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公开(公告)号：KR20200125986A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：KR20207028249
申请日：2019-02-12
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： ALTINI VALERIO , STAALS FRANK
Abstract: 기판에걸쳐조명프로파일을스캐닝하여그 위에기능영역들을형성하도록구성되는스캐닝노광장치를제어하는방법이개시된다. 상기방법은스캐닝노광작업에서, 기능영역들을포함하는노광필드의노광동안조명프로파일의동적제어를위한제어프로파일을얻는단계; 및개별적인기능영역의노광품질을최적화하는단계를포함한다. 최적화하는단계는 a) 스캐닝방향으로노광필드의범위를넘어제어프로파일을확장하는단계; 및/또는 b) 제어프로파일에디컨볼루션방식을적용하는단계를포함할수 있고, 디컨볼루션방식의구조는스캐닝방향으로의조명프로파일의치수에기초한다.
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公开(公告)号：KR20200125942A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：KR20207025275
申请日：2019-02-28
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： MA YUE , KEMPEN ANTONIUS THEODORUS WILHELMUS , HUMMLER KLAUS MARTIN , MOORS JOHANNES HUBERTUS JOSEPHINA , ROMMERS JEROEN HUBERT , VAN DE WIEL HUBERTUS JOHANNES , LAFORGE ANDREW DAVID , BRIZUELA FERNANDO , WIEGGERS ROB CARLO , GOMES UMESH PRASAD , NEDANOVSKA ELENA , KORKMAZ CELAL , KIM ALEXANDER DOWNN , DUARTE RODRIGUES NUNES RUI MIGUEL , VAN DIJCK HENDRIKUS ALPHONSUS LUDOVICUS , VAN DRENT WILLIAM PETER , JONKERS PETER GERARDUS , ZHU QIUSHI , YAGHOOBI PARHAM , WESTERLAKEN JAN STEVEN CHRISTIAAN , LEENDERS MARTINUS HENDRIKUS ANTONIUS , ERSHOV ALEXANDER IGOREVICH , FOMENKOV IGOR VLADIMIROVICH , LIU FEI , JACOBS JOHANNES HENRICUS WILHELMUS , KUZNETSOV ALEXEY SERGEEVICH
Abstract: EUV 방사선을생성하기위한시스템(SO) 내의하나이상의반사광학요소의반사율열화는광학요소를포함하는진공챔버(26) 내로의가스의제어된도입에의하여감소된다. 가스는수소와같은또 다른가스의흐름에추가될수 있거나수소라디칼의도입과번갈아가며추가될수 있다.
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公开(公告)号：KR20180072760A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR20187014163
申请日：2016-09-28
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： TEN BERGE PETER , MOS EVERHARDUS CORNELIS , VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , WARDENIER PETER HANZEN , JENSEN ERIK , KASTRUP BERNARDO , KUBIS MICHAEL , MULKENS JOHANNES CATHARINUS HUBERTUS , DECKERS DAVID FRANS SIMON , HENKE WOLFGANG HELMUT , LEE JOUNGCHEL
CPC classification number: G03F1/72 , G03F7/70425 , G03F7/70625
Abstract: 패터닝시스템의에칭툴에의해처리된이후에패턴의측정및/또는시뮬레이션결과를획득하는단계, 에칭로딩(etch loading) 효과에기인한패터닝오차를상기측정및/또는시뮬레이션결과에기초하여결정하는단계, 및컴퓨터시스템에의하여, 상기패터닝오차에기초하여, 상기패터닝시스템내에서상기에칭툴로부터업스트림에있는패터닝디바이스를수정하기위한및/또는수정장치를조절하기위한수정정보를생성하는단계를포함하고, 상기패터닝디바이스가상기수정정보에따라수정되고및/또는상기수정장치가상기수정정보에따라조절되는경우, 상기패터닝오차는정정가능오차로변환되고및/또는특정범위로감소되는, 방법.
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公开(公告)号：KR20180069044A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：KR20187013904
申请日：2016-09-26
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： TEN BERGE PETER , MOS EVERHARDUS CORNELIS , VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , WARDENIER PETER HANZEN , JENSEN ERIK
Abstract: 방법은, 컴퓨터시스템에의하여, 패터닝시스템내의패터닝디바이스를수반하는패터닝프로세스의고분해능패터닝오차정보를오차수학모델을사용하여모델링하는단계, 상기컴퓨터시스템에의하여, 패터닝디바이스수정툴에의하여이루어질수 있는패터닝오차의정정을정정수학모델을사용하여모델링하는단계 - 상기정정수학모델은상기오차수학모델과실질적으로동일한분해능을가짐 -, 및상기컴퓨터시스템에의하여, 상기오차수학모델에의하여모델링된패터닝오차정보에상기정정수학모델을적용함으로써, 상기패터닝디바이스수정툴을사용하여상기패터닝디바이스를수정하기위한수정정보를결정하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR20180040647A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：KR20187007145
申请日：2016-08-05
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： RIGGS DANIEL JASON , RAFAC ROBERT JAY
IPC: H05G2/00
Abstract: 레이저생성플라즈마(LPP) 극자외(EUV) 생성시스템내의소스레이저의타이밍을개선시키기위한방법및 시스템이개시된다. 플라즈마챔버내에서의힘 때문에, 액적의속도는조사부위에접근하면서감소될수 있다. 액적이느려지기때문에, 소스레이저는느려진액적에비하여빠르게발화하고, 결과적으로얻어지는액적의앞선부분만이조사되게된다. 이러한액적으로부터생성된 EUV 에너지의결과적으로얻어지는양은액적의느려진속도에비례한다. 이것을보상하기위하여, 소스레이저의발화가생성된 EUV 에너지에기초하여다음액적에대해서지연된다. 소스레이저의발화가다음액적에대해서지연되기때문에, 다음액적은더 완전하게조사된위치에있을가능성이더 높아지고, 결과적으로다음액적으로부터더 많은 EUV 에너지가생기게된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR20180030163A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20187004493
申请日：2016-08-01
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： QUINTANILHA RICHARD
CPC classification number: G03F7/7065 , G01N21/4788 , G01N21/95607 , G01N2021/95615 , G01N2201/06113 , G01N2201/12 , G02B21/365 , G02B21/367 , G03F1/24 , G03F1/84 , G21K7/00 , G21K2207/00 , G21K2207/005
Abstract: 제품구조체(407, 330')는결함(360-366)을가지고형성된다. 적어도부분간섭성인 EUV 방사선의스폿(S)이제품구조체(604) 상에제공되어상기제품구조체에의해산란된후에방사선에의해형성되는적어도하나의회절패턴(606)을캡쳐한다. 레퍼런스데이터(612)는공칭제품구조체를기술한다. 제품구조체의적어도하나의합성이미지(616)가캡쳐된이미지데이터로부터계산된다. 합성이미지로부터의데이터가레퍼런스데이터와비교되어제품구조체내의결함(660-666)을식별한다. 일실시예에서, 복수개의회절패턴이직렬중첩스폿(S(1)-S(N))을사용하여획득되고, 합성이미지는회절패턴및 상대변위에대한지식을사용하여계산된다. EUV 방사선은관심대상구조체의치수에가까운, 5 내지 50 nm의범위에속하는파장을가질수 있다.
Abstract translation: 产品结构407和330'形成有缺陷360-366。 在制品结构604上提供至少部分相干的EUV辐射的点（S），以捕获由制品结构散射后由辐射形成的至少一个衍射图案606。 参考数据612描述标称产品结构。 从捕获的图像数据计算产品结构的至少一个合成图像616。 将来自合成图像的数据与参考数据进行比较，以确定产品结构中的缺陷660-666。 在一个实施例中，使用串联重叠点S（1）-S（N）获得多个衍射图案，并且使用关于衍射图案和相对位移的知识来计算合成图像。 EUV辐射可以具有落在5和50nm之间的波长，这接近感兴趣的结构的尺寸。
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47.发明公开
公开(公告)号：KR20180030162A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR20187004492
申请日：2016-06-30
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
IPC: G03F7/20 , G06F17/50 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/66
CPC classification number: G06F17/5009 , G03F7/70058 , G03F7/705 , G03F7/70625 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L22/20
Abstract: 구조체(900)의파라미터가관찰된회절방사선으로부터의복원에의해측정된다. 이방법은: (a) 2차원또는 3차원모델공간에서구조체를표현하는구조체모델을규정하는단계; (b) 구조체모델을사용하여방사선과상기구조체의상호작용을시뮬레이션하는단계; 및 (c) 구조체모델의파라미터를변경하면서단계 (b)를반복하는단계를포함한다. 구조체모델은모델공간의적어도제 1 차원(Z)에따라슬라이스들(a-f)의시리즈로분할된다. 슬라이스들로분할됨으로써, 적어도하나의서브-구조체의경사면(904, 906)은상기모델공간(X)의적어도제 1 차원을따라스텝들(904', 906')의시리즈에의해근사화된다. 슬라이스들의개수는파라미터가변함에따라동적으로변동할수 있다. 상기경사면을근사화하는스텝들의개수는일정하게유지된다. 대응하는스텝을도입하지않고, 추가절개부(1302, 1304)가도입된다.
Abstract translation: 通过从观察到的衍射辐射中恢复来测量结构900的参数。 该方法包括：（a）定义表示二维或三维模型空间中的结构的结构模型; （b）使用结构模型模拟结构与辐射的相互作用; （c）在改变结构模型的参数的同时重复步骤（b）。 根据模型空间的至少第一维度（Z），结构模型被划分为一系列切片（a-f）。 切片，使得至少一个子结构的斜面904和906也沿着向上模型空间X的第一维度通过一系列步骤904'和906'近似。 切片的数量可能会随着参数的变化而动态变化。 近似斜率的步数保持不变。 插入额外的切口1302和1304而不引入相应的步骤。
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公开(公告)号：KR20180021140A
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：KR20187002405
申请日：2016-06-27
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： ABEN PAUL CORNELIS HUBERTUS , LALBAHADOERSING SANJAYSINGH , SCHOONUS JURGEN JOHANNES HENDERIKUS MARIA , DECKERS DAVID FRANS SIMON
CPC classification number: G03F9/7019 , G03F7/70466 , G03F7/70516 , G03F7/70633 , G03F7/70683 , G03F9/708
Abstract: 본발명은: a) 기준기판에제 1 마크패턴을제공하는단계; b) 기준기판상에제 1 레지스트층을제공하는단계 -상기제 1 레지스트층은제 1 레지스트의현상에필요한최소방사선도즈를가짐- ; c) 패터닝된방사선빔을형성하기위해, 방사선빔의단면에제 2 마크패턴을부여하는데 기준패터닝디바이스를이용하는단계; 및 d) 제 1 레지스트층의최소방사선도즈이상의누적된방사선도즈를받은제 2 마크패턴에따른제 1 레지스트층의타겟부내의노광영역들을생성하도록상기패터닝된방사선빔으로기준기판의제 1 레지스트층의타겟부를 n 번노광하는단계 -n은적어도 2의값을갖는정수임- 를포함하는방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：a）在参考衬底上提供第一标记图案; b）在参考衬底上提供第一抗蚀剂层，第一抗蚀剂层具有显影第一抗蚀剂所需的最小辐射剂量; c）使用参考图案形成装置将第二标记图案赋予辐射束的横截面以形成图案化的辐射束; 并且d）第一辐射以产生暴露区域在所述第一抗蚀剂层的目标部分根据所述第二标记图案的图案化的束抗蚀剂的参考衬底的层接收到的第一抗蚀剂层的累积辐射剂量高于最小辐射剂量 将目标部分的目标部分暴露n次具有至少2的值的整数。
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公开(公告)号：KR20180018805A
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR20187001676
申请日：2016-07-07
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
CPC classification number: G03F9/7046
Abstract: 리소그래피장치로서, 방사선빔을조절하도록구성되는조명시스템; 패터닝디바이스를지지하도록구성되는지지체 - 상기패터닝디바이스는방사선빔의단면에패턴을부여하여패터닝된방사선빔을형성할수 있음 -; 기판을홀딩하도록구성되는기판테이블 ; 및상기패터닝된방사선빔을상기기판의타겟부상에투영하도록구성되는투영시스템을포함하고, 상기리소그래피장치는, 상기기판상에존재하는하나이상의정렬마크에대하여, - 복수개의상이한정렬측정파라미터들각각을적용하여상기정렬마크에대하여복수개의정렬마크위치측정을수행함으로써, 상기정렬마크에대한복수개의측정된정렬마크위치를획득하도록구성되는정렬시스템을더 포함하며, 상기리소그래피장치는처리유닛을더 포함하고, 상기처리유닛은, - 복수개의정렬마크위치측정들각각에대하여, 기대된정렬마크위치와측정된정렬마크위치사이의차이로서위치상편차를결정하고 - 상기측정된정렬마크위치는 각각의정렬마크위치측정에기초하여결정됨 -; - 상기위치상편차에대한가능한원인으로서함수의세트를규정하며 - 상기함수의세트는 상기기판의변형을 나타내는기판변형함수및 상기하나이상의정렬마크의변형을 나타내는적어도하나의마크변형함수를포함함 -; - 행렬방정식 PD = M*F를생성하고 - 상기위치상편차를포함하는벡터 PD는, 상기기판변형함수및 적어도하나의마크변형함수를포함하는벡터 F의, 가중치계수행렬 M에의해표현되는가중된조합과같도록설정되고, 상기적어도하나의마크변형함수와 연관된가중치계수는 적용된정렬측정에따라달라짐 -; - 상기행렬 M의가중치계수에대한값을결정하며; - 상기행렬 M의역행렬또는의사역행렬을결정함으로써, 상기기판변형함수에 대한값을상기위치상편차의가중된조합으로서획득하고; - 상기패터닝된방사선빔과상기타겟부의정렬을수행하도록상기기판변형함수에 대한값을적용하도록구성되는, 리소그래피장치가기술된다.
Abstract translation: 1。一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束; 其中图案形成装置配置为支撑图案形成装置，图案形成装置将图案赋予辐射束的横截面以形成图案化的辐射束; 衬底台，被构造为保持衬底; 和图案化的辐射束并且被配置为投射在衬底上，所述光刻设备的目标部分，用于一个或多个存在于基板上的对准标记的投影系统， - 多个每个不同的对准测量的参数的 通过相对于执行多个对准标记的位置测量的以该对准标记，还包括：用于获取多个用于对准标记测量的对准标记位置的对准系统应用，所述光刻设备进一步的处理单元 并且，对于多个对准标记位置测量中的每一个，确定作为预期对准标记位置和测量对准标记位置之间的差异的位置偏差， 基于对准标记位置测量确定; - 定义一组功能作为所述位置偏差的可能原因，所述一组功能包括至少一个代表所述衬底的变形的标记变形函数和所述至少一个对准标记的变形 - ; - 生成矩阵方程PD = M * F，并且包括所述位置偏差的矢量PD由包括所述衬底失真函数和至少一个标记失真函数的矢量F的权重系数矩阵M表征， 与至少一个标记变形函数相关联的权重系数根据所应用的对准测量而变化; - 确定所述矩阵M的加权因子的值; 通过确定矩阵M或矩阵的伪逆来获得用于衬底变形函数的值作为位置偏差的加权组合; 光刻设备被配置为施加用于衬底变形函数的值以执行图案化的辐射束与目标部分的对准。
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公开(公告)号：KR20180006973A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：KR20177036104
申请日：2016-05-27
Applicant: ASML NETHERLANDS BV
Inventor： SCHMITT WEAVER EMIL PETER , STAECKER JENS , SCHREEL KOENRAAD REMI ANDRE MARIA , WERKMAN ROY
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F7/705
Abstract: 제 1 기판(2002)은리소그래피장치에의해복수의제 1 필드(2004)에가해지는교정패턴을갖는다. 추가기판(2006, 2010)은복수의추가필드(2008, 2012)에가해지는교정패턴을갖는다. 복수의다른필드는다른크기및/또는형상및/또는위치를갖는다. 교정측정은패터닝된기판(2002, 2006, 2010)에대해수행되고, 다음기판에제품패턴을가할때 장치를제어하는데에사용되는교정을얻기위해사용된다. 2개이상의다른치수를갖는필드(2004, 2008, 2012)에서장치의성능을나타내는측정데이p타는데이타베이스(2013)에함께수집되고, 새로운크기에대해장치를교정하는데에필요한정보를합성하기위해사용된다. 교정데이타는다른스캔및 스텝방향에대해서도얻어진다.
Abstract translation: 第一衬底2002具有通过光刻设备应用于多个第一场2004的校准图案。 其他基板2006和2010的校准模式应用于垃圾数量的附加字段2008和2012。 多个不同的区域具有不同的尺寸和/或形状和/或位置。 在图案化衬底2002,2006,2010上执行校准测量并且用于在将产品图案施加到下一个衬底时获得用于控制装置的校准。 具有不同尺寸的字段的至少两个（2004，2008，2012）被一起收集在测量代表该装置的性能数据p乘坐一个数据库（2013），为了合成他们需要的设备校准到新的尺寸的信息 被使用。 校准数据也可以获得不同的扫描和步进方向。
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