公开(公告)号：DE102021102228A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102021102228

申请日：2021-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  ELIAN KLAUS ,  ERDOEL TUNCAY ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  RIEDER BERNHARD ,  SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01P1/06

Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte montiertes Hochfrequenz-Package mit einem Hochfrequenz-Chip und einem Hochfrequenz-Strahlungselement. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein Wellenleiter-Bauteil mit einem Wellenleiter, wobei das Hochfrequenz-Strahlungselement dazu ausgelegt ist, in den Wellenleiter Sendesignale einzustrahlen und/oder über den Wellenleiter Empfangssignale zu empfangen. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner einen zwischen einer ersten Seite des Hochfrequenz-Package und einer zweiten Seite des Wellenleiter-Bauteils angeordneten Spalt und eine Abschirmstruktur, welche dazu ausgelegt ist: eine relative Bewegung zwischen dem Hochfrequenz-Package und dem Wellenleiter-Bauteil in einer ersten Richtung senkrecht zur ersten Seite des Hochfrequenz-Package zuzulassen, und die Sendesignale und/oder die Empfangssignale derart abzuschirmen, dass eine Ausbreitung der Signale über den Spalt abgeschwächt oder verhindert wird.

公开(公告)号：DE102020133756A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102020133756

申请日：2020-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  BRENNER PIETRO ,  KAISER JULIAN WINFRIED ,  KALEEM SAQIB

IPC: H01L23/29

Abstract: Eine Vorrichtung enthält einen Hochfrequenzchip und ein dielektrisches Material, das zwischen einem ersten Bereich, der ein elektromagnetisches Störsignal in einem ersten Frequenzbereich zwischen 1 GHz und 1 THz abstrahlt, und einem zweiten Bereich, der das elektromagnetische Störsignal empfängt, angeordnet ist. Eine Dämpfung des dielektrischen Materials ist mehr als 5 dB/cm zumindest in einem Teilbereich des ersten Frequenzbereichs.

公开(公告)号：DE102019118691A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE102019118691

申请日：2019-07-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK ,  HARTNER WALTER ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MARIOTTI CHIARA ,  MEYER THORSTEN ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/482 ,  H01P3/16 ,  H01Q23/00

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfassend ein Gehäuse einer integrierten Schaltung (IC) und einen Kunststoff-Wellenleiter. Das IC-Gehäuse umfasst einen Halbleiterchip; und eine eingebettete Antenne, die innerhalb einer Redistributionsschicht (RDL) gebildet ist, die mit dem Halbleiterchip gekoppelt ist, wobei die RDL ausgebildet ist, um ein Radiofrequenz- (RF-) Signal zwischen dem Halbleiterchip und der eingebetteten Antenne zu transportieren. Der Kunststoff-Wellenleiter ist an dem IC-Gehäuse angebracht und ausgebildet, um das RF-Signal zwischen der eingebetteten Antenne und außerhalb des IC-Gehäuses zu transportieren.

公开(公告)号：DE102018100843A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018100843

申请日：2018-01-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEUSS HORST ,  HARTNER WALTER ,  HUBER VERONIKA ,  ROBL WERNER ,  BERGER RUDOLF

IPC: H01L23/482 ,  C23C30/00 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst: einen Halbleiterchip; ein elektrisches Anschlusselement zum elektrischen Verbinden der Halbleitervorrichtung mit einem Träger; und eine an das elektrische Anschlusselement angrenzende Metallisierung, wobei die Metallisierung poröses nanokristallines Kupfer enthält.

公开(公告)号：DE102014105845B4

公开(公告)日：2019-06-06

申请号：DE102014105845

申请日：2014-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  HARTNER WALTER

IPC: H01P5/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/02 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66 ,  H01P1/16 ,  H01P3/12 ,  H01P5/08 ,  H01P5/107

Abstract: Integriertes Schaltungsmodul (10), umfassend:eine Gehäuse-Vergussmasseschicht (12), die eine Gehäuse-Vergussmasse (14) umfasst und gegenüberliegende erste (16) und zweite (18) Flächen aufweist;eine Hochfrequenz (HF)-integrierte Schaltung (20), die in der Gehäuse-Vergussmasse (14) eingebettet ist und einen HF-Anschluss (22) umfasst;eine Wellenleiter-Übergangsstruktur (24), die in der Gehäuse-Vergussmasse (14) eingebettet ist und einen Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt (26), einen Wellenleiter-Grenzschichtabschnitt (28), der ausgelegt ist, mit einem rechteckigen Wellenleitergehäuse gekoppelt zu werden, und einen Transformatorabschnitt (32), der ausgelegt ist, einen Ausbreitungsmodenübergang zwischen dem Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt (26) und dem Wellenleiter-Grenzschichtabschnitt (28) vorzusehen, umfasst;eine erste Umverteilungsschicht (34), die wenigstens eine Isolierschicht (36) und wenigstens eine Metallisierungsschicht (38) umfasst und sich zwischen der HF-integrierten Schaltung (20) und der Wellenleiter-Übergangsstruktur (24) quer über die erste Fläche (16) der Gehäuse-Vergussmasseschicht (12) erstreckt, wobei die erste Umverteilungsschicht (34) ferner eine HF-Übertragungsleitung (40) umfasst, die zwischen den HF-Anschluss (22) der HF-integrierten Schaltung (20) und den Übertragungsleitungs-Grenzschichtabschnitt (26) der Wellenleiter-Übergangsstruktur (24) leitfähig geschaltet ist; undeine zweite Umverteilungsschicht (42), die wenigstens eine Isolierschicht (44) und wenigstens eine Metallisierungsschicht (46) umfasst;wobei die erste Umverteilungsschicht (34) an einer ersten Hauptfläche der HF-integrierten Schaltung (20) angeordnet ist und die zweite Umverteilungsschicht (42) an einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche der HF-integrierten Schaltung (20) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016107678A1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102016107678

申请日：2016-04-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER THORSTEN ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/482 ,  H01L23/50 ,  H01Q1/22

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiter-Die mit einer aktiven Hauptoberfläche und einer gegenüberliegenden Hauptoberfläche gegenüber der aktiven Hauptoberfläche. Die Halbleitervorrichtung umfasst ferner eine Antenne, welche auf der aktiven Hauptoberfläche des Halbleiter-Die angeordnet ist, und eine Vertiefung, welche auf der gegenüberliegenden Hauptoberfläche des Halbleiter-Die angeordnet ist. Die Vertiefung ist über der Antenne angeordnet.

公开(公告)号：DE102013108196A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE102013108196

申请日：2013-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FOERSTER JUERGEN ,  HARTNER WALTER ,  HIRTREITER JOSEF ,  WACHTER ULRICH

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/283 ,  H01L23/485

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Chippackage bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet: Ausbilden eines elektrisch isolierenden Materials über einer Chipseite (410); selektives Entfernen mindestens eines Teils des elektrisch isolierenden Materials, wodurch in dem elektrisch isolierenden Material ein Graben ausgebildet wird (420); Abscheiden von elektrisch leitendem Material in dem Graben, wobei das elektrisch leitende Material elektrisch mit mindestens einem über der Chipseite ausgebildeten Kontaktpad verbunden wird (430); Ausbilden einer elektrisch leitenden Struktur über dem elektrisch isolierenden Material, wobei mindestens ein Teil der elektrisch leitenden Struktur in direkter physischer und elektrischer Verbindung mit dem elektrisch leitenden Material steht (440); und Abscheiden einer Fügestruktur über der elektrisch leitenden Struktur (450).

公开(公告)号：DE102006015131B4

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：DE102006015131

申请日：2006-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWETLICK WERNER ,  HARTNER WALTER ,  GOTTINGER REINHARD ,  BONART DIETRICH

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/74

公开(公告)号：DE10131626B4

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：DE10131626

申请日：2001-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KROENKE MATTHIAS ,  BRUCHHAUS RAINER ,  ENDERS GERHARD ,  HARTNER WALTER ,  MIKOLAJICK THOMAS ,  NAGEL NICOLAS ,  ROEHNER MICHAEL

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

公开(公告)号：DE10116875B4

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：DE10116875

申请日：2001-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  KROENKE MATTHIAS ,  WEINRICH VOLKER

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507