中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

24 records (took 0.025 seconds)

    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
    11.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102017123154A1

    公开(公告)日：2019-04-11

    申请号：DE102017123154

    申请日：2017-10-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZMAIER CHRISTOPH ,  MANDL MARTIN ,  WALTER ROBERT ,  STIEGLMEIER ROLAND ,  SCHMAL MICHAEL

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/40

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten:A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1) auf einem Träger (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Strahlungsemission eingerichtet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (11), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (12) und eine zwischen den n- und p-dotierten Halbleiterschichten (11, 12) angeordnete aktive Schicht (13) aufweist,B) Aufbringen einer Kontaktschicht (3) direkt auf die Halbleiterschichtenfolge (1), die die Diffusion des Materials einer Spiegelschicht (4) verhindert oder vermindert, wobei die Kontaktschicht (3) eine Schichtdicke von maximal 10 nm aufweist,C) Aufbringen der Spiegelschicht (4) direkt auf die Kontaktschicht (3) undD) Aufbringen einer Barriereschicht (5) direkt auf die Spiegelschicht (4).

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    12.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102011102376A1

    公开(公告)日：2012-11-29

    申请号：DE102011102376

    申请日：2011-05-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MAUTE MARKUS ,  TAEGER SEBASTIAN ,  ENGL KARL ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

    IPC: H01L33/40

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (1a) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen und enthält eine TCO-Schicht (2a).

    Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einem reflektierenden Schichtsystem
    13.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einem reflektierenden Schichtsystem 未知

    公开(公告)号：DE102009019524A1

    公开(公告)日：2010-11-04

    申请号：DE102009019524

    申请日：2009-04-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WALTER ROBERT ,  GROLIER VINCENT ,  SCHMAL MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  EBERHARD FRANZ

    IPC: H01L33/00 ,  H01L31/101 ,  H01S5/028

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Halbleiterschichtenfolge (10) und einem reflektierenden Schichtsystem (20) angegeben. Das reflektierende Schichtsystem (20) weist eine an die Halbleiterschichtenfolge (10) angrenzende erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) und eine Metallschicht (23) an der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) auf. Die erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) enthält ein erstes dielektrisches Material. Zwischen der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) und der Metallschicht (23) ist eine zweite strahlungsdurchlässige Schicht (22) angeordnet, die ein haftverbesserndes Material enthält. Die Metallschicht (23) ist unmittelbar auf das haftverbessernde Material aufgebracht. Das haftverbessernde Material ist von dem ersten dielektrischen Material verschieden und derart ausgewählt, dass die Haftung der Metallschicht (23) im Vergleich zur Haftung auf dem ersten dielektrischen Material verbessert ist.

    16.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008024517A1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：DE102008024517

    申请日：2008-05-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EBERHARD FRANZ ,  WINDISCH REINER ,  WALTER ROBERT ,  SCHMAL MICHAEL ,  AHLSTEDT MAGNUS

    IPC: H01L33/22 ,  H01L33/46

    Abstract: A radiation-emitting body comprising a layer sequence, having an active layer (10) for generating electromagnetic radiation, having a reflection layer (50), which reflects the generated radiation, and having at least one intermediate layer (40) arranged between the active layer (10) and the reflection layer (50). In this case, the active layer (10) has a roughening on an interface (15) directed toward the reflection layer (50), and the reflection layer (50) is substantially planar at an interface (45) directed toward the active layer (10). Also disclosed is a method for producing a radiation-emitting body, which involves forming a layer sequence on a substrate having an active layer (10) for generating electromagnetic radiation. In this case, the method comprises roughening an interface (15) on the active layer (10), and forming at least one intermediate layer (40) and a reflection layer (50).

    Optoelektronisches Bauteil
    19.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauteil 未知

    公开(公告)号：DE102012223793A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012223793

    申请日：2012-12-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHRINGER MARTIN ,  EBERHARD FRANZ ,  WALTER ROBERT

    IPC: H01L23/60 ,  H01L33/02 ,  H01L33/44

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101), mit einer auf einem Träger (103) angeordneten Halbleiterschichtenfolge (105), die eine p-dotierte (107) und eine n-dotierte Halbleiterschicht (109) umfasst, so dass zwischen der p-dotierten (107) und der n-dotierten Halbleiterschicht (109) ein p-n-Übergang (111) gebildet ist, wobei parallel zu dem p-n-Übergang (111) ein die p-dotierte (107) und die n-dotierte Halbleiterschicht (109) elektrisch verbindender Strompfad (113) zum Abfluss von Ladungsträgern gebildet ist.

    Leuchtdiodenchip
    20.
    发明专利
    Leuchtdiodenchip 未知

    公开(公告)号：DE102011112000A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：DE102011112000

    申请日：2011-08-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  GEHRKE KAI ,  WALTER ROBERT ,  ENGL KARL ,  WEISS GUIDO ,  MAUTE MARKUS ,  RAMMELSBERGER STEFANIE

    IPC: H01L33/44

    Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (13) geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Auf der Spiegelschicht (5) ist eine Schutzschicht (6) angeordnet, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.

Patent Agency Ranking