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公开(公告)号：DE10101554A1
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：DE10101554
申请日：2001-01-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： VOELKL JOHANNES , BAUR JOHANNES , EISERT DOMINIK , FEHRER MICHAEL , HAHN BERTHOLD , HAERLE VOLKER , STRAUSS UWE , ZEHNDER ULRICH , JACOB ULRICH , PLASS WERNER
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公开(公告)号：DE10032246A1
公开(公告)日：2002-01-17
申请号：DE10032246
申请日：2000-07-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES , STRAUSS UWE , BRUEDERL GEORG , HAHN BERTHOLD , HAERLE VOLKER
Abstract: The invention relates to a light-emitting diode chip (1), comprising a series of epitaxial layers (3) arranged on a substrate (2), which are equipped with an InGaN-based active structure (4) that emits radiation. A buffer layer (20) is provided between the substrate (2) and the active structure (4). The material or materials of the buffer layer (20) are selected in such a way that their epitaxial surface (6) is untensioned or slightly tensioned for the epitaxy of the active structure (4) at the epitaxial temperature(s). The active structure (4) has zones (5) rich in In that are arranged laterally adjacent to one another in relation to the epitaxial plane. The In content in said zones is greater than in the other zones of the active structure (4). The invention also relates to a preferred method for producing the chips.
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公开(公告)号：DE10107472A1
公开(公告)日：2001-12-06
申请号：DE10107472
申请日：2001-02-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES , STRAUS UWE , SEDLMEIER REINHARD , LINDER NORBERT , NIRSCHL ERNST
Abstract: The aim of the invention is to improve the light-transmission of a contact layer (6) of a light-emitting diode (1). To achieve this, said contact layer (6) is provided with perforations (8), through which photons that have been created in a pn-junction (5) can escape. Small pellets, consisting for example of polystyrene, are used to produce the openings (8).
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公开(公告)号：DE102014116141B4
公开(公告)日：2022-07-28
申请号：DE102014116141
申请日：2014-11-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES , HÖPPEL LUTZ
Abstract: Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips (10) mit den folgenden Schritten:a) Bereitstellen eines Schichtenverbundes (14) aufweisend- eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Haupterstreckungsebene, einer aktiven Schicht (12) und einer Bodenfläche (1c),- einen Träger (41), der an der Bodenfläche (1c) der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist und eine der Bodenfläche (1c) abgewandte Grundfläche (41c) aufweist, und- eine Verbindungsschichtenfolge (3), die in einer vertikalen Richtung zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und dem Träger (41) angeordnet ist,b) Ausbilden einer Vielzahl von Trenngräben (71) in dem Schichtenverbund (14) entlang eines Vereinzelungsmusters (72) unter Verwendung zumindest eines gerichteten Trockenätzverfahrens (9), wobei- zumindest ein Trenngraben (71) in zumindest einer lateralen Richtung eine Maximalausdehnung (d) von höchstens 30 µm aufweist und- jeder Trenngraben (71) den Schichtenverbund (14) in der vertikalen Richtung vollständig durchdringt,c) Vereinzeln des Schichtenverbundes (14) entlang der Trenngräben (71) zur Erzeugung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), wobei der vereinzelte zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip (10) jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (1), des Trägers (41) und der Verbindungsschichtenfolge (3) aufweisen, wobei das Ausbilden der Trenngräben (71) in Schritt b) die folgenden Schritte umfasst:b1) teilweises Entfernen der Halbleiterschichtenfolge (1) im Bereich der zu erzeugenden Trenngräben (71),b2) teilweises Entfernen der Verbindungsschichtenfolge (3) in dem Bereich der teilweise entfernten Halbleiterschichtenfolge (1),b3) Aufbringen einer ALD-Schicht (5) an allen der Grundfläche (41c) abgewandten freiliegenden Außenflächen des Schichtenverbundes (14),b4) teilweises Entfernen der ALD-Schicht (5) im Bereich der zu erzeugenden Trenngräben (71) von einer der Grundfläche (41c) abgewandten Trägerdeckfläche (41a) des Trägers (41), b5) teilweises Entfernen des Trägers (41) in dem Bereich der teilweise entfernten Halbleiterschichtenfolge (1) und der teilweise entfernten Verbindungsschichtenfolge (3), wobei für die Schritte b1), b2) und b5) zumindest teilweise ein Trockenätzverfahren Verwendung findet.
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公开(公告)号：DE102015120323A1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：DE102015120323
申请日：2015-11-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES , SCHMID WOLFGANG
Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit – einem Träger (10), – einer Halbleiterschichtenfolge (2), – einer reflektierenden Schichtenfolge, die bereichsweise zwischen dem Träger (10) und der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, wobei die reflektierende Schichtenfolge (8) eine der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandte dielektrische Schicht (83) und eine von der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandte metallische Spiegelschicht (81) aufweist, und – einer Verkapselungsschicht (9), die stellenweise zwischen dem Träger (10) und der reflektierenden Schichtenfolge (8) angeordnet ist, wobei sich die Verkapselungsschicht (9) stellenweise durch die reflektierende Schichtenfolge (8) hindurch in die Halbleiterschichtenfolge (2) hinein erstreckt und auf diese Weise einen Trennsteg (91) ausbildet, der einen Innenbereich (51) der reflektierenden Schichtenfolge (8) von einem Randbereich (52) der reflektierenden Schichtenfolge (8) trennt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102015111493A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：DE102015111493
申请日：2015-07-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MAUTE MARKUS , HÖPPEL LUTZ , MOOSBURGER JÜRGEN , SCHWARZ THOMAS , SABATHIL MATTHIAS , WIRTH RALPH , LINKOV ALEXANDER , BAUR JOHANNES
Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (L) eingerichtet ist. Das Bauelement weist außerdem eine elektrische Kontaktschicht (61) auf einer Strahlungsaustrittsfläche auf, wobei das Bauelement in unmittelbarer Umgebung der elektrischen Kontaktschicht eine Abschirmungsstruktur (4) enthält, die dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf die Kontaktschicht zu verhindern.
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公开(公告)号：DE102013112881A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：DE102013112881
申请日：2013-11-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LEIRER CHRISTIAN , HAHN BERTHOLD , ENGL KARL , BAUR JOHANNES , HERRMANN SIEGFRIED , PLÖSSL ANDREAS , KATZ SIMEON , MEYER TOBIAS , ZINI LORENZO , MAUTE MARKUS
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einem integrierten Überbrückungselement angegeben, das zum Schutz vor Überspannungen dient.
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公开(公告)号：DE102013103409A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：DE102013103409
申请日：2013-04-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HAHN BERTHOLD , BAUR JOHANNES
IPC: H01L33/62 , H01L25/075
Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei – die Halbleiterschichtenfolge einen aktiven Bereich (20) umfasst, der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehen ist; – die erste Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) und mit einem zweiten Kontakt (42) verbunden ist; – der erste Kontakt auf einer dem Halbleiterkörper zugewandten Vorderseite (51) des Trägers ausgebildet ist; – der zweite Kontakt auf einer vom Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (52) des Trägers ausgebildet ist; und – der erste Kontakt und der zweite Kontakt elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Weiterhin wird ein optoelektronisches Modul (10) angegeben.
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公开(公告)号：DE102008035900A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：DE102008035900
申请日：2008-07-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SABATHIL MATTHIAS , HOEPPEL LUTZ , WEIMAR ANDREAS , ENGL KARL , BAUR JOHANNES
Abstract: A light-emitting diode chip (1) with a semiconductor layer sequence (2) is described, which is contacted electrically by contacts (5) via a current spreading layer (3). The contacts (5) cover around 1%-8% of the surface of the semiconductor layer sequence (2). The contacts (5) consist for example of separate contact points (51), which are arranged at the nodes of a regular grid (52) with a grid constant of 12 mum. The current spreading layer (3) contains for example indium-tin oxide, indium-zinc oxide or zinc oxide and has a thickness in the range from 15 nm to 60 nm.
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公开(公告)号：DE102007046519A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：DE102007046519
申请日：2007-09-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HAHN BERTHOLD , WEIMAR ANDREAS , BAUR JOHANNES , SABATHIL MATTHIAS , PLAINE GLENN-YVES
Abstract: A thin-film LED comprising a barrier layer (3), a first mirror layer (2) succeeding the barrier layer (3), a layer stack (5) succeeding the first mirror layer (2), and at least one contact structure (6) succeeding the layer stack (5). The layer stack (5) has at least one active layer (5a) which emits electromagnetic radiation. The contact structure (6) is arranged on a radiation exit area (4) and has a contact area (7). The first mirror layer (2) has, in a region lying opposite the contact area of the contact structure (6), a cutout which is larger than the contact area (7) of the contact structure (6). The efficiency of the thin-film LED is increased as a result.
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