公开(公告)号：CN108573882A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810203587.4

申请日：2018-03-13

Applicant: 库利克和索夫工业公司

Inventor： R·N·希拉克 ,  D·A·迪安杰利斯 ,  H·克劳贝格

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/607 ,  B23K20/10

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L24/80 ,  B23K20/10

Abstract: 一种对半导体元件进行超声键合的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将第一半导体元件的多个第一导电结构的表面与第二半导体元件的多个第二导电结构的相应表面对准；以及(b)将所示第一导电结构中的若干个导电结构超声键合至所述第二导电结构中相应的若干个导电结构。第一导电结构和第二导电结构中的至少一种导电结构的键合表面包括易碎涂层。

公开(公告)号：CN108538711A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810456225.6

申请日：2013-08-06

Applicant: 阿沃吉有限公司

Inventor： 聂辉 ,  唐纳德·R·迪斯尼 ,  伊舍克·C·克孜勒亚尔勒

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/83 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于使用工程化衬底的氮化镓电子器件的方法和系统，所述方法包括提供包括第III族氮化物籽层的工程化衬底，形成耦接至所述第III族氮化物籽层的GaN基功能层，形成电耦接至所述GaN基功能层的至少一部分的第一电极结构。该方法还包括在所述GaN基功能层的与工程化衬底相反一侧结合载体衬底，以及移除所述工程化衬底结构的至少一部分。该方法进一步包括形成电耦接至所述GaN基功能层的至少另一部分的第二电极结构以及移除所述载体衬底。

公开(公告)号：CN105378552B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201480039545.1

申请日：2014-07-08

Applicant: PSI株式会社

Inventor： 都永洛

IPC: G02F1/13357 ,  H01L25/07 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L25/0753 ,  G02F1/133603 ,  H01L33/44 ,  H01L33/505 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及包括超小型发光二极管的显示器及其制造方法，更详细地，通过使纳米单位的超小型发光二极管元件以不存在短路的方式与超小型的电极相连接，以此克服以往难以通过使超小型发光二极管元件直立来使超小型发光二极管元件与电极相结合的难题，同时克服难以使超小型发光二极管元件与超小型的互不相同的电极一对一对应结合的难题，从而可体现包括超小型发光二极管的显示器。并且，本发明涉及如下包括超小型发光二极管的显示器及其制造方法，即，具有优秀的光提取效率，并通过防止有可能发生的因超小型发光二极管元件的不良而发生的像素不良及显示器整体不良，从而可使包括超小型发光二极管的显示器的不良最小化，并可维持显示器固有的功能。

公开(公告)号：CN108511412A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810357524.4

申请日：2018-04-20

Applicant: 韩德军

Inventor： 韩德军

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/852

Abstract: 本发明提供了一种引线框再分布结构及其制造方法，本发明利用第一封装层外的再分布层可以实现灵活的再分布或者引脚的各种不同需求的互连；利用激光活化的方法形成再分布层，简单可靠且节约成本；遮光罩可以防止可活化金属络合物在后期的长期使用中再次被活化以造成再分布线的不可靠。

公开(公告)号：CN108493180A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810349949.0

申请日：2013-11-13

Applicant: 电力集成公司

Inventor： D·龚 ,  D·M·H·马修斯 ,  B·巴拉克里什南

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0248 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H04B15/005 ,  H05K7/14 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本公开内容涉及利用引线框架对磁耦合通信链路的噪声消除，特别地涉及一种隔离的同步开关模式功率转换器控制器集成电路封装件，包括包封部和引线框架，所述引线框架的一部分被布置在所述包封部内。所述引线框架包括形成在所述引线框架中的第一导体，所述第一导体具有基本被布置在所述包封部内的第一导电环路和第三导电环路。第二导体形成在所述引线框架中，与所述第一导体电流隔离。所述第二导体包括第二导电环路，所述第二导电环路基本被布置在所述包封部内靠近所述第一导电环路，以在所述第一导体与所述第二导体之间提供通信链路。所述第三导电环路以相对于所述第一导电环路的相反的方向卷绕在所述包封部中。

公开(公告)号：CN108473868A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680076204.0

申请日：2016-12-22

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 文智煜 ,  金真成 ,  宋佑锡 ,  李胜宰

IPC: C09K11/80 ,  F21K9/00 ,  F21S2/00 ,  H01L33/48 ,  F21Y101/00

CPC classification number: C09K11/77 ,  F21K9/00 ,  F21S2/00 ,  H01L33/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 实施例涉及荧光体组合物、包含该荧光体组合物的发光器件封装和照明设备，并且更具体地涉及以下荧光体组合物，包括：由激发光源激发的第一荧光体，用于发射第一波长范围的光；由激发光源激发的第二荧光体，用于发射第二波长范围的光；以及由激发光源激发的第三荧光体，用于发射第三波长范围的光。从荧光体组合物发出的光在蓝绿色波长区域中表现出增加的光强度，结果改善了红色波长区域中的显色指数和缩短的光波长，从而改善了光通量。

公开(公告)号：CN108463886A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201780005451.6

申请日：2017-04-07

Applicant: 密克罗奇普技术公司

Inventor： R·纪唐龙 ,  P·蒲涅亚波 ,  P·普尔舒普 ,  S·库姆塞

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4835 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/17747 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/3494 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的实施例，一种用于制造集成电路IC装置的方法可包含将IC芯片安装到引线框的中心支撑结构上。所述引线框可包含：多个引脚，其从中心支撑结构延伸；凹槽，其垂直于所述多个引脚的个别引脚围绕中心支撑结构延行；及棒条，其连接所述多个引脚且远离所述中心支撑结构。所述方法可进一步包含：将IC芯片接合到所述多个引脚的至少一些引脚；囊封引线框及经接合IC芯片，包含用囊封化合物填充凹槽；从凹槽移除囊封化合物，借此暴露所述多个引脚的个别引脚的至少一部分；镀敷所述多个引脚的暴露部分；及通过使用小于凹槽的宽度的第一锯切宽度沿凹槽锯切穿过经囊封引线框而切割IC封装使其摆脱棒条。

公开(公告)号：CN108463885A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680072439.2

申请日：2016-12-07

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 森诚悟 ,  明田正俊

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/52 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L23/48 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32258 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的半导体装置包括：半导体芯片，其具有半导体层、第一电极及第二电极，该半导体层具有管芯接合侧的第一面、与所述第一面相反一侧的第二面以及在与所述第一面和所述第二面交叉的方向上延伸的端面，该第一电极形成于所述第一面，在相比于所述端面向内侧偏离的位置具有周缘，该第二电极形成于所述第二面；管芯接合有所述半导体芯片的导电性基板；导电性分隔壁，其在所述导电性基板上支承所述半导体芯片，具有比所述第一电极小的平面面积；以及树脂封装，其至少将所述半导体芯片和所述导电性分隔壁密封。

公开(公告)号：CN104600064B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410106015.6

申请日：2014-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强 ,  余国宠 ,  洪瑞斌

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供了一种用于封装半导体器件的系统和方法。实施例包括：在载体晶圆上方形成通孔，以及在载体晶圆上方并且在第一两个通孔之间附接第一管芯。在载体晶圆上方并且在第二两个通孔之间附接第二管芯。封装第一管芯和第二管芯，以形成第一封装件，并且至少一个第三管芯连接至第一管芯或第二管芯。第二封装件在至少一个第三管芯上方连接到第一封装件。本发明还提供了封装件上芯片结构和方法。

公开(公告)号：CN104362131B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410472071.1

申请日：2011-07-15

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 山田启寿 ,  山崎尚 ,  福田昌利 ,  小盐康弘

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/544 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种半导体封装、半导体装置以及使用其的移动设备。根据一个实施方式，半导体封装具备：插入式基板、外部连接端子、半导体芯片、封装树脂层以及导电性屏蔽层，其中，所述导电性屏蔽层具有标识标记，所述标识标记通过以所述封装树脂层的表面不露出的方式切削所述导电性屏蔽层的厚度方向的一部分而设置。