公开(公告)号：DE102016122217B4

公开(公告)日：2021-10-14

申请号：DE102016122217

申请日：2016-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  MODER IRIS ,  MURI INGO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren, das Folgendes umfasst:Bereitstellen eines Substrats (102), das eine erste Seite (102a) und eine zweite Seite (102b) gegenüber der ersten Seite (102a) aufweist,Ausbilden einer vergrabenen Schicht (104) in dem Substrat (102) durch Verarbeiten der ersten Seite des Substrats (102a), undDünnen des Substrats (102) von der zweiten Seite des Substrats (102b) her, wobei die vergrabene Schicht (104) eine feste Verbindung umfasst, die eine größere Beständigkeit gegen das Dünnen aufweist als das Substrat (102), und wobei das Dünnen an der vergrabenen Schicht (104) stoppt,wobei das Ausbilden der vergrabenen Schicht (504) in dem Substrat (102) Folgendes umfasst:Ausbilden mehrerer Gräben (704) in dem Substrat (102);Einarbeiten eines chemischen Elements, das eine höhere Elektronegativität aufweist als das Substrat (102), durch die mehreren Gräben (704) hindurch in das Substrat (102); undAusfüllen der mehreren Gräben (704),wobei das Ausfüllen der mehreren Gräben (704) das partielle Schmelzen des Substrats (102) durch Erwärmen mindestens der ersten Seite des Substrats (102a) umfasst.

公开(公告)号：DE102017124872B4

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：DE102017124872

申请日：2017-10-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINA MARKUS ,  DAINESE MATTEO ,  JÄGER CHRISTIAN ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  VELLEI ANTONIO

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/266 ,  H01L29/739

Abstract: Verfahren (2) zur Bearbeitung einer Leistungshalbleiter-Vorrichtung (1), umfassend:- Vorsehen eines Halbleiterkörpers (10) mit einem Drift-Gebiet (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp;- Erzeugen (20) einer Vielzahl von Gräben (14, 15, 16), wobei sich die Gräben (14, 15, 16) in den Halbleiterkörper (10) entlang einer vertikalen Richtung (Z) erstrecken und einander benachbart entlang einer ersten lateralen Richtung (X) angeordnet sind;- Vorsehen (22) einer Maskenanordnung (30) auf dem Halbleiterkörper (10), wobei die Maskenanordnung (30) eine laterale Struktur (301) aufweist, gemäß der einige der Gräben (14, 15, 16) freigelegt sind und mindestens einer der Gräben (14, 15, 16) von der Maskenanordnung (30) bedeckt ist;- Aussetzen (24) des Halbleiterkörpers (10) und der Maskenanordnung (30) einem Schritt zum Bereitstellen eines Dotierungsmaterials, wodurch, unter Böden der freiliegenden Gräben (14, 15, 16), eine Vielzahl von Dotierungsgebieten (1059) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, der zu dem ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist, erzeugt wird;- Entfernen (26) der Maskenanordnung (30); - Aussetzen (28) des Halbleiterkörpers (10) einem Temperaturausheilschritt, wodurch bewirkt wird, dass sich die Vielzahl von Dotierungsgebieten (1059) parallel zu der ersten lateralen Richtung (X) derart erstreckt, dass die Dotierungsgebiete (1059) miteinander überlappen und ein Barrierengebiet (105) von dem zweiten Leitfähigkeitstyp benachbart den Böden der freiliegenden Gräben (14, 15, 16) bilden; wobei das Verfahren (2) weiter umfasst:- Bilden der Gräben (14, 15, 16) als:- mindestens einen Steuergraben (14), der eine Steuerelektrode (141) aufweist; und- mindestens einen Dummy-Graben (15), der eine Dummy-Elektrode (151) aufweist;- Bilden, in dem Halbleiterkörper (10) und zwischen den Gräben (14, 15, 16)- mindestens einer aktiven Mesa (18), die benachbart dem mindestens einen Steuergraben (14) angeordnet ist, wobei die Steuerelektrode (141) ausgelegt ist, ein Steuersignal zu empfangen und einen Laststrom in der aktiven Mesa (18) zu steuern; und- mindestens einer inaktiven Mesa (19), die benachbart dem mindestens einen Dummy-Graben (15) angeordnet ist; wobei das Barrierengebiet (105) derart erzeugt wird, dass es lateral mit der mindestens einen inaktiven Mesa (19) überlappt.

公开(公告)号：DE102019208373A1

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE102019208373

申请日：2019-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  JANSKI RAFAEL ,  KIRILLOV BORIS ,  OLDSEN MARTEN ,  ROESSLER CLEMENS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  SORSCHAG KURT

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Mikroelektromechanisches-System-, MEMS-, Bauelements wird ein MEMS-Substrat mit einem beweglichen Element bereitgestellt. Ein Glasabdeckbauteil mit einer Glasabdeckung wird durch Heiß-Prägen gebildet. Das Glasabdeckbauteil ist an das MEMS-Substrat gebunden, um so durch die Glasabdeckung eine Kavität, in der das bewegliche Element angeordnet ist, hermetisch abzudichten.

公开(公告)号：DE102018130385A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102018130385

申请日：2018-11-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC THOMAS RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  MODER IRIS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/49

Abstract: Ein Siliziumcarbid-Bauelement umfasst ein Siliziumcarbid-Substrat, umfassend eine Body-Region und eine Source-Region einer Transistorzelle. Ferner umfasst das Siliziumcarbid-Bauelement eine Titancarbid-Gate-Elektrode der Transistorzelle.

公开(公告)号：DE102018128748A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102018128748

申请日：2018-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  MISCHITZ MARTIN ,  THION FABIEN ,  OTTO FREDERIK ,  CRAES FABIAN ,  EICHINGER BARBARA

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die eine Pastenschicht umfasst, umfassend das Anbringen eines Substrats an einem Träger, wobei das Substrat eine Vielzahl von Halbleiterdies umfasst, das Aufbringen einer Schicht aus einer Paste auf das Substrat, das Strukturieren der Schicht über den Schneidbereichen des Substrats und das Schneiden des Substrats entlang der Schneidbereiche.

公开(公告)号：DE102014223315B4

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102014223315

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  HILLE FRANK ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiterbauelement (1), umfassend eine Diffusionsbarrierenschicht (11), eine erste Halbleiterregion (12) mit ersten Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine eine Driftregion ausbildende zweite Halbleiterregion (13) mit zweiten Ladungsträgern; wobei die erste Halbleiterregion (12) beinhaltet:- eine Übergangsregion (123), die in Kontakt steht mit der zweiten Halbleiterregion (13), wobei die Übergangsregion (123) eine erste Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist;- eine Kontaktregion (121), die in Kontakt steht mit der Diffusionsbarrierenschicht (11), wobei die Kontaktregion (121) eine zweite Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist, die größer ist als die erste Konzentration;- eine Schädigungsregion (122), die zwischen der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123) angeordnet ist, wobei die Schädigungsregion (122) ausgebildet ist zum Reduzieren der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Schädigungsregion (122) im Vergleich zu der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123), und wobei sich die Schädigungsregion (122) entlang einer Richtung eines Flusses eines von dem Halbleiterbauelement (1) geführten Laststroms tiefer in die erste Halbleiterregion (12) erstreckt als die Kontaktregion (121), und wobei sich die Übergangsregion (123) tiefer in die erste Halbleiterregion (12) erstreckt als die Schädigungsregion (122).

公开(公告)号：DE102014114517B4

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：DE102014114517

申请日：2014-10-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GASSER KARL-HEINZ ,  MEYER KARL ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  WOEHLERT STEFAN ,  YEDURU SRINIVASA REDDY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/58

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers (102), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Entfernen von Wafermaterial von einem Innenabschnitt des Wafers (102), um eine Struktur an einem Randbereich des Wafers (102) auszubilden um den Innenabschnitt (206) des Wafers (102) mindestens teilweise zu umgeben; Drucken von Material (508) in den Innenabschnitt (206) des Wafers (102) unter Verwendung der Struktur als eine Druckmaske, wobei die Struktur die Dicke einer gedruckten Schicht bestimmt; Entfernen der Struktur nach dem Drucken des Druckmaterials (508) in den Innenabschnitt (206) des Wafers (102); und Vereinzeln des Wafers (102), um einen oder mehrere vereinzelte, mit dem Druckmaterial beschichtete Chips zu erhalten.

公开(公告)号：DE102016109349A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109349

申请日：2016-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL ,  KANERT WERNER ,  RUEHLE BRIGITTE ,  GATTERBAUER JOHANN ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  VELLEI ANTONIO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  HILLE FRANK

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Chipgehäuse bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann einen Chip, eine Metallkontaktstruktur, die ein Nicht-Edelmetall aufweist und den Chip elektrisch kontaktiert, ein Packagingmaterial und eine Schutzschicht, die einen Abschnitt, der an einer Schnittstelle zwischen einem Abschnitt der Metallkontaktstruktur und dem Packagingmaterial gebildet ist, aufweist oder im Wesentlichen aus ihm besteht, aufweisen, wobei die Schutzschicht ein Edelmetall aufweisen kann, wobei der Abschnitt der Schutzschicht eine Mehrzahl von Bereichen aufweisen kann, die frei von dem Edelmetall sind, und wobei die Bereiche, die frei von dem Edelmetall sind, eine Schnittstelle zwischen dem Packagingmaterial und dem Nicht-Edelmetall der Metallkontaktstruktur bereitstellen können.

公开(公告)号：DE102015112648A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102015112648

申请日：2015-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  LEHNERT WOLFGANG ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/673

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und eine Waferstruktur werden bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Befestigen eines Donor-Wafers (10), der Siliciumcarbid aufweist, an einem Trägerwafer (20), der Graphit aufweist, Abspalten des Donor-Wafers (10) entlang einer inneren Delaminierungsschicht (13), sodass eine abgespaltene Schicht (1), die Siliciumcarbid aufweist und an dem Trägerwafer (20) befestigt ist, gebildet wird, Entfernen des Trägerwafers (20) über einem inneren Abschnitt der abgespaltenen Schicht (1), während ein Restabschnitt (20') des Trägerwafers (20) an der abgespaltenen Schicht (1) befestigt bleibt, um einen teilweise gestützten Wafer (100, 200) zu bilden, und Weiterbearbeiten des teilweise gestützten Wafers (100, 200).

公开(公告)号：DE102014223315A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014223315

申请日：2014-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  HILLE FRANK ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (1) wird vorgeschlagen. Das Halbleiterbauelement umfasst eine Diffusionsbarrierenschicht (11), eine erste Halbleiterregion (12) mit ersten Ladungsträgern eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterregion (13) mit zweiten Ladungsträgern. Die erste Halbleiterregion (12) beinhaltet eine Übergangsregion (123), die in Kontakt steht mit der zweiten Halbleiterregion (13), wobei die Übergangsregion (123) eine erste Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist; eine Kontaktregion (121), die in Kontakt steht mit der Diffusionsbarrierenschicht (11), wobei die Kontaktregion (121) eine zweite Konzentration der ersten Ladungsträger aufweist, die größer ist als die erste Konzentration; eine Schädigungsregion (122), die zwischen der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123) angeordnet ist, wobei die Schädigungsregion (122) ausgebildet ist zum Reduzieren der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Schädigungsregion (122) im Vergleich zu der Lebensdauer und/oder der Beweglichkeit der ersten Ladungsträger der Kontaktregion (121) und der Übergangsregion (123).