公开(公告)号：DE102017223689A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102017223689

申请日：2017-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  WAECHTER CLAUS ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  KILGER THOMAS

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/60 ,  H01L23/24 ,  H01L23/50 ,  H01L23/62

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst: eine Platine; ein Halbleiterpackage mit einer Hauptoberfläche, wobei das Halbleiterpackage auf der Platine angeordnet ist und die Hauptoberfläche der Platine zugewandt ist; ein auf der Hauptoberfläche oder innerhalb des Halbleiterpackage angeordnetes Hochfrequenzleitungselement des Halbleiterpackage, wobei das Hochfrequenzleitungselement dazu ausgelegt ist, ein Signal mit einer Frequenz von größer als 10GHz zu übertragen; und ein Unterfüllmaterial, welches zwischen der Platine und dem Halbleiterpackage angeordnet ist, wobei sich das Hochfrequenzleitungselement und das Unterfüllmaterial in einer Orthogonalprojektion auf die Hauptoberfläche nicht überlappen.

公开(公告)号：DE102017210654A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102017210654

申请日：2017-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEHLER ROBERT ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ARCIONI FRANCESCA ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/32

Abstract: Eine elektronische Vorrichtung umfasst Folgendes: eine Lotkugel, eine dielektrische Schicht, die eine Öffnung umfasst, und eine Umverdrahtungsschicht (RDL: Redistribution Layer), die ein RDL-Pad umfasst, das mit der Lotkugel verbunden ist, wobei das RDL-Pad wenigstens einen Hohlraum umfasst, wobei der Hohlraum wenigstens teilweise in einem Bereich des RDL-Pads angeordnet ist, der sich lateral außerhalb der Öffnung der dielektrischen Schicht befindet.

公开(公告)号：DE102011053161A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102011053161

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  BEER GOTTFRIED ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ORT THOMAS ,  PRESSEL KLAUS ,  WAIDHAS BERND ,  WOLTER ANDREAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

Abstract: Es werden ein Verfahren und ein System zum Führen von elektrischen Verbindungen von mehreren Chips offenbart. In einer Ausführungsform wird eine Halbleitervorrichtung mit mindestens einem Halbleiterchip, mindestens einer Leitungsführungsebene mit mindestens einer Leitungsführungsleitung und mindestens einer Verbindungsleitung, die mit der mindestens einen Leitungsführungsleitung und dem mindestens einen Halbleiterchip elektrisch gekoppelt ist, geschaffen.

公开(公告)号：DE502004006214D1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：DE502004006214

申请日：2004-10-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEISSLER CHRISTIAN ,  SCHULER FRANZ ,  SHUM DANNY PAK-CHUM

IPC: H01L27/11 ,  G11C16/04

Abstract: An integrated memory transistor and a memory unit including a plurality of integrated memory transistors is disclosed. Generally, the integrated memory transistor includes an electron source, a channel region, a control region, a charge storage region, a source-side pocket doping region, and a drain-side pocket doping region. The electron source is operable to transport electrons to the channel region when the integrated memory transistor operates in a read mode. Further, the electron source includes a drain terminal region and a source terminal region. The channel region is arranged between the drain terminal region and source terminal region. The charge storage region is arranged between the control region and the channel region. The source-side doping region is arranged nearer to the source terminal region than to the drain terminal region. The drain-side pocket doping region is arranged asymmetrical to the source-side pocket doping region.

公开(公告)号：DE102023204788B4

公开(公告)日：2025-02-20

申请号：DE102023204788

申请日：2023-05-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELIAN KLAUS ,  HARTNER WALTER ,  THEUSS HORST ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  SCHALLER RAINER

IPC: G06K19/06 ,  G01S13/02

Abstract: Verfahren zur Authentifizierung eines Gegenstandes (100), mit folgenden Schritten:Positionieren eines Millimeterwellen-Transceivers (202) relativ zu einem Gegenstand (100), der eine Meta-Material-Markierung (104) oder mehrere Meta-Material-Markierungen (104A, 104B) enthält;Senden eines Sendesignals (206) von dem Millimeterwellen-Transceiver (202) in Richtung der Meta-Material-Markierung (104), wobei das Sendesignal (206) basierend auf der Meta-Material-Markierung (104) in ein Empfangssignal (208) umgesetzt wird, welches eine erste Charakteristik aufweist und in Richtung des Millimeterwellen-Transceivers (202) abgestrahlt wird;Empfangen des Empfangssignals (208) durch den Millimeterwellen-Transceiver (202); Verarbeiten des Empfangssignals (208) zum Erfassen der ersten Charakteristik;wobei das Verarbeiten des Empfangssignals (208) ein Erfassen zumindest einer der folgenden Charakteristiken umfasst:einer Strahlungsrichtung des Empfangssignals (208);einer Phasenlage des Empfangssignals (208);einer Phasenlage des Empfangssignals (208) in einer Strahlungsrichtung;einer Frequenz des Empfangssignals (208);einer Frequenz des Empfangssignals (208) in einer Strahlungsrichtung;einer Amplitude des Empfangssignals (208); odereiner Amplitude des Empfangssignals (208) in einer StrahlungsrichtungErzeugen von ersten Vergleichsinformationen (210) basierend auf der ersten Charakteristik; undAuthentifizieren des Gegenstands (100) basierend auf den ersten Vergleichsinformationen (210),wobei das Authentifizieren des Gegenstands (100) zumindest einer der folgenden Schritte umfasst:sofern eine Meta-Material-Markierung (104) vorhanden ist:Bestimmen einer Position der Meta-Material-Markierung (104) und Vergleichen mit einer vorbestimmten Position;Bestimmen einer Form der Meta-Material-Markierung (104) und Vergleichen mit einer vorbestimmten Form;Bestimmen einer Größe der Meta-Material-Markierung (104) und Vergleichen mit einer vorbestimmten Größe der Meta-Material-Markierung (104);oder sofern mehrere Meta-Material-Markierungen (104A, 104B) in dem Gegenstand (100) vorhanden sind:Bestimmen einer Anzahl von räumlich getrennten Meta-Material-Markierungen (104A, 104B) der mehreren Meta-Material-Markierungen (104A, 104B) in dem Gegenstand (100) und Vergleichen mit einer vorbestimmten Anzahl; oderBestimmen von relativen Abständen zwischen räumlich getrennten Meta-Material-Markierungen (104A, 104B).

公开(公告)号：DE102023209537B3

公开(公告)日：2024-12-12

申请号：DE102023209537

申请日：2023-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELIAN KLAUS ,  THEUSS HORST ,  HARTNER WALTER ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  SCHALLER RAINER ,  KRIEG ARMIN

IPC: A24F40/50 ,  A24F40/20

Abstract: Gemäß einem Aspekt dieser Offenbarung wird ein Handgerät (3) für eine HnB-Zigarette, die eine Identifikationskennzeichnung enthält, vorgeschlagen. Dieses weist eine Aufnahmeeinrichtung (5) zur Aufnahme einer HnB-Zigarette (2) und eine Heizvorrichtung (4) zu Heizen der HnB-Zigarette (2) auf. Zusätzlich enthält das Handgerät (3) ein Lesegerät (12) zum Lesen einer Identifizierungsmarkierung (9) einer sich in der Aufnahmeeinrichtung (5) eingebrachten HnB-Zigarette (2) und Ausgabe gelesener Identifizierungsdaten, und eine Kommunikationseinrichtung (7) für die externe Kommunikation über Identifizierungsdaten, die das Lesegerät (12) bereitstellt.

公开(公告)号：DE102017210654B4

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：DE102017210654

申请日：2017-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEHLER ROBERT ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ARCIONI FRANCESCA ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/32

Abstract: Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst:ein Substrat (26);eine erste dielektrische Schicht (25), die auf dem Substrat (26) angeordnet ist;ein erstes Metallschicht-Pad (23.1), das auf der ersten dielektrischen Schicht (25) angeordnet ist;eine zweite dielektrische Schicht (24), die auf dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) und auf der ersten dielektrischen Schicht (25) angeordnet ist, wobei die zweite dielektrische Schicht (24) eine Öffnung umfasst;ein zweites Metallschicht-Pad (22), das auf dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) in der Öffnung der zweiten dielektrischen Schicht (24) angeordnet ist;eine Lotkugel (21), die auf dem zweiten Metallschicht-Pad (22) angeordnet ist;eine Umverdrahtungsleitung (23.3), wobei das erste Metallschicht-Pad (23.1) ein Umverdrahtungs-Pad ist und ein Teil der Umverdrahtungsleitung (23.3) oder integral mit dieser ist;wobei das erste Metallschicht-Pad (23.1) wenigstens einen Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) umfasst, wobei der Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) wenigstens teilweise lateral außerhalb des zweiten Metallschicht-Pads (22) angeordnet ist und wobei der Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) als ein Schlitz gebildet ist, wobei der Schlitz eine längliche Form umfasst, die entlang eines kreisförmigen Bogensegments angeordnet ist,wobei der wenigstens eine Hohlraum (23.11, 33.11, 43.11, 53.11) derart gebildet und angeordnet ist, dass ein innerer Teil des ersten Metallschicht-Pads (23.1) durch zwei Torsionsfedern oder durch eine Auslegerfeder aufgehängt ist, undwobei das Substrat (26) einen Halbleiter-Die umfasst, der Halbleiter-Die ein Kontakt-Pad umfasst und das Kontakt-Pad mittels der Umverdrahtungsleitung (23.3) wenigstens teilweise mit dem ersten Metallschicht-Pad (23.1) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102017221082B4

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：DE102017221082

申请日：2017-11-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHIANG CHAU FATT ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  GOLLER BERND ,  KILGER THOMAS ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MAIER DOMINIC ,  MUEHLBAUER FRANZ XAVER ,  NG CHEE YANG ,  SEE BENG KEH ,  STEIERT MATTHIAS ,  WAECHTER CLAUS

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: Halbleitergehäuse, das Folgendes umfasst:einen Halbleiter-Die (1202), der eine Sensorstruktur (1204) aufweist, die an einer ersten Seite des Halbleiter-Dies (1202) angeordnet ist;einen ersten Port, der sich von der ersten Seite zu einer zweiten Seite des Halbleiter-Dies (1202) gegenüber der ersten Seite durch den Halbleiter-Die (1202) erstreckt, um eine Verbindung zur Außenumgebung bereitzustellen;einen Interposer (1206), der an der ersten Seite des Halbleiter-Dies (1202) angebracht ist und die Sensorstruktur (1204) abdeckt;eine Gussmasse (1208), die den Interposer (1206) und die erste Seite des Halbleiter-Dies (1202) einkapselt; undeine Umverteilungsschicht (1210) auf der Gussmasse (1208) und dem Interposer (1206), wobei der Interposer (1206) elektrische Verbindungen zwischen dem Halbleiter-Die (1202) und der Umverteilungsschicht (1210) bereitstellt.

公开(公告)号：DE10202723A1

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：DE10202723

申请日：2002-01-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STEIN VON KAMIENSKI ELARD ,  GEHRING OLIVER ,  STRENZ ROBERT ,  HAIBACH PATRICK ,  GEISSLER CHRISTIAN

IPC: G11C16/04 ,  H03K17/0812 ,  H03K17/08 ,  G11C7/24 ,  H03K17/16

Abstract: The circuit has a memory cell with a memory transistor and a switching transistor as a switch. The switching transistor's gate is connected to a memory cell output and the switching transistors is opened or closed according to the programming of the memory cell. A coupling transistor's source-drain path between the memory cell output and the switching transistor gate is opened or closed by applying a potential to the coupling transistor's gate. The circuit has a memory cell (10) with a memory transistor (M1) and a switching transistor (M4) as a switch (20) with a gate and a source-drain path controled by the gate voltage. The switching transistor's gate is connected to a memory cell output and the switching transistors is opened or closed according to the programming of the memory cell. A coupling transistor's (M3) source-drain path between the memory cell output and the switching transistor gate is opened or closed by applying a potential to the coupling transistor's gate.