公开(公告)号：CN103518296A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280013579.4

申请日：2012-03-14

Applicant: 光谱传感器公司

Inventor： 加比·纽鲍尔 ,  阿尔弗雷德·菲提施 ,  马蒂亚斯·施里姆佩尔

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02272 ,  G01N21/39 ,  G01N21/718 ,  G01N2021/399 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 半导体激光器芯片（302）的第一接触表面（310）可形成为具有目标表面粗糙度，该目标表面粗糙度选择为具有基本上小于要施加至第一接触表面（310）的金属阻挡层的阻挡层厚度的最大峰谷高度。具有该阻挡层厚度的金属阻挡层可施加至第一接触表面；以及利用焊料组成物（306），通过将焊接组成物加热至小于发生金属阻挡层溶解进入焊接组成物的阈值温度，可以将半导体激光器芯片（302）沿第一接触表面（310）焊接至载体安装座。还公开了有关的系统、方法、制造的制品等等。

公开(公告)号：CN103377956A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310129982.X

申请日：2013-04-15

Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司

Inventor： 殷宏林 ,  谢哲伟 ,  林立元

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49866 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/27614 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48148 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种基材的接合方法，包含:首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材的表面，一第二银层覆盖第二基材的表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一钖层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆的质量，使技术能实际应用于产品量产之上。

公开(公告)号：CN103367170A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310109309.X

申请日：2013-03-29

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 库尔特-格奥尔格·贝森德费尔 ,  海科·布拉姆尔 ,  娜蒂娅·埃德纳 ,  克里斯蒂安·约布尔

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及衬底和用于制造至少一个功率半导体器件的衬底的方法。衬底带有第一和第二金属化层（2a、2b），该方法具有方法步骤：a）制备不导电的绝缘材料本体（1）；b）将第二金属化层施加到绝缘材料本体（1）的与绝缘材料本体（1）的第一侧（15a）对置的第二侧（15b）上；c）将不导电的漆层（3）施加到第二金属化层上，漆层（3）具有凹部（13）；d）在第二金属化层上将突起（6、6’）电沉积在漆层（3）具有凹部（13）的部位上。此外，本发明还涉及一种衬底（7、7’、7’’）。本发明实现了对布置在衬底上的功率半导体器件（10a、10b）的可靠的冷却。

公开(公告)号：CN102117781B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201010580112.0

申请日：2010-11-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂本英次 ,  秦昌平

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13688 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8189 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8389 ,  H01L2224/83905 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明代替含有Pb的焊锡的能够在高温环境下维持高可靠性接合的接合材料，提供一种接合部耐高温环境，且能够维持高可靠性接合的接合结构。本发明在第一部件(5)和第二部件(1)的接合结构中，利用焊锡(3)和玻璃(4)接合第一部件(5)和第二部件(1)，通过玻璃(4)封闭焊锡(3)来确保导电性，同时能够抑制在高温时因焊锡熔化而流出，从而提高耐久性。

公开(公告)号：CN103311204A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310071623.3

申请日：2013-03-06

Applicant: 特里奎恩特半导体公司

Inventor： 弗兰克·J·尤斯基 ,  罗伯特·C·哈特曼 ,  保罗·D·班茨

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明内容的实施例涉及倒装芯片封装技术和配置。一种装置可以包括：封装衬底，该封装衬底具有形成在该封装衬底上的多个焊垫，该多个焊垫被配置成承载形成在管芯上的相应的多个互连结构；以及布置在封装衬底上的助熔底部填充材料，该助熔底部填充材料包括助熔剂和环氧材料，该助熔剂被配置成利于在多个互连结构中的各个互连结构和多个焊垫中的各个焊垫之间形成焊接接合部，该环氧材料被配置成在形成焊接接合部期间硬化以机械地加固焊接接合部。还可以描述和/或要求其他实施例。

公开(公告)号：CN103208435A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310063158.9

申请日：2009-06-12

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 石川雅之 ,  中川将

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  C22C11/06 ,  C22C5/02 ,  C22C13/00

CPC classification number: B23K1/0008 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K35/268 ,  B23K35/3013 ,  B23K2101/36 ,  B23K2103/52 ,  C22C5/02 ,  C22C11/06 ,  C22C13/00 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32055 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H05K1/111 ,  H05K3/341 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/09427 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/24777 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 在使用该锡焊膏进行的基板与焊件的接合方法中，在形成于上述基板上的金属化镀层与形成于上述焊件上的金属化镀层之间搭载或涂抹上述锡焊膏，然后在非氧化性气氛中进行回流焊处理，将上述基板与上述焊件接合。在上述基板的表面上形成的上述金属化镀层具有平面形状，该平面形状包含面积比上述焊件的上述金属化镀层面积小的金属化镀层本体部分和自上述金属化镀层本体部分的周围突出的锡焊引导部。

公开(公告)号：CN103178030A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210568793.8

申请日：2012-12-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 丹尼尔·多梅斯 ,  拉尔夫·奥特伦巴 ,  罗兰·鲁普

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37647 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/3766 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8482 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/20759

Abstract: 本发明涉及一种包括安装在DCB衬底上的分立器件的模块及用于制造该模块的方法，该模块包括DCB衬底以及安装在DCB衬底上的分立器件，其中，分立器件包括：引线框架；安装在引线框架上的半导体芯片；以及覆盖半导体芯片的封装材料。

公开(公告)号：CN102171825B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180000413.4

申请日：2011-04-29

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 毛恒春 ,  陈锴 ,  段志华 ,  周涛

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种电源模块及其封装集成方法，该电源模块包括：引线框架、无源器件、集成电路IC和功率开关金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述无源器件通过表面贴装技术焊接在所述引线框架上；所述IC为倒装芯片，贴装并焊接在所述引线框架上。

公开(公告)号：CN101658083B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200780043947.9

申请日：2007-08-31

Applicant: 贺利氏材料技术两合公司

Inventor： M·托马斯 ,  K·沙克

IPC: H05K7/20 ,  C09J163/00 ,  H01L23/482 ,  H05K3/32

CPC classification number: H05K7/20481 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2924/00014

Abstract: 欧洲议会和理事会的指令2002/95/EC规定，从2006年7月1日起新的电气和电子设备必须不再含铅。因此，已开发用于多种电气和电子应用的无铅焊料合金。但目前，高熔点型焊料(例如用于模片连接应用的焊料)中的铅由于缺乏这些合金的无铅替代品而从该指令豁免。本发明提供用于将大功率半导体装置附着至印制电路板的无铅模片连接组合物。所述模片连接组合物包含金属填充的环氧树脂，其中所述金属选自包含铜并具有球形颗粒的粉末，通过XPS测量，表层中的铜原子不到一半被氧化。

公开(公告)号：CN102822967A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180015659.9

申请日：2011-03-30

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 德山健 ,  中津欣也 ,  佐藤俊也 ,  石川秀明

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02H3/087 ,  H02M7/48

CPC classification number: H05K7/1432 ,  H01L23/492 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H02M1/32 ,  H02M7/003 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 功率模块具有：半导体芯片；第1连接导体，该第1连接导体的一个主面与半导体芯片的一个主面连接；第2连接导体，该第2连接导体的一个主面与半导体芯片的另一个主面连接；连接端子，从直流电源供给电力；树脂材料，对半导体芯片进行密封，树脂材料具有从第1以及第2连接导体相对置形成的空间突出的突出部，连接端子被固定于突出部，第1或者第2连接导体的至少一方经由在规定的温度下熔断的金属材料而与连接端子连接。