Optoelektronisches Halbleiterbauteil

    公开(公告)号:DE102012215524A1

    公开(公告)日:2014-03-06

    申请号:DE102012215524

    申请日:2012-08-31

    Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der in einen elektrisch isolierenden Formkörper mit einer Oberseite und einer Unterseite eingebettet ist. In den Formkörper ist außerdem ein Durchkontakt eingebettet, der eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der Oberseite und der Unterseite des Formkörpers bildet. Auf der Oberseite des Formkörpers ist eine reflektierende Schicht angeordnet, die eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einem elektrischen Kontakt des Halbleiterchips und dem Durchkontakt bildet. Dabei bedeckt die reflektierende Schicht die Oberseite des Formkörpers zu mindestens 50 %.

    Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Bauelemnenten

    公开(公告)号:DE102010032041A1

    公开(公告)日:2012-01-26

    申请号:DE102010032041

    申请日:2010-07-23

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit – einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; – einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; – einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.

    Optoelektronisches Bauelement
    26.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102010031732A1

    公开(公告)日:2012-01-26

    申请号:DE102010031732

    申请日:2010-07-21

    Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement vorgesehen, das ein Trägerelement (1), einem auf dem Trägerelement (1) angeordneten Halbleiterchip (2) und eine Vergussmasse (3) aufweist. Der Halbleiterchip (2) weist eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht auf. Die Vergussmasse (3) umschließt den Halbleiterchip (2) zumindest bereichsweise und bildet eine das Bauelement abschließende Hauptfläche (31) aus. In der Vergussmasse (3) ist eine Ausnehmung (4) ausgebildet, in der eine elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (5) derart angeordnet ist, dass diese die Hauptfläche (31) nicht überragt. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.

    28.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102008019902A1

    公开(公告)日:2009-06-25

    申请号:DE102008019902

    申请日:2008-04-21

    Abstract: An optoelectronic component includes a carrier element. At least two elements are arranged in an adjacent fashion on a first side of the carrier element. Each element has at least one optically active region for generating the electromagnetic radiation. The optoelectronic component has an electrically insulating protective layer arranged at least in part on a surface of the at least two adjacent elements which lies opposite the first side. The protective layer, at least in a first region arranged between the at least two adjacent elements, at least predominantly prevents a transmission of the electromagnetic radiation generated by the optically active regions.

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