公开(公告)号：KR101248691B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020117031578

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101248709B1

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120120911A

公开(公告)日：2012-11-02

申请号：KR1020120043187

申请日：2012-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to efficiently suppress plasma in an injector by narrowing the width of the narrowest part of a through hole of a slit type than a debye length. CONSTITUTION: A processing container(12) forms a processing space for processing a substrate(W). A stage(14) is installed in the processing container. A microwave generator(30) includes a waveguide(32) and a mode converter(34). An antenna(18) includes a dielectric plate(18a) and a slot plate(18b). A dielectric member(16) faces the stage in an axial direction. [Reference numerals] (AA,BB) Gas

Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置，通过使狭缝型通孔的最窄部分的宽度比德拜长度变窄来有效地抑制喷射器中的等离子体。 构成：处理容器（12）形成用于处理衬底（W）的处理空间。 工作台（14）安装在处理容器中。 微波发生器（30）包括波导（32）和模式转换器（34）。 天线（18）包括电介质板（18a）和槽板（18b）。 电介质构件（16）在轴向方向上面对台阶。 （附图标记）（AA，BB）气体

公开(公告)号：KR1020120009513A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031575

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101094982B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020107019000

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다카이카즈토 ,  코레이카 ,  오카야마노부유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 플라즈마 에칭 처리 장치(11)는, 그 위에 반도체 기판(W)을 보지하는 보지대(14)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 가열하는 제 1 히터(18a)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 주변에 위치하는 단부의 영역을 가열하는 제 2 히터(18b)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 향하여 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부 및 단부의 영역의 온도를 상이하게 하도록 제 1 및 제 2 히터(18a, 18b)를 제어하여 반도체 기판(W)의 플라즈마 에칭 처리를 행하는 제어부(20)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110081296A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：KR1020117011259

申请日：2009-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카야마노부유키 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4558 ,  H01J37/32192

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는 처리 용기(12) 내로 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)를 구비한다. 반응 가스 공급부(13)는 유전체판(16)의 중앙부에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)의 중앙 영역을 향하여 직하 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급부(61)와, 보지대(14) 상에 보지된 피처리 기판(W)의 직상 영역을 피한 위치이고 보지대(14)의 직상 영역에 설치되어 있으며 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)을 향하여 경사 방향으로 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급부(62)를 포함한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置11具备用于向处理容器12内供给等离子体处理用的反应气体的反应气体供给部13。 反应气体供给部13设置在电介质板16的中央部，具备：第一反应气体供给部16，其向正下方向向保持基台14所保持的基板W的中央区域供给反应气体; （未图示），其设置于靶基座14的正上方位置，且位于避开保持在保持基座14上的被处理基板W的正上方的区域的位置; 以及第二反应气体供应单元62，用于沿着朝向基板W的倾斜方向供应反应气体。

公开(公告)号：KR1020110028461A

公开(公告)日：2011-03-18

申请号：KR1020107028917

申请日：2009-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  가토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  다카이카즈토

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68785

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 그 내부에서 피(被)처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 행하는 처리 용기(12)와, 처리 용기(12) 내에 배치되고, 그 위에 피처리 기판(W)을 보지(保持)하는 보지대(14)와, 보지대(14)와 대향하는 위치에 설치되고, 마이크로파를 처리 용기(12) 내에 도입하는 유전체판(16)과, 보지대(14)에 보지된 피처리 기판(W)의 중앙 영역을 향하여 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)를 구비한다. 여기에서, 반응 가스 공급부(13)는, 보지대(14)와 대향하는 대향면이 되는 유전체판(16)의 하면(63)보다도 유전체판(16)의 내방측의 후퇴한 위치에 배치되는 인젝터 베이스(61)를 포함한다. 인젝터 베이스(61)에는, 플라즈마 처리용의 반응 가스를 처리 용기(12) 내에 공급하는 공급 구멍(66)이 형성되어 있다.

Abstract translation: 等离子体处理装置11具备：对处理容器11内的被处理基板W和处理容器12内的处理容器12进行等离子体处理的处理容器12; 设置在与保持基座14相对的位置并向处理容器12中引入微波的电介质板16和保持在保持基座14上的电介质板16 以及反应气体供应单元13，用于向要处理的基板W的中心区域供应用于等离子体处理的反应气体。 反应气体供给部13相对于电介质板16的与保持板14相对的下表面63配置在电介质板16的内侧的后方位置， 和一个基地61。 在喷射器基座61上形成有用于向处理容器12内供给等离子体处理用的反应气体的供给孔66。

公开(公告)号：KR1020100105787A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：KR1020107019000

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다카이카즈토 ,  코레이카 ,  오카야마노부유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 플라즈마 에칭 처리 장치(11)는, 그 위에 반도체 기판(W)을 보지하는 보지대(14)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 가열하는 제 1 히터(18a)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 주변에 위치하는 단부의 영역을 가열하는 제 2 히터(18b)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부의 영역을 향하여 플라즈마 처리용의 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부(13)와, 보지대(14)에 보지된 반도체 기판(W)의 중앙부 및 단부의 영역의 온도를 상이하게 하도록 제 1 및 제 2 히터(18a, 18b)를 제어하여 반도체 기판(W)의 플라즈마 에칭 처리를 행하는 제어부(20)를 구비한다.

公开(公告)号：KR100883231B1

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：KR1020070030133

申请日：2007-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/3065

Abstract: 캐소드 커플 방식에 있어서 애노드 측의 전극에 데포지션막이 부착되어 후공정의 프로세스에 영향을 주는 것을 최대한 방지하면서 프로세스의 균일성을 가급적 향상시킨다. 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되고, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 위쪽에 이것과 평행하게 대향해서 배치되는 상부 전극(34)은 챔버(10)에 링 형상의 절연체(35)를 거쳐서 전기적으로 플로팅된 상태에서 부착되어 있다. 상부 전극(34)의 상면과 챔버(10)의 천장의 사이의 공간(50)에 용량 가변의 가변 콘덴서(86)가 마련되어 있다. 프로세스 조건에 따라서, 용량 제어부(85)에 의해 가변 콘덴서(86)의 용량을 가변하고, 상부 전극(34)의 접지 용량을 전환한다.

Abstract translation: 工艺的均匀性尽可能地提高，同时在阴极耦合方法中防止沉积膜沉积在阳极侧上的电极上，从而对后续工艺产生最大可能的影响。 基板W安装在下部电极的基座16上，从高频电源30施加用于等离子体产生的高频。 设置在基座16上方以与基座16相对且平行的上电极34经由环形绝缘体35以电浮动状态附接到腔室10。 具有可变电容的可变电容器86设置在上电极34的上表面与腔室10的顶部之间的空间50中。 根据处理条件通过电容控制单元85改变可变电容器86的电容，并切换上电极34的接地电容。

公开(公告)号：KR100841118B1

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：KR1020070030130

申请日：2007-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  하야카와요시노부 ,  하나오카히데토시 ,  고다마노리아키 ,  고시미즈치시오 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/3065

Abstract: 용량 결합형의 고주파 방전에 의해서 생성하는 플라즈마의 밀도의 공간적인 분포를 균일화 내지 임의로 제어하여 프로세스의 면내 균일성을 향상시킨다. 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되어, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 상방에 이것과 평행하게 대향하여 배치되는 상부 전극(34)은, 챔버(10)에 링 형상의 절연체(35)를 거쳐서 전기적으로 플로팅된 상태로 부착되어 있다. 또한, 상부 전극(34)의 상면과 챔버(10)의 천장의 사이에는 소정 갭 사이즈의 간격이 마련되고, 그 간격의 일부 또는 전부에 진공 공간(50)이 형성되어 있다. 이 진공 공간(510)의 내벽의 전부 또는 일부는 시트 형상의 절연체(52)로 덮혀져 있다.

Abstract translation: 通过均匀化或任意控制由电容耦合高频放电产生的等离子体的密度的空间分布来改进工艺的面内均匀性。 基板W安装在下部电极的基座16上，并且从高频电源30施加用于产生等离子体的高频电力。 配置在基座16的上方且与基座16平行的上部电极34经由环状的绝缘体35以电浮动的状态安装于腔室10。 在上部电极34的上表面与腔室10的顶部之间设有规定的间隙尺寸的间隙，在该间隙的一部分或全部形成真空空间50。 真空空间510的全部或部分内壁被片状绝缘体52覆盖。