公开(公告)号：KR101753936B1

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020127031474

申请日：2011-05-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  우에마츠고지 ,  가사이히토시 ,  오카히사다쿠지

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/16

CPC classification number: H01L33/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02664

Abstract: 전표면에서옐로우발광이적고, 도전성을갖는 GaN 결정자립기판및 그제조방법을제공한다. 본 GaN 결정자립기판은, HVPE법에의해, 결정측면을제외한결정성장면으로서, (0001)면과 {10-11}면및 {11-22}면중 적어도어느면이혼재하는상태로성장시킨것이며, (0001)면성장결정영역에있어서, 탄소농도가 5×10개/㎤이하이고규소농도가 5×10개/㎤이상 2×10개/㎤이하이고산소농도가 1×10개/㎤이하이며, {10-11}면및 {11-22}면중 적어도어느면을결정성장면으로서성장시킨패싯결정영역에있어서, 탄소농도가 3×10개/㎤이하이고규소농도가 5×10개/㎤이하이고산소농도가 5×10개/㎤이상 5×10개/㎤이하이다.

Abstract translation: 提供一种在所有表面具有较少黄色发射并具有导电性的GaN晶体自支撑衬底及其制造方法。 GaN晶体自由站立衬底是，作为晶体生长面，除了，通过HVPE法确定的一侧，该（0001）面以及{10-11}面及{11-22} myeonjung这将至少长到其中混合的表面的状态 （0001）面生长晶体区域中的硅浓度为5×10 6 / cm 3以上且2×10 4 / cm 3以下，氧浓度为1×10 6 / cm 3以下， {10-11}平面和在刻面生长晶体区域{11-22} myeonjung在其中至少一个表面作为晶体生长面，3×10个/㎤或更少的碳浓度为5×10号的硅浓度/ cm 3以下，氧浓度为5×10 4 / cm 3以上且5×10 4 / cm 3以下。

公开(公告)号：KR1020130098156A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020127029950

申请日：2011-11-10

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 사토잇세이 ,  세키유키 ,  우에마츠고지 ,  야마모토요시유키 ,  마츠바라히데키 ,  후지와라신스케 ,  요시무라마사시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 본 GaN계 막의 제조 방법은, 주면(11m)내의 열팽창계수가 GaN 결정의 a축 방향의 열팽창계수에 비교해서 0.8배보다 크고 1.2배보다 작은 지지 기판(11)과, 지지 기판(11)의 주면(11m)측에 배치되어 있는 단결정막(13)을 포함하고, 단결정막(13)이 단결정막(13)의 주면(13m)에 수직인 축에 대하여 3회 대칭성을 갖는 복합 기판(10)을 준비하는 공정과, 복합 기판(10)에 있어서의 단결정막(13)의 주면(13m)상에 GaN계 막(20)을 성막하는 공정을 포함한다. 이로써, 주면의 면적이 크고 휘어짐이 작은 GaN계 막을 제조하는 것이 가능한 GaN계 막의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020070117490A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：KR1020070055527

申请日：2007-06-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  모토키겐사쿠 ,  우에마츠고지 ,  나카하타세이지 ,  히로타류 ,  이지리히데유키 ,  가사이히토시 ,  후지타슌스케 ,  사토후미타카 ,  마츠오카도루

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/16

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: A method of growing a gallium nitride crystal is provided to reduce a density of dislocations effectively by forming a stable grain boundary at an interface of two different crystal regions, in an epitaxial growth method. A mask(M) inhibiting epitaxial growth of a gallium nitride crystal is formed partially on a ground substrate(U). The gallium nitride crystal is grown epitaxially on the ground substrate in which the mask is formed, while doping carbon. A first crystal region is grown from a periphery region of the mask toward inside, and an c-axis direction is reversed in the first crystal region relative to a second crystal region grown on a region where the mask is not formed in the ground substrate.

Abstract translation: 提供一种生长氮化镓晶体的方法，通过在外延生长法中在两个不同晶体区域的界面处形成稳定的晶界，有效地降低位错密度。 抑制氮化镓晶体的外延生长的掩模（M）部分地形成在接地基板（U）上。 在形成掩模的接地衬底上外延生长氮化镓晶体，同时掺杂碳。 第一晶体区域从掩模的周边区域向内部生长，并且在第一晶体区域中相对于在未在掩模衬底中形成掩模的区域上生长的第二晶体区域的c轴方向反转。

公开(公告)号：KR1020060047539A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050035072

申请日：2005-04-27

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에마츠고지 ,  우에노마사키 ,  히로타류 ,  나카하타히데아키 ,  오쿠이마나부

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 본 발명은 활성층에 있어서의 자연 발생 전계가 저감되어, 고휘도화가 가능한 반도체 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
반도체 발광 소자(1)는 n형 클래드층(3)과, n형 클래드층(3)상에 설치된 p형 클래드층(7)과, n형 클래드층(3)과 p형 클래드층(7) 사이에 설치되어 있고, 질화물로 이루어진 활성층(5)을 구비하며, n형 클래드층(3)과 활성층(5)의 계면에 직교하는 축과 활성층(5)에 있어서의 c축이 이루는 각도 및 활성층(5)과 p형 클래드층(7)의 계면에 직교하는 축과 활성층(5)에 있어서의 c축이 이루는 각도가 각각 제로보다 큰 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101419553B1

公开(公告)日：2014-07-14

申请号：KR1020087024610

申请日：2007-11-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히로타류 ,  우에마츠고지 ,  가와세도모히로

IPC: C30B19/12 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B19/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 본 발명은 적어도 표면의 전위 밀도가 전면적으로 낮은 대형 III족 질화물 결정의 제조 방법을 제공한다. 본 III족 질화물 결정의 제조 방법은, III족 질화물 종결정을 포함하며, III족 질화물 종결정은 주영역(1s)과 주영역(1s)에 대하여 방향의 극성이 반전하고 있는 극성 반전 영역(1t)을 갖는 하지 기판(1)을 준비하는 공정과, 하지 기판(1)의 주영역(1s) 및 극성 반전 영역(1t) 상에 액상법에 의해 III족 질화물 결정(10)을 성장시키는 공정을 포함하고, 주영역(1s) 상에 성장되는 III족 질화물 결정(10)의 성장 속도가 큰 제1 영역(10s)이, 극성 반전 영역(1t) 상에 성장되는 III족 질화물 결정(10)의 성장 속도가 작은 제2 영역(10t)을 덮는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101347411B1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：KR1020060131038

申请日：2006-12-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가사이히토시 ,  오카히사다쿠지 ,  후지타슌스케 ,  마츠모토나오키 ,  이지리히데유키 ,  사토후미타카 ,  모토키겐사쿠 ,  나카하타세이지 ,  우에마츠고지 ,  히로타류

IPC: C30B29/38

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 Ⅲ족 질화물 결정체의 제조 방법은 반응실(110) 내에 HCl 가스(1)를 도입하여 반응실(110) 내를 세정하는 공정과, 세정된 반응실(110) 내에서 Ⅲ족 질화물 결정체(11)를 기상 성장시키는 공정을 포함한다. 또한, Ⅲ족 질화물 결정체의 제조 장치(100)는 반응실(110) 내에 HCl 가스(1)를 도입하는 구조와 HVPE법에 의해 Ⅲ족 질화물 결정체(11)를 성장시키는 구조를 구비한다. 이에 따라, 결정 성장시에 반응실 내에 부착된 퇴적물을 효과적으로 세정하는 방법을 포함하는 Ⅲ족 질화물 결정체의 제조 방법 및 그 제조 방법에서 이용되는 제조 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020130109946A

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：KR1020127031474

申请日：2011-05-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  우에마츠고지 ,  가사이히토시 ,  오카히사다쿠지

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/16

CPC classification number: H01L33/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02664

Abstract: 전표면에서 옐로우 발광이 적고, 도전성을 갖는 GaN 결정 자립 기판 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 GaN 결정 자립 기판은, HVPE법에 의해, 결정 측면을 제외한 결정 성장면으로서, (0001)면과 {10-11}면 및 {11-22}면 중 적어도 어느 면이 혼재하는 상태로 성장시킨 것이며, (0001)면 성장 결정 영역에 있어서, 탄소 농도가 5×10
16 개/㎤ 이하이고 규소 농도가 5×10
17 개/㎤ 이상 2×10
18 개/㎤ 이하이고 산소 농도가 1×10
17 개/㎤ 이하이며, {10-11}면 및 {11-22}면 중 적어도 어느 면을 결정 성장면으로서 성장시킨 패싯 결정 영역에 있어서, 탄소 농도가 3×10
16 개/㎤ 이하이고 규소 농도가 5×10
17 개/㎤ 이하이고 산소 농도가 5×10
17 개/㎤ 이상 5×10
18 개/㎤ 이하이다.

公开(公告)号：KR1020100039452A

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：KR1020107005238

申请日：2008-09-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에마츠고지 ,  요시다히로아키 ,  히로타류 ,  후지와라신스케 ,  다나카하루코

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B19/04

Abstract: Disclosed is a method for growing a group III nitride crystal, which enables to grow a large crystal by a liquid phase process. Specifically disclosed is a method for growing a group III nitride crystal (10) by a liquid phase process, which comprises a step for preparing a group III nitride crystal substrate (1) having the same chemical composition as the group III nitride crystal (10) and a thickness of not less than 0.5 mm, and a step for bringing a solution, which is obtained by dissolving a nitrogen-containing gas (5) into a solvent (3) containing a group III metal, into contact with a major surface (1m) of the group III nitride crystal substrate (1) and growing the group III nitride crystal (10) on the major surface (1m).

Abstract translation: 公开了一种用于生长III族氮化物晶体的方法，其能够通过液相法生长大晶体。 具体公开的是通过液相法生长III族氮化物晶体（10）的方法，其包括用于制备具有与III族氮化物晶体（10）相同的化学组成的III族氮化物晶体衬底（1）的步骤， 厚度不小于0.5mm，将含氮气体（5）溶解在含有III族金属的溶剂（3）中得到的溶液与主表面接触的工序 1m），并且在主表面（1m）上生长III族氮化物晶体（10）。

公开(公告)号：KR1020090082367A

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：KR1020097008369

申请日：2007-11-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미즈하라나호 ,  우에마츠고지 ,  미야나가미치마사 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  나카하타세이지 ,  오카히사다쿠지

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  C30B19/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/24752

Abstract: A process for producing a Group III element nitride crystal (20) having a main plane (20m) orienting in any specific direction other than {0001}. The process comprises: a step in which Group III element nitride crystal substrates (10p) and (10q) respectively having main planes (10pm) and (10qm) orienting in the specific direction are cut out of a Group III element nitride bulk crystal (1); a step in which these substrates (10p) and (10q) are closely arranged side by side so that the main planes (10pm) and (10qm) of these substrates (10p) and (10q) are parallel to each other and their planes facing [0001] are oriented in the same direction; and a step in which a Group III element nitride crystal (20) is grown on the main planes (10pm) and (10qm) of these substrates (10p) and (10q).

Abstract translation: 制造具有以{0001}以外的特定方向取向的主面（20m）的III族元素氮化物晶体（20）的制造方法。 该方法包括：从III族元素氮化物块状晶体（1）中切出分别具有在特定方向取向的主面（10pm）和（10qm）的III族元素氮化物晶体基板（10p）和（10q）的步骤 ）; 这些基板（10p）和（10q）彼此紧密排列的步骤，使得这些基板（10p）和（10q）的主平面（10pm）和（10qm）彼此平行并且其面向 沿同一方向取向; 以及在这些基板（10p）和（10q）的主平面（10μm）和（10qm）上生长III族元素氮化物晶体（20）的工序。

公开(公告)号：KR1020080083285A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：KR1020087015068

申请日：2006-10-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  우에무라도모키 ,  오카히사다쿠지 ,  우에마츠고지 ,  오쿠이마나부 ,  니시오카무네유키 ,  하시모토신

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/201 ,  C30B29/38 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: This invention provides an AlxGayIn1-x-yN crystal substrate (12) having a main plane (12m) having an area of not less than 10 cm2. The main plane (12m) has an outer area (12w) which is within 5 mm from the outer periphery and an inner area (12n) which is an area other than the outer area. The inner area (12n) has a total dislocation density of not less than 1 x 102 cm-2 and not more than 1 x 106 cm-2. The above constitution can provide an AlxGayIn1-x-yN crystal substrate as a semiconductor device, which is large and has suitable dislocation density, a semiconductor device comprising the AlxGayIn1-x-yN crystal substrate, and a method for manufacturing the same.

Abstract translation: 本发明提供具有面积不小于10cm 2的主平面（12m）的Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底（12）。 主平面（12m）具有与外周5mm以内的外部区域（12w）和作为外部区域以外的区域的内部区域（12n）。 内部区域（12n）的总位错密度不小于1×102cm-2且不大于1×106cm-2。 上述结构可以提供Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底作为半导体器件，其尺寸大并且具有合适的位错密度，包括Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底的半导体器件及其制造方法。