公开(公告)号：CN103155128A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048307.3

申请日：2011-09-12

Applicant: 迪睿合电子材料有限公司

Inventor： 石神明 ,  蟹泽士行 ,  波木秀次 ,  马越英明 ,  青木正治

IPC: H01L21/60 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L24/29 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/304 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/416 ,  B32B2307/536 ,  B32B2457/00 ,  C08L27/06 ,  C08L67/00 ,  C08L79/08 ,  C08L83/04 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/005 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75317 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/75985 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

Abstract: 在多芯片安装时不会发生排列偏差、可确保良好的连接可靠性的多芯片安装用缓冲膜具有由耐热性树脂层和柔软性树脂层层叠而成的结构，所述耐热性树脂层具有80ppm/℃以下的线膨胀系数，所述柔软性树脂层由以JIS-K6253为基准的肖氏A硬度为10～80的树脂材料形成。多芯片模块可通过如下方法制造：将多个芯片元件经由粘接剂排列在基板上，进行临时粘贴，然后在芯片元件和焊头之间配置多芯片安装用缓冲膜，使其耐热性树脂层处于芯片元件侧，通过焊头加热加压，从而将多个芯片元件与基板连接。

公开(公告)号：CN101826489B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201010122899.6

申请日：2010-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈明发

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明披露了用于半导体芯片的应力阻挡结构及其制造方法。在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括有源电路和在有源电路上方的互连金属化结构，其中，互连金属化结构包括一层低-k绝缘层。第一金属凸块设置在半导体衬底上方并且连接至半导体衬底的有源电路。第一应力阻挡结构设置在金属凸块下面，并且设置在低-k绝缘层上方，并且第二衬底设置在第一金属凸块上方。

公开(公告)号：CN101286484B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200810087093.0

申请日：2008-04-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 森健太郎 ,  菊池克 ,  山道新太郎

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体器件，其中半导体元件安装在由绝缘层和布线层组成的电路板的一侧上，包括：金属柱，其提供在上面安装了所述半导体元件的所述电路板的一侧上；和密封层，其提供在上面安装了所述半导体元件的所述电路板的一侧上，以便覆盖所述半导体元件以及仅暴露出所述金属柱的一部分。

公开(公告)号：CN102017139B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980115289.9

申请日：2009-04-27

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 肯尼斯·卡斯考恩 ,  顾士群 ,  马修·M·诺瓦克

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019

Abstract: 通过用热传导材料(320)填充堆叠的IC装置的层(31、32)之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔(331)构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置(310)的散热。

公开(公告)号：CN103080382A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180039954.8

申请日：2011-08-16

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 吉田裕 ,  小路祐吉

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种用于从微电子装置选择性蚀刻铜或铜合金的溶液，其中所述装置同时包括铜或铜合金和含镍材料，所述溶液是用于铜或铜合金的蚀刻溶液，其包含在分子中具有酸基团的螯合剂、过氧化氢和在分子中具有氧化乙烯链的表面活性剂。

公开(公告)号：CN102157494B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201110042223.0

申请日：2006-07-24

Applicant: 米辑电子股份有限公司

Inventor： 林茂雄 ,  罗心荣 ,  周秋明 ,  周健康

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01004

Abstract: 本发明提供一种线路组件，包括：一基底；一第一绝缘层，位于该基底上；一第一金属层，位于该第一绝缘层上，且该第一金属层包括一第一黏着/阻障层、一第一种子层与一第一金属线圈，该第一种子层位于该第一黏着/阻障层上，该第一金属线圈位于该第一种子层上；一第二绝缘层，位于该第一绝缘层与该第一金属层上；一第二金属层，位于该第二绝缘层上，且该第二金属层包括一第二黏着/阻障层、一第二种子层与一第二金属线圈，该第二种子层位于该第二黏着/阻障层上，该第二黏着/阻障层没有位于该第二金属线圈的侧壁上，该第二金属线圈位于该第二种子层上并且连接该第一金属线圈；以及一打线导线，连接该第二金属层。

公开(公告)号：CN101541905B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200780040736.X

申请日：2007-10-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木内一之 ,  吉田良德

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J5/06 ,  C09J7/26 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/128 ,  C09J2205/302 ,  C09J2400/243 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/19041 ,  Y10T428/249953

Abstract: 本发明提供了热剥离性双面粘合片材，其在将一个表面与工件的表面侧粘合、另一个表面与作为底座的支撑体粘合来加工工件的背面侧时，即使在工件的表面具有大的凹凸的情况下，也不会发生支撑体的浮起和由此引起的加工时工件出现裂纹。一种热剥离性双面粘合片材，其特征在于，所述片材是在基材一侧的表面上设有热剥离性粘合层A，在另一侧的表面上设有粘合层B的热剥离性双面粘合片材，前述基材包括多孔质基材。作为前述多孔质基材，优选密度为0.9g/cm3以下并且拉伸弹性模量为20MPa以下的物质。所述基材还可以由多孔质基材与非多孔质基材的层压体构成。作为构成粘合层B的粘结剂，例如可以使用压敏性粘结剂、紫外线固化型粘合剂、热剥离型粘合剂、热塑型粘合剂、热固化型粘合剂等。

公开(公告)号：CN102148211B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010213358.4

申请日：2010-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖怡仁 ,  韩至刚 ,  詹前彬 ,  简智源 ,  杨怀德

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。

公开(公告)号：CN101432931B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200780015056.2

申请日：2007-04-26

Applicant: 旭化成电子材料株式会社

Inventor： 臼井健敏 ,  岛田仁

IPC: H01R11/01 ,  H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC classification number: H05K3/323 ,  C08K7/18 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J2201/602 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/106 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H05K2201/10234 ,  H05K2201/10378 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2495 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种导电颗粒配置薄片，其特征在于，该导电颗粒配置薄片包含导电颗粒和绝缘树脂薄片，其中，该绝缘树脂薄片的厚度小于该导电颗粒的平均粒径，导电颗粒从该绝缘树脂薄片的至少一侧的基准面P1突出，导电颗粒从基准面P1突出的部分被由与该绝缘树脂薄片相同的树脂形成的层覆盖，这里，将基准面P1与切线L1之间的距离的平均设为平均突出高度h1(h1>0)，该切线L1是导电颗粒的与基准面P1平行的切线、且与从该基准面P1突出的突出部分相切，将基准面P2与切线L2之间的距离的平均设为平均突出高度h2，该切线L2是导电颗粒的与基准面P2平行的切线、且位于与切线L1的相反侧，在此情况下(其中，当该切线L2位于该绝缘树脂薄片内时，h2 0)，满足h1>h2的关系。

公开(公告)号：CN103026476A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180033313.1

申请日：2011-06-23

Applicant: 安美特德国有限公司

Inventor： K-J.马特雅特 ,  S.兰普雷希特 ,  I.埃沃特

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: B23K31/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 描述了一种在衬底上形成焊料合金沉积的方法，其包括下述步骤：i)提供包括表面承载电路的衬底，所述表面承载电路包括至少一个内层接触焊盘，ii)形成焊料掩模层，所述焊料掩模层被置于所述衬底表面上并且被图案化以暴露所述至少一个接触区域，iii)使包括所述焊料掩模层和所述至少一个接触区域的整个衬底区域与适于在所述衬底表面上提供金属种层的溶液相接触，iv)在所述金属种层上形成结构化的抗蚀剂层，v)将含有锡的第一焊料材料层电镀到所述导电层上，vi)将第二焊料材料层电镀到所述第一焊料材料层上，vii)去除所述结构化的抗蚀剂层，并且蚀刻掉一定量的金属种层，其足以将所述金属种层从所述焊料掩模层区域去除，以及对所述衬底进行回流，并且在这样做时根据所述金属种层、第一焊料材料层和第二焊料材料层形成焊料合金沉积。