公开(公告)号：DE102016110035B4

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102016110035

申请日：2016-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN ,  DOMES DANIEL ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L23/58 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778

Abstract: Elektrische Baugruppe, umfassend:eine bipolare Schaltvorrichtung (510); undeine Transistorschaltung (560), die mit der bipolaren Schaltvorrichtung (510) elektrisch parallel verbunden ist und einen selbstleitenden Transistor (560a) mit breiter Bandlücke umfasst.

公开(公告)号：DE102018123164B3

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102018123164

申请日：2018-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLOSS REINHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  AICHINGER THOMAS ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) weist eine Graben-Gatestruktur (102) auf, die sich entlang einer vertikalen Richtung (y) von einer ersten Oberfläche (104) in einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (106) erstreckt. Ein Bodygebiet (108) eines ersten Leitfähigkeitstyps grenzt an eine Seitenwand (110) der Graben-Gatestruktur (102) und umfasst ein erstes Body-Teilgebiet (1081), das an die Seitenwand (110) grenzt, und ein zweites Body-Teilgebiet (1082), das an die Seitenwand (110) grenzt. Zumindest ein Profil von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps entlang der vertikalen Richtung (y) enthält eine erste Dotierungsspitze im ersten Body-Teilgebiet (1081) und eine zweite Dotierungsspitze in dem zweiten Body-Teilgebiet (1082). Eine Dotierungskonzentration der ersten Dotierungsspitze ist größer als eine Dotierungskonzentration der zweiten Dotierungsspitze.

公开(公告)号：DE102019111377A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019111377

申请日：2019-05-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  HÖCHBAUER TOBIAS ,  LEHNERT WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  DENIFL GÜNTER ,  RUPP ROLAND ,  DRAGHICI MIHAI ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/161 ,  H01L29/32

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Verarbeiten eines Siliziumkarbid-Wafers (300) ist vorgeschlagen. Das Verfahren (100) umfasst ein Implantieren (110) von Ionen in den Siliziumkarbid-Wafer (300), um eine Absorptionsschicht (310) in dem Siliziumkarbid-Wafer (300) zu bilden. Der Absorptionskoeffizient der Absorptionsschicht (310) ist zumindest das 100-fache des Absorptionskoeffizienten eines Siliziumkarbidmaterials des Siliziumkarbid-Wafers (300) außerhalb der Absorptionsschicht, für ein Licht einer Zielwellenlänge. Der Siliziumkarbid-Wafer (300) wird entlang der Absorptionsschicht (310) gespalten (120), zumindest durch ein Bestrahlen des Siliziumkarbid-Wafers (300) mit Licht der Zielwellenlänge, um einen Siliziumkarbid-Bauelementwafer (360) und einen übrigen Siliziumkarbid-Wafer (362) zu erhalten.

公开(公告)号：DE102018106689A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102018106689

申请日：2018-03-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  RUPP ROLAND ,  MAUDER ANTON ,  SPULBER OANA

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält Graben-Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Siliziumcarbidbereich (100) erstrecken. Ein Abschirmgebiet (160) zwischen einer Driftzone (131) und den Graben-Gatestrukturen (150) entlang einer vertikalen Richtung, die zur ersten Oberfläche (101) orthogonal ist, bildet einen zusätzlichen pn-Übergang (pnx) mit der Driftzone (131). Kanalgebiete (120) und die Graben-Gatestrukturen (150) sind entlang einer ersten horizontalen Richtung (191) nacheinander angeordnet, wobei die Kanalgebiete (120) zwischen einem Sourcegebiet (110) und einem Stromausbreitungsgebiet (132) entlang einer zweiten horizontalen Richtung (192), die zur ersten horizontalen Richtung (191) orthogonal ist, angeordnet sind. Bereiche von Mesaabschnitten (180) zwischen benachbarten Graben-Gatestrukturen (150) verarmen vollständig bei einer Gatespannung VGS innerhalb absoluter maximaler Nennwerte der Halbleitervorrichtung (500).

公开(公告)号：DE102017125244B3

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017125244

申请日：2017-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  ELPELT RUDOLF ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/308 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält eine Driftzone, die in einem Halbleiterbereich ausgebildet ist. In einem Übergangsabschnitt des Halbleiterbereichs nimmt eine vertikale Ausdehnung des Halbleiterbereichs von einer ersten vertikalen Ausdehnung auf eine zweite vertikale Ausdehnung ab. Eine Junction-Abschlusszone eines Leitfähigkeitstyps, der zu einem Leitfähigkeitstyp der Driftzone komplementär ist, ist zwischen einer ersten Oberfläche des Halbleiterbereichs und der Driftzone ausgebildet und enthält einen sich verjüngenden Bereich im Übergangsabschnitt. In dem sich verjüngenden Bereich nimmt eine vertikale Ausdehnung der Junction-Abschlusszone von einer maximalen vertikalen Ausdehnung innerhalb einer lateralen Breite von zumindest der doppelten maximalen vertikalen Ausdehnung auf Null ab.

公开(公告)号：DE102018111761A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE102018111761

申请日：2018-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/322

Abstract: Ein Verfahren zum Planarisieren einer aufgerauten Oberfläche (102) eines SiC-Substrats (100) umfasst: Ausbilden eines Opfermaterials (108) auf der aufgerauten Oberfläche (102) des SiC-Substrats (100), wobei das Opfermaterial (108) eine Dichte zwischen 35% und 120% der Dichte des SiC-Substrats (100) hat; Implantieren von Ionen (112) durch das Opfermaterial (108) und in die aufgeraute Oberfläche (102) des SiC-Substrats (100), um ein amorphes Gebiet (114) in dem SiC-Substrat (100) auszubilden; und Entfernen des Opfermaterials (108) und des amorphen Gebiets (114) des SiC-Substrats (100) durch Nassätzen.

公开(公告)号：DE102017110969A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102017110969

申请日：2017-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  FELDRAPP KARLHEINZ ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  RUPP ROLAND ,  STRENGER CHRISTIAN ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst Graben-Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterkörper (100) aus einem Halbleitermaterial mit großer Bandlücke erstrecken. Die Graben-Gatestrukturen (150) trennen Mesabereiche (190) des Halbleiterkörpers (100) voneinander. In den Mesabereichen (190) bilden Bodygebiete (120) erste pn-Übergänge (pn1) mit einer Drainstruktur (130) und grenzen direkt an erste Mesa-Seitenwände (191). Sourcegebiete (110) in den Mesabereichen (190) bilden zweite pn-Übergänge (pn2) mit den Bodygebieten (120), wobei die Bodygebiete (120) die Sourcegebiete (110) von der Drainstruktur (130) trennen. Die Sourcegebiete (110) grenzen direkt an die ersten Mesa-Seitenwände (191) und den ersten Mesa-Seitenwänden (191) gegenüberliegende zweite Mesa-Seitenwände (192).

公开(公告)号：DE102015120848A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102015120848

申请日：2015-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO ,  WELLENZOHN GUENTHER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  KONRATH JENS PETER ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren. Das Verfahren umfasst das Herstellen einer Metallschicht auf einer ersten Oberfläche eines Halbleiterkörpers; das Bestrahlen der Metallschicht mit Partikeln, um Metallatome aus der Metallschicht in den Halbleiterkörper zu bewegen und in dem Halbleiterkörper ein Metallatome enthaltendes Gebiet zu bilden; und Ausheilen des Halbleiterkörpers, wobei das Ausheilen das Aufheizen wenigstens der Metallatome enthaltenden Schicht auf eine Temperatur von weniger als 500°C umfasst.

公开(公告)号：DE102015114429B4

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：DE102015114429

申请日：2015-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN

IPC: H01J37/09 ,  A61N5/10 ,  G21K1/04 ,  G21K1/10 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L29/06

Abstract: Strahlmodifikatorvorrichtung (700), umfassend: streuende Teilbereiche (720), in welchen vertikal auf eine Belichtungsoberfläche (701) der Strahlmodifikatorvorrichtung (700) auftreffende Partikel von einer vertikalen Richtung abgelenkt sind, wobei die streuenden Teilbereiche (720) Dellen (721) aufweisen, die durch Vorsprünge (722) getrennt sind; abschattende Teilbereiche (710), die keine Dellen (721) aufweisen und in welchen eine gesamte Durchlässigkeit für die Partikel niedriger ist als in den streuenden Teilbereichen (720) und wobei die abschattenden und streuenden Teilbereiche (710, 720) sich längs einer lateralen Richtung parallel zu der Belichtungsoberfläche (701) abwechseln und ein Flächenverhältnis der abschattenden Teilbereiche (710) zu den streuenden Teilbereichen (720) längs der lateralen Richtung variiert, wobei in der Strahlmodifikatorvorrichtung (700) eine gesamte Durchlässigkeit für die Partikel sich längs einer lateralen Richtung parallel zu der Belichtungsoberfläche (701) verändert.

公开(公告)号：DE102015112648A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102015112648

申请日：2015-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  LEHNERT WOLFGANG ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/673

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und eine Waferstruktur werden bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Befestigen eines Donor-Wafers (10), der Siliciumcarbid aufweist, an einem Trägerwafer (20), der Graphit aufweist, Abspalten des Donor-Wafers (10) entlang einer inneren Delaminierungsschicht (13), sodass eine abgespaltene Schicht (1), die Siliciumcarbid aufweist und an dem Trägerwafer (20) befestigt ist, gebildet wird, Entfernen des Trägerwafers (20) über einem inneren Abschnitt der abgespaltenen Schicht (1), während ein Restabschnitt (20') des Trägerwafers (20) an der abgespaltenen Schicht (1) befestigt bleibt, um einen teilweise gestützten Wafer (100, 200) zu bilden, und Weiterbearbeiten des teilweise gestützten Wafers (100, 200).