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公开(公告)号:DE112013004223A5
公开(公告)日:2015-09-24
申请号:DE112013004223
申请日:2013-08-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ILLEK STEFAN , SABATHIL MATTHIAS , SCHWARZ THOMAS , WEGLEITER WALTER
IPC: H01L33/62
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公开(公告)号:DE112013006179A5
公开(公告)日:2015-09-03
申请号:DE112013006179
申请日:2013-12-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HERRMANN SIEGFRIED , WEGLEITER WALTER , PLÖSSL ANDREAS
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公开(公告)号:DE102012109028A1
公开(公告)日:2014-03-27
申请号:DE102012109028
申请日:2012-09-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ILLEK STEFAN , SCHWARZ THOMAS , MOOSBURGER JUERGEN , WEGLEITER WALTER
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) mit einem Konversionsmittelkörper (21) und mit einem Vergusskörper (22). Der Vergusskörper (22) umgibt, in Draufsicht gesehen, den Konversionsmittelkörper (21) wenigstens stellenweise. Elektrische Kontaktstrukturen (3) sind an dem Träger (2) angebracht. Eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (4) ist an dem Träger (2) angebracht. Die Halbleiterchips (4) sind zu einer Strahlungserzeugung eingerichtet. Der Konversionsmittelkörper (21) ist als Platte geformt. Die Halbleiterchips (4) sind mechanisch unmittelbar mit dem Konversionsmittelkörper (21) verbunden. Der Konversionsmittelkörper (21) ist frei von Aussparungen für die elektrischen Kontaktstrukturen (3) und ist nicht von diesen durchdrungen.
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公开(公告)号:DE102012215524A1
公开(公告)日:2014-03-06
申请号:DE102012215524
申请日:2012-08-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ILLEK STEFAN , SABATHIL MATTHIAS , SCHWARZ THOMAS , WEGLEITER WALTER
Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der in einen elektrisch isolierenden Formkörper mit einer Oberseite und einer Unterseite eingebettet ist. In den Formkörper ist außerdem ein Durchkontakt eingebettet, der eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der Oberseite und der Unterseite des Formkörpers bildet. Auf der Oberseite des Formkörpers ist eine reflektierende Schicht angeordnet, die eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einem elektrischen Kontakt des Halbleiterchips und dem Durchkontakt bildet. Dabei bedeckt die reflektierende Schicht die Oberseite des Formkörpers zu mindestens 50 %.
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25.
公开(公告)号:DE102010032041A1
公开(公告)日:2012-01-26
申请号:DE102010032041
申请日:2010-07-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: WEIDNER KARL , RAMCHEN JOHANN , KALTENBACHER AXEL , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , GRUBER STEFAN , BOGNER GEORG
IPC: H01L33/48 , H01L25/075
Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit – einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; – einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; – einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.
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公开(公告)号:DE102010031732A1
公开(公告)日:2012-01-26
申请号:DE102010031732
申请日:2010-07-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: WEIDNER KARL , KALTENBACHER AXEL , RAMCHEN JOHANN , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , GRUBER STEFAN , BOGNER GEORG
IPC: H01L33/62 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L33/52
Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
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公开(公告)号:DE102008038748A1
公开(公告)日:2010-02-18
申请号:DE102008038748
申请日:2008-08-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ZITZLSPERGER MICHAEL , WEGLEITER WALTER , MOOSBURGER JUERGEN , BARCHMANN BERND , AHLSTEDT MAGNUS , ZEILER THOMAS
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公开(公告)号:DE102008019902A1
公开(公告)日:2009-06-25
申请号:DE102008019902
申请日:2008-04-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: STATH NORBERT , BRAUNE BERT , WEGLEITER WALTER , WEIDNER KARL , REBHAN MATTHIAS , WULKESCH HANS
IPC: H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/60
Abstract: An optoelectronic component includes a carrier element. At least two elements are arranged in an adjacent fashion on a first side of the carrier element. Each element has at least one optically active region for generating the electromagnetic radiation. The optoelectronic component has an electrically insulating protective layer arranged at least in part on a surface of the at least two adjacent elements which lies opposite the first side. The protective layer, at least in a first region arranged between the at least two adjacent elements, at least predominantly prevents a transmission of the electromagnetic radiation generated by the optically active regions.
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公开(公告)号:DE10261364B4
公开(公告)日:2004-12-16
申请号:DE10261364
申请日:2002-12-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: STEIN WILHELM , JANES STEFAN , HEINDL ALEXANDER , PLOESL ANDREAS , WEGLEITER WALTER
IPC: H01L21/283 , H01L21/285 , H01L33/00
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公开(公告)号:DE10308322A1
公开(公告)日:2004-08-19
申请号:DE10308322
申请日:2003-02-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: PLOESL ANDREAS , ILLEK STEFAN , STAUSS PETER , WEGLEITER WALTER , WIRTH RALPH , STEIN WILHELM , PIETZONKA INES , DIEPOLD GUDRUN
IPC: H01L33/30 , H01L33/40 , H01L33/00 , H01L21/283
Abstract: A process for preparation of an electrical contact region on an n-conductive AlGaInP-based layer by:application of an electrical contact material containng Au and at least one doping material, i.e. an element from the group Ge, Si, Sn, and Te, and of tempering the n-conductive AlGaInP-based layer. An independent claim is included for a structural element having an epitaxial semiconductor layer series with an electromagnetic radiation emitting active zone.
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