公开(公告)号：KR1020100031720A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: A wafer is arranged in a chamber, a plasma generating space is formed in the chamber, and plasma processing is performed to the front surface of the wafer in a state where at least the front surface of the wafer is brought into contact with the plasma generating space. The plasma processing is performed by having the plasma generating space in contact with at least the outer circumference portion of the wafer rear surface.

Abstract translation: 将晶片布置在腔室中，在室中形成等离子体产生空间，并且在至少晶片的前表面与等离子体产生接触的状态下对晶片的前表面进行等离子体处理 空间。 等离子体处理通过使等离子体产生空间与晶片后表面的至少外周部分接触来进行。

公开(公告)号：KR1020130046360A

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：KR1020120116441

申请日：2012-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/345

Abstract: PURPOSE: A magnetron sputtering device is provided to improve film formation speed by forming a magnet alignment structure in a basic body. CONSTITUTION: A power supply unit applies voltage to a target(31). A basic body is formed in the rear part of the target. A magnet alignment structure(5) includes a group(52) of magnets in the basic body. The magnets are arranged with a network. A core member is formed in the region surrounded by a magnet cross section.

Abstract translation: 目的：提供磁控溅射装置，通过在基体中形成磁体对准结构来提高成膜速度。 构成：电源单元向目标电压施加电压（31）。 在目标的后部形成一个基本体。 磁体对准结构（5）包括基体中的一组磁体（52）。 磁铁配有网络。 在由磁体横截面包围的区域中形成芯构件。

公开(公告)号：KR1020130035924A

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：KR1020120107787

申请日：2012-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키 ,  고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

Abstract: PURPOSE: A magnetron sputtering system and a method thereof are provided to uniformly form high density plasma by linearly arranging magnets formed in the outermost part. CONSTITUTION: A power supply unit applies voltage to a target. A magnet arrangement body(5) arranges a magnet group(52) in a basic body. A rotation tool rotates the arrangement body around a substrate. A magnet positioned in the outermost part of the magnet group is linearly arranged. The distance between the substrate and the target is 30 mm or less.

Abstract translation: 目的：提供磁控溅射系统及其方法，通过直线排列形成在最外部的磁体来均匀地形成高密度等离子体。 构成：电源单元向目标电压施加电压。 磁体排列体（5）将磁体组（52）布置在基体内。 旋转工具使布置体围绕衬底旋转。 位于磁体组的最外部的磁体线性排列。 基板与靶之间的距离为30mm以下。

公开(公告)号：KR101662369B1

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：KR1020130093526

申请日：2013-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  도시마히로유키 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 보이드등을발생시키지않고, 또한, 복잡한공정을거치거나배선간의리크전류의증대를수반하는일 없이, 일렉트로마이그레이션내성이높은 Cu 배선을얻을수 있는 Cu 배선의형성방법을제공한다. 트렌치를갖는웨이퍼 W의전면에배리어막을형성하는공정과, 배리어막위에 Ru막을형성하는공정과, Ru막위에 PVD에의해 Cu막을형성해서트렌치에 Cu막을매립하는공정과, Cu막위에, 부가층을형성하는공정과, CMP에의해전면을연마해서트렌치에 Cu 배선을형성하는공정과, 웨이퍼 W 전면에산화망간막으로이루어지는메탈캡을형성하는공정과, 메탈캡 위에유전체캡을형성하는공정을갖는다.

公开(公告)号：KR1020130095283A

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR101676903B1

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：KR1020130103099

申请日：2013-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스무로치아키 ,  사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  도시마히로유키 ,  하라마사미치 ,  한천수 ,  다카나시모리히로 ,  후지사토도시아키

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02065

Abstract: 일실시형태의플라즈마처리장치는처리용기, 탑재대, 리모트플라즈마유닛, 확산부, 및이온필터를구비한다. 탑재대는처리용기내에마련되어있다. 리모트플라즈마유닛은수소함유가스를여기시켜여기가스를생성한다. 리모트플라즈마유닛에는여기가스의출구가형성되어있다. 확산부는리모트플라즈마유닛의출구에면하도록마련되어있고, 해당출구로부터흘러나오는여기가스를받아, 수소이온의양이감소된수소의활성종을확산시킨다. 이온필터는확산부와탑재대의사이에위치하고, 또한, 확산부로부터이간하도록마련되어있다. 이온필터는확산부에의해확산된수소의활성종에포함되는수소이온을포착하여, 수소이온의양이더욱감소된수소의활성종을통과시킨다.

公开(公告)号：KR1020160028971A

公开(公告)日：2016-03-14

申请号：KR1020150123722

申请日：2015-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루카와신지 ,  도시마히로유키 ,  기타다도오루 ,  나카무라간토 ,  오노가즈나가

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/3488 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733

Abstract: 본발명의과제는피처리체의충분한회전과, 충분한냉각을실행하고, 스퍼터링에의한성막을실행하는것이가능한처리장치를제공하는것이다. 해결수단으로서, 스퍼터링용의타겟이내부에배치되는처리용기(1)와, 처리용기(1) 내에배치되고, 피처리체가탑재되며, 회전가능한탑재대(2)와, 탑재대(2)를냉각하는냉각기구(5)와, 냉각기구(5)에대한탑재대의상대위치를변경시키는구동기구(6)를구비하고, 구동기구(6)는탑재대(2)를냉각기구(5)에근접시키며, 또한, 이격시킬수 있다. 이것에의해, 탑재대(2)로부터냉각기구(5)에의열전달율을변경할수 있다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够充分旋转和冷却待处理物体并且还通过溅射沉积的处理设备。 为此，本发明的处理装置包括：处理容器（1），其中设置溅射靶; 一个设置在处理容器（1）中并被加载物体的可旋转的装载架（2） 和冷却装置（5），用于冷却装载架（2）; 以及改变用于冷却装置（5）的装载台的相对位置的驱动装置（6）。 驱动装置（6）使装载架（2）靠近冷却装置（5）移动，或者将两者分开，从而将装载架（2）的导热性改变为冷却装置（5）。

公开(公告)号：KR101434033B1

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：KR1020120107787

申请日：2012-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키 ,  고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

Abstract: 본 발명의 과제는 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시키고, 타겟의 사용 효율을 향상시키는 것이다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터 장치는 진공용기(2)내에 탑재된 웨이퍼(10)에 대향하도록 타겟(31)을 배치하고, 이 타겟(31)의 배면측에 마그네트 배열체(5)를 마련한다. 이 마그네트 배열체(5)는 마그네트(61, 62)가 매트릭스형상으로 배열된 내측 마그네트군(54)과, 이 내측 마그네트군(54)의 주위에 마련되고, 전자의 튀어나감을 저지하는 리턴용의 마그네트(53)를 구비하고 있다. 이에 따라 타겟(31)의 바로 아래에 커스프 자계에 의한 전자의 드리프트에 의거하여 고밀도의 플라즈마가 발생하고, 또 이로전의 면내 균일성이 높아진다. 이 때문에 타겟(31)과 웨이퍼(10)를 접근시켜 스퍼터를 실행할 수 있고, 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시킬 수 있는 동시에, 타겟의 사용 효율이 높아진다.

公开(公告)号：KR101965957B1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：KR1020170081202

申请日：2017-06-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마히로유키 ,  시마다아츠시 ,  히라사와다츠오 ,  하타노다츠오 ,  후루카와신지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR101481924B1

公开(公告)日：2015-01-12

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.