ,  하야시다이스케 ,  다카야마나오키 ,  가자마고이치

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32477 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/532 ,  Y10T29/53204

    Abstract: 본 발명은, 가스토출구멍에 착탈 및 위치결정이 용이하고 내플라즈마성이 우수한 절연부재를 끼워 장착한 처리장치를 제공한다.
    본 발명에 있어서, 에칭장치(100)의 상부전극(128)에 배치된 가스토출구멍(128a)은 절연부재(144)의 외형형상에 대응한 형상으로 형성된다. 절연부재(144)는 폴리에테르에테르케톤이나 폴리이미드나 폴리에테르이미드로 이루어지고, 그 외부 표면에 단부(144a)가 형성된다. 절연부재(144)의 긴 쪽 방향의 길이는 가스토출구멍(128a)의 긴 쪽 방향의 길이보다 짧게 형성된다. 절연부재(144) 내에는 그 긴 쪽 방향을 따라 관통구멍(144d)이 설치됨과 더불어, 관통구멍(144d)의 처리실(102) 측 개구부 부근이 처리실(102) 측으로 향하여 직경이 확대되는 거의 테이퍼모양으로 형성된다. 절연부재(144)를 가스토출구멍(128a) 내에 가스토출구멍(128a)의 취출구 측으로부터 삽입하고, 단부(144a)와 가스토출구멍(128a) 내벽에 형성된 견부(128b)가 맞추어지도록 절연부재(144)를 밀어 넣고 끼워 장착시킨다. 이 때, 절연부재(144)는 상부전극의 서셉터(110) 측의 면보다도 돌출하여 배치된다.

    Abstract translation: 处理系统设置有能够容易地装配在气体排放孔中，并且能够容易地定位在气体排放孔中的绝缘构件。 蚀刻系统（100）设置有设置有与绝缘构件（144）的外部形状对应的形状的气体排出孔（128a）的上电极（128）。 绝缘部件（144）由聚醚醚酮树脂，聚酰亚胺树脂，聚醚酰亚胺树脂等形成。 每个绝缘构件144在其外表面上设有台阶（144a）。 绝缘部件（144）的长度比气体排出孔（128a）的长度短。 在各绝缘部件144上设有纵长的贯通孔144d，处理室102侧的贯通孔144d的端部形成为向处理室102侧扩大的锥状， ）。 绝缘部件144从气体排出孔128a的出口端侧被压入气体排出孔128a中，以使台阶144a与形成在其中的肩部128b接触。 排气孔（128a）的侧壁。 装配在气体排出孔128a中的每个绝缘构件144的一部分从上电极128的面对基座110的表面突出。 ＆lt;图像＆GT;

    기판 탑재대 및 플라즈마 처리 장치
    16.
    发明公开
    기판 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 有权
    基板阶段和等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR1020080034796A

    公开(公告)日：2008-04-22

    申请号：KR1020070104008

    申请日：2007-10-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 스기야마히데키 ,  오카야마노부유키 ,  나가야마노부유키

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757

    Abstract: A substrate stage and a plasma processing apparatus is provided to reduce replacement of an electrostatic chuck for a long period of time since the substrate stage has an oxide film made of a IIIA group element of a periodic system, which is highly resistant to plasma, and prevent reduction in cooling efficiency of a focus ring by forming a thin coating covering a focus ring placement part. A substrate stage for mounting a substrate(W) which is subjected to a plasma process, comprises a focus ring placement part(39), and a substrate mounting part(40). The focus ring placement part is configured to place a focus ring(19) that surrounds a substrate mounted on the substrate stage. The substrate mounting part overhangs beyond the focus ring placement part at an inside position of the focus ring placement part, having an electrostatic chuck(16) having a mounting drawing and holding the substrate on an upper side of the substrate mounting part, and an oxide film(38) of a predetermined thickness and made of a IIIA group element of a periodic system.

    Abstract translation: 提供了基板载台和等离子体处理装置，以减少长时间的静电卡盘的更换，因为基片载物台具有由对等离子体具有高度耐受性的周期性系统的IIIA族元素构成的氧化膜，以及 通过形成覆盖聚焦环放置部分的薄涂层来防止聚焦环的冷却效率降低。 用于安装经受等离子体处理的衬底（W）的衬底台包括聚焦环放置部分（39）和衬底安装部分（40）。 焦点环放置部分被配置为放置围绕安装在衬底台上的衬底的聚焦环（19）。 基板安装部分在焦点环放置部分的内部位置上伸出聚焦环放置部分，具有具有安装图的静电卡盘（16）并将基板保持在基板安装部分的上侧，并且氧化物 膜（38），其由周期性系统的IIIA族元素制成。

    처리 장치
    19.
    发明公开
    처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR1020010041677A

    公开(公告)日：2001-05-25

    申请号：KR1020007009890

    申请日：1999-03-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 스기야마노리카즈 ,  오카야마노부유키 ,  사에구사히데히토 ,  오자와준

    IPC: H01L21/3063

    Abstract: 본 발명은 기밀한 처리 용기(102)와, 처리 용기(102)내의 가스를 배기하는 배기계(128)와, 대상물에 대하여 소정의 처리가 실시되는 처리 공간(122)과 배기계(128)에 연통하는 배기 경로(124)에 처리 용기(102)내를 구획하는 배플판(120)을 구비한 처리 장치(100)에 있어서, 배플판(120)에는 처리 공간(122)과 배기 경로(124)를 연통시키는 복수의 슬릿(120a)이 형성되고, 각 슬릿(120a)의 처리 공간측의 내면 부위에는 슬릿의 깊이의 1/4 이상에 걸쳐서 테이퍼 면(132)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

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