公开(公告)号：DE102004013932A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：DE102004013932

申请日：2004-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTT THOMAS ,  LASKA THOMAS ,  RUPP THOMAS ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  SCHMIDT GERHARD ,  SCHULZE HOLGER

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: A first main surface/front side (9) has a metal coating (5). A second main surface/rear side (10) has first (3) and second (4) areas doped with a power-type doping agent. Doped areas on a semiconductor substrate's rear (1) side are treated at a temperature above a melting temperature for the metal coating on the front side. An independent claim is also included for a method for producing semiconductor components with a vertical structure so as to handle heat in a semiconductor substrate.

公开(公告)号：DE10203164B4

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：DE10203164

申请日：2002-01-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Electrode unit (4) comprises at least two electrically separate electrodes (10, 11) An Independent claim is included for the method of manufacture.

公开(公告)号：DE102023206109A1

公开(公告)日：2025-01-02

申请号：DE102023206109

申请日：2023-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEHNERT WOLFGANG ,  RASINGER FABIAN ,  TILKE ARMIN ,  AICHINGER THOMAS ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  RESCHER GERALD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H10D30/01 ,  H01L21/205 ,  H01L21/314 ,  H10D30/60 ,  H10D62/832 ,  H10D64/01 ,  H10D64/66

Abstract: Verfahren zur Bildung einer Grenzflächenschicht auf einem Siliciumcarbidkörper, bei dem eine Oxidschicht von einer Oberfläche eines Siliciumcarbidkörpers entfernt wird, um eine Siliciumcarbidoberfläche zu erhalten. Der Siliciumcarbidkörper umfasst einen Source-Bereich eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen Body-Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Das Verfahren umfasst ferner, dass nach dem Entfernen der Oxidschicht eine Grenzflächenschicht direkt auf der Siliziumcarbidoberfläche abgeschieden wird. Die Grenzflächenschicht hat eine Dicke von weniger oder gleich 15 nm. Das Verfahren umfasst ferner die Bildung eines elektrischen Isolators über der Grenzflächenschicht und die Bildung einer Gate-Elektrode über dem elektrischen Isolator.

公开(公告)号：DE102013217225A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102013217225

申请日：2013-08-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOPROWSKI ANGELIKA ,  MONAYAKUL SIRINPA ,  SCHMIDT GERHARD ,  BAUER JOSEF-GEORG ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/283 ,  H01L23/485 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100), der eine erste Oberfläche (101) aufweist; eine Kontaktelektrode (21), die auf der ersten Oberfläche (101) angeordnet ist; und eine Passivierungsschicht (30) auf der ersten Oberfläche benachbart zu der Kontaktelektrode (21), wobei die Passivierungsschicht (30) einen Schichtstapel mit einer amorphen semi-isolierenden Schicht (31) auf der ersten Oberfläche (101), eine erste Nitridschicht (32) auf der amorphen semi-isolierenden Schicht (31) und eine zweite Nitridschicht (34) auf der ersten Nitridschicht (32) aufweist.

公开(公告)号：AT457084T

公开(公告)日：2010-02-15

申请号：AT98966794

申请日：1998-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: A field effect transistor configuration with a trench gate electrode and a method for producing the same. An additional highly doped layer is provided in the body region under the source. The layer is used for influencing the conductibility of the source or the threshold voltage in the channel region. Breakdown currents and latch-up effects can thereby be prevented.

公开(公告)号：DE102004063991A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：DE102004063991

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102014107161B4

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102014107161

申请日：2014-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OEFNER HELMUT ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  LIU SHUHAI ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/263 ,  H01L21/331

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines IGBTs (100), wobei das Verfahren aufweist:- Bereitstellen einer Halbleiterscheibe (40), die von einem gezogenen magnetischen Czochralski-Siliciumkristall (400) oder einem gezogenen Czochralski-Siliciumkristall (400) abgeschnitten ist, eine Hauptseite (101) und eine Rückseite (102) aufweist, die gegenüber der Hauptseite angeordnet ist, und eine Siliciumschicht (1) mit einer Sauerstoffkonzentration von weniger als etwa 2,5 * 10cm, einer Kohlenstoffkonzentration von weniger als etwa 5 * 10cmund einer im Wesentlichen unveränderlichen Stickstoffkonzentration von weniger als etwa 1 * 10cmaufweist,- Implantieren von Protonen von der Rückseite (102) in die Siliciumschicht (1), um eine bestrahlte Teilschicht (1b) in der Siliciumschicht (1) zu bilden; und- thermisches Ausheilen nach dem Implantieren der Protonen, um wasserstoffbedingte flache Donatoren in der Teilschicht (1b) zu bilden, so dass die wasserstoffbedingten flachen Donatoren wenigstens einen Großteil der n-Dotanden in der Teilschicht (1b) bilden.

公开(公告)号：DE102013211572B4

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：DE102013211572

申请日：2013-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHAEFFER CARSTEN ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  WERBER DOROTHEA

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleiterbauelement, das aufweist:ein Zellengebiet (110), das wenigstens eine Bauelementzelle aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle ein erstes Bauelementgebiet (14) eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist;ein Driftgebiet (11) eines zweiten Leitfähigkeittyps, das an das erste Bauelementgebiet (14) der wenigstens einen Bauelementzelle angrenzt;ein dotiertes Gebiet (40) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt und einen pn-Übergang mit dem Driftgebiet (11) bildet; undLadungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42), die dazu ausgebildet sind, eine Ladungsträgerlebensdauer in dem dotierten Gebiet (40) des ersten Leitfähigkeitstyps zu reduzieren,wobei eine Position der Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42) in dem dotierten Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps so gewählt ist, dass ein von dem pn-Übergang ausgehendes Verarmungsgebiet die Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42; 43; 44) nicht erreicht, wenn eine der Spannungsfestigkeit des Halbleiterbauelements entsprechende Spannung an den pn-Übergang angelegt wird.

公开(公告)号：DE102014107161A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102014107161

申请日：2014-05-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OEFNER HELMUT ,  SCHAEFFER CARSTEN ,  LIU SHUHAI ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/263 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements bereitgestellt. Das Verfahren weist auf: Bereitstellen einer Halbleiterscheibe, die von einem gezogenen magnetischen Czochralski-Siliciumkristall oder einem gezogenen Czochralski-Siliciumkristall abgeschnitten ist, eine Hauptseite und eine Rückseite aufweist, die gegenüber der Hauptseite angeordnet ist und eine Sauerstoffkonzentration von weniger als etwa 2,5·1017 cm–3 und eine im Wesentlichen unveränderliche Stickstoffkonzentration von weniger als etwa 1·1015 cm–3 aufweist; Implantieren von Protonen von der Rückseite in die Siliciumschicht, um eine bestrahlte Teilschicht in der Siliciumschicht zu bilden; und thermisches Ausheilen nach dem Implantieren der Protonen, um wasserstoffbedingte flache thermische Donatoren zu bilden, so dass die wasserstoffbedingten thermischen flachen Donatoren wenigstens einen Großteil der n-Dotanden in der Teilschicht bilden. Ferner wird ein IGBT bereitgestellt.

公开(公告)号：DE59814430D1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：DE59814430

申请日：1998-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: A field effect transistor configuration with a trench gate electrode and a method for producing the same. An additional highly doped layer is provided in the body region under the source. The layer is used for influencing the conductibility of the source or the threshold voltage in the channel region. Breakdown currents and latch-up effects can thereby be prevented.