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公开(公告)号：KR1020040010228A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020030048690
申请日：2003-07-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/30
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192
Abstract: PURPOSE: To provide a plasma processing apparatus that can highly efficiently generate high-density plasma, even when the apparatus processes an object to be processed has a large area. CONSTITUTION: In this plasma processing apparatus, which generates plasma by supplying a microwave into a processing chamber and processes the object based on the plasma, at least one antenna which is passed through the sidewall or top board of the processing chamber is arranged on the sidewall or top board. The top board can be constituted of a metal- or silicon-based material.
Abstract translation: 目的：提供能够高效率地生成高密度等离子体的等离子体处理装置，即使设备处理对象物的面积大。 构成：在该等离子体处理装置中，其通过将微波提供到处理室中并基于等离子体处理物体而产生等离子体，在侧壁上布置有穿过处理室的侧壁或顶板的至少一个天线 或顶板。 顶板可以由金属或硅基材料构成。
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公开(公告)号：KR1020040007301A
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1020030046711
申请日：2003-07-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/16
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/507 , H01J37/32091
Abstract: PURPOSE: To prevent the contamination by ion attack of plasma to a diaphragm by which an antenna is arranged on the atmosphere side, in a plasma processing apparatus. CONSTITUTION: The diaphragm 7 for separating the induction antenna 5 and a vacuum treatment chamber 1 consists of a non-magnetic metal plate 71 and a dielectric 72, with the non-magnetic metal plate 71 dominating a larger area than the dielectric 72. The dielectric 72 is formed linearly so as to cross at right angles with the induction antenna 5, to prevent the occurrence of an eddy current induced by the metal plate 71. The vacuum treatment chamber is equipped with a plasma ignition means 9 for stable plasma ignition.
Abstract translation: 目的：为了防止在等离子体处理装置中等离子体的离子侵入对大气侧配置天线的隔膜的污染。 构成：用于分离感应天线5和真空处理室1的隔膜7由非磁性金属板71和电介质72组成，非磁性金属板71占据比电介质72更大的面积。电介质 72形成为与感应天线5成直角交叉形成，以防止由金属板71引起的涡流的产生。真空处理室配备有用于稳定等离子体点火的等离子体点火装置9。
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公开(公告)号：KR1020150117227A
公开(公告)日：2015-10-19
申请号：KR1020150050226
申请日：2015-04-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 다카바히로유키 , 니시즈카데츠야 , 마츠모토나오키 , 아이타미치타카 , 미나카와다카시 , 다카하시가즈키 , 요시카와준 , 후쿠도메모토시 , 미하라나오키 , 곤도히로유키
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/3222
Abstract: [과제] 피처리체상에서의가스의체류를억제하는플라즈마처리장치를제공한다. [해결수단] 플라즈마처리장치는, 처리용기, 배치대, 중앙도입부및 주변도입부를갖고있다. 중앙도입부는, 배치대의상측에설치되어있으며, 배치대의중심을지나는축선을따라서상기배치대를향해가스를도입한다. 주변도입부는, 높이방향에서, 중앙도입부와배치대의상면의사이에설치되어있다. 또한, 주변도입부는측벽을따라서형성되어있다. 주변도입부는, 축선에대하여둘레방향으로배열된복수의가스토출구를제공하고있다. 주변도입부의복수의가스토출구는, 축선에근접함에따라서배치대로부터멀어지도록뻗어있다.
Abstract translation: [主题]提供一种等离子体处理装置，其抑制加工对象上的气体停留。 [等离子体处理装置]包括处理容器，排列台，中央导入部以及周围的引导部。 中心引导部分安装在排列台的上部，并将气体沿着与排列台的中心相交的轴线与排列台一起引入。 周围引导部分在高度方向上安装在中心引入部分和布置台的上部之间。 此外，周围的引入部分与侧壁一起形成。 周围引入部分沿着轴线的周向设置多个排气孔。 随着排气孔越靠近轴线，周围导入部分的气体排放孔越靠近布置台。
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公开(公告)号：KR1020150064693A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020140170638
申请日：2014-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01P1/08
Abstract: (과제) 플라즈마의면 내균일성을개선가능한유전체창, 안테나및 플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 이유전체창(16)의한쪽면측에는슬롯판(20)이배치된다. 유전체창(16)의다른쪽 면은, 고리형상의제 1 오목부(147)에둘러싸인평탄면과, 제 1 오목부(147)의저면에형성된복수의제 2 오목부(153)(153a~153g)를구비하고있다. 본발명의안테나는, 유전체창(16)과, 유전체창(16)의한쪽면에마련된슬롯판(20)을구비하고있고, 이것은플라즈마처리장치에적용할수 있다.
Abstract translation: 提供能够改善等离子体表面的均匀性的电介质窗，天线和等离子体处理装置。 插槽板（20）布置在电介质窗（16）的一侧。 由形成在第一凹部（147）的下侧的环状的第一凹部（147）和形成在第一凹部（147）的下侧的多个第二凹部（153,153a-153g）包围的平面形成在 电介质窗（16）。 根据本发明的天线包括形成在电介质窗（16）的一侧上并被施加到等离子体处理装置的电介质窗（16）和槽板（20）。
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公开(公告)号：KR101490628B1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020130130260
申请日：2013-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32678
Abstract: 본 발명은 인가하는 자기장을 적정화함으로써, 플라즈마를 균일하게 생성하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 처리실과, 고주파 전력을 출력하는 발진기와, 상기 고주파 전력을 특정 플라즈마 생성 위치로부터 상기 처리실의 내부에 공급하는 전력 공급 수단과, 상기 처리실의 외부에 마련되고, 적어도 상기 특정 플라즈마 생성 위치에 자기장을 형성하는 자기장 형성 수단과, 상기 처리실의 내부에서 생성된 플라즈마의 전자 충돌 주파수(fe) 및 사이클로트론 주파수(fc)가 fc>fe가 되도록 상기 자기장 형성 수단에 의해 형성되는 상기 자기장을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.Abstract translation: 本公开提供了一种等离子体处理装置，包括：处理室; 配置为输出高频电力的振荡器; 电源单元，被配置为将来自特定等离子体产生位置的高频电力提供给所述处理室; 磁场形成单元，其设置在所述处理室的外部，并且被配置为至少在所述特定等离子体产生位置处形成磁场; 以及控制单元，被配置为控制由所述磁场形成单元形成的磁场，使得在所述处理室中产生的等离子体的电子碰撞频率fe与回旋加速器频率fc之间的关系为fc> fe。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101436380B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020130116247
申请日：2013-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
Abstract: 피처리 기체의 중앙 부분의 처리 속도를 저감시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 일 실시예의 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 가스 공급부, 마이크로파 발생기, 안테나, 동축 도파관, 보지부, 유전체창 및 유전체제의 원판을 구비하고 있다. 가스 공급부는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급한다. 마이크로파 발생기는 마이크로파를 발생한다. 안테나는 플라즈마 여기용의 마이크로파를 처리 용기 내로 도입한다. 동축 도파관은 마이크로파 발생기와 안테나의 사이에 설치되어 있다. 보지부는 피처리 기체를 보지하는 것이며, 동축 도파관의 중심축선이 연장되는 방향에서 안테나와 대향 배치되어 있다. 유전체창은 안테나와 보지부의 사이에 설치되어 있고, 안테나로부터의 마이크로파를 처리 용기 내에 투과한다. 유전체제의 원판은 보지부와 유전체창의 사이의 영역에서 동축 도파관의 중심축선에 교차하는 면을 따라 설치되어 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够降低被处理基板的中央部的处理速度的等离子体处理装置。 的等离子体处理装置的一个实施例设置有一个处理容器，气体供给部，微波发生器，天线，同轴波导管的原板，保持部，电介质窗口和电介质。 气体供应单元将处理气体供应到处理容器中。 微波发生器产生微波。 天线将等离子体激发微波引入处理容器。 同轴波导安装在微波发生器和天线之间。 保持部保持目标气体，并且在同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与天线相对地设置。 电介质窗口设置在天线和保持部分之间，并将微波从天线传输到处理容器中。 介质系统的盘沿着与保护和介电窗口之间的区域中的同轴波导的中心轴相交的平面定位。
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公开(公告)号：KR1020140103844A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020140014743
申请日：2014-02-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238
Abstract: A plasma processing apparatus of one embodiment includes a process chamber which divides a process space, a batch unit, and an antenna for microwave introduction. The batch unit has a batch region for batching an object received in the process chamber. The antenna has a dielectric window installed on the batch unit. The dielectric window has a lower surface region which touches the process space. The lower surface region has a ring shape to limit a region for receiving a surface wave in the upper region of the edge of the batch region.
Abstract translation: 一个实施例的等离子体处理装置包括分隔处理空间的处理室，批量单元和用于微波引入的天线。 批量单元具有用于对在处理室中接收的物体进行批处理的批处理区域。 天线具有安装在批量单元上的电介质窗口。 电介质窗口具有接触处理空间的下表面区域。 下表面区域具有环状，以限制在批间隔区域的边缘的上部区域中接收表面波的区域。
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公开(公告)号：KR1020140058350A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020130130260
申请日：2013-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32678
Abstract: An objective of the present invention is to optimize a magnetic field that is applied to uniformly generate plasma. The present invention provides a plasma treatment apparatus including a treatment chamber; an oscillator for outputting high-frequency power; a power supply unit for supplying the high-frequency power from a specific plasma generation position to the inside of the treatment chamber; a magnetic field generating unit provided outside the treatment chamber to generate a magnetic field at the specific plasma generation position; and a control unit for controlling the magnetic field formed by the magnetic field generating unit so that an electron collision frequency (fe) of the plasma generated from the inside of the treatment chamber and a cyclone frequency (fc) satisfy a condition of fc>fe.
Abstract translation: 本发明的目的是优化用于均匀产生等离子体的磁场。 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括处理室; 用于输出高频电源的振荡器; 电源单元，用于将来自特定等离子体产生位置的高频电力提供到处理室的内部; 设置在处理室外部的磁场产生单元，以在特定等离子体产生位置产生磁场; 以及控制单元，用于控制由磁场产生单元形成的磁场，使得从处理室的内部产生的等离子体的电子碰撞频率（fe）和旋风频率（fc）满足fc> fe的条件 。
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公开(公告)号：KR1020130114064A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：KR1020130116247
申请日：2013-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
Abstract: PURPOSE: A plasma processor is provided to reduce the processing speed of the center area in processed gas. CONSTITUTION: A plasmas processor (10) comprises a processing vessel (12), a gas supply unit (14), a micro wave generator (6), an antenna (18), a coaxial wave guide (20), a holding unit (22), and a dielectric window (24). The gas supply unit supplies processed gas to the processing vessel. The microwave generator generates a microwave. The antenna supplies the microwave for enhancing plasma to the processing vessel. The coaxial waveguide is installed between the microwave generator and the antenna. The holding unit faces to the antenna in a direction in which the center shaft line of the coaxial wave guide. The dielectric window is installed between the antenna and the holding unit and radiates the microwave from the antenna to the processing vessel. [Reference numerals] (AA,BB) Gas
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理器以降低处理气体中心区域的处理速度。 等离子体处理器（10）包括处理容器（12），气体供应单元（14），微波发生器（6），天线（18），同轴波导（20），保持单元 22）和电介质窗（24）。 气体供应单元向处理容器供应经处理的气体。 微波发生器产生微波。 天线为微波提供加强等离子体到处理容器。 同轴波导安装在微波发生器和天线之间。 保持单元沿着同轴波导管的中心轴线的方向面向天线。 电介质窗安装在天线和保持单元之间，并将微波从天线辐射到处理容器。 （附图标记）（AA，BB）气体
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公开(公告)号：KR101270285B1
公开(公告)日：2013-05-31
申请号：KR1020127021941
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본발명에따르면, 상부전극(34) 및하부전극(16) 사이에처리가스인플라즈마를생성하여웨이퍼(W)에플라즈마에칭을실시하는플라즈마에칭장치로서, 상부전극(34)에, 그표면에대한적절한스퍼터효과를얻을수 있는정도로그 표면의자기바이어스전압 V의절대값이커지고, 또한상부전극(34)에있어서의플라즈마시스의두께가, 소망하는축소화플라즈마가형성되는정도로두껍게되도록하는직류전압을인가하는가변직류전원(50)을더 구비한다.
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