公开(公告)号：KR1020120009516A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR101094976B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020090009977

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  사사키마사루 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  타카하시신고

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/30 ,  H05H1/24

Abstract: 유전체와 슬롯과의 위치 관계를 규정하고, 재질에 따른 천판의 최적의 형상을 규정함으로써, 플라즈마 발화성 및 발화 안정성이 보다 우수한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치(11)는, 상부 개구를 갖는 처리 용기(12)와, 하면에 두께 치수가 연속적으로 변화되도록 기울어진 경사면(16a, 16b)을 갖고, 처리 용기(12)의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치되는 유전체(15)와, 유전체(15)의 상면에 배치되고, 유전체(15)에 마이크로파를 공급하여 유전체(15)의 하면에 플라즈마를 발생시키는 안테나(24)를 구비한다. 그리고, 안테나(24)는 경사면(16a, 16b)의 수직 상방에 위치하는 복수의 슬롯(25)을 갖는다. 또한, 플라즈마 처리 장치(11)는, 상부 개구를 갖는 처리 용기(12)와, 하면에 링 형상의 홈(16)을 갖고, 처리 용기(12)의 상부 개구를 폐쇄하도록 배치되는 유전체(15)와, 유전체(15)에 마이크로파를 공급하고, 유전체(15)의 하면에 플라즈마를 발생시키는 안테나(24)를 구비한다. 그리고, 광속을 c, 마이크로파의 주파수를 f, 유전체(15)를 구성하는 재료의 비유전율을 εr로 하면, 홈의 홈 폭(w)은 [수식 1]을 충족시킨다.
[수식 1]

公开(公告)号：KR100926380B1

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：KR1020070030756

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  하야카와요시노부 ,  하나오카히데토시 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: 본 발명의 과제는 2주파 중첩 인가 방식의 용량 결합형에 있어서, 다른쪽의 대향 전극에 원하지 않는 막이 형성되는 것을 완전히 방지 내지 억제하면서, 플라즈마 밀도가 공간적인 분포 특성을 임의로 제어하는 것이다.
본 발명에 따르면, 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되고, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 제1 고주파가 인가되며, 고주파 전원(70)으로부터 이온인입용의 제2 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 위쪽에 이것과 평행하게 대향해서 배치되는 상부 전극(34)은 챔버(10)에 링형상의 절연체(35)를 거쳐서 부착되어 있다. 상부 전극(34)은 봉형상의 인덕터(54) 및 도선(56)을 거쳐서 접지 전위에(통상은 챔버(10)에) 접속되어 있다.

Abstract translation: 在本发明的目的是电容耦合型的双频率叠加应用方法，和完全防止，抑制不希望的膜形成在在另一侧的对置电极，任意地控制等离子体密度的空间分布特性。

公开(公告)号：KR1020090092250A

公开(公告)日：2009-08-31

申请号：KR1020090016156

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  니시즈카테츠야 ,  사사키마사루

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: A plasma processing apparatus and a method thereof are provided to improve plasma ignition by selecting a gap between a holder and a dielectric plate as a first gap. A plasma process about a semiconductor substrate is performed inside a processing vessel(12). A reaction gas supply part supplies a reaction gas for the plasma process to an inner part of the processing vessel. A holder(14) of a disc shape is arranged inside the process vessel. The semiconductor substrate is held on the holder. A microwave generator(15) generates a microwave for exciting plasma. A dielectric plate(16) is faced with the holder, and introduces the microwave to an inner part of the process vessel. A control part(20) changes a gap between the holder and the dielectric plate into a first gap, and operates a plasma ignition unit.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置及其方法，用于通过选择保持器和电介质板之间的间隙作为第一间隙来改善等离子体点火。 在处理容器（12）内执行关于半导体衬底的等离子体工艺。 反应气体供给部将等离子体处理用反应气体供给到处理容器的内部。 盘形的保持器（14）布置在处理容器内。 半导体衬底保持在保持器上。 微波发生器（15）产生用于激发等离子体的微波。 电介质板（16）面对保持器，并将微波引入到处理容器的内部。 控制部件（20）将保持器和电介质板之间的间隙改变为第一间隙，并操作等离子体点火单元。

公开(公告)号：KR1020070098588A

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020070030133

申请日：2007-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고시미즈치시오 ,  이와타마나부 ,  다나카사토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935

Abstract: An apparatus for processing plasma and a method for processing the plasma are provided to maintain the uniformity of a process stably even when the change of elapsed time is generated by repeating the collection of a plasma process. A method for processing plasma includes the steps of: attaching a first electrode to a processing container(10) through an insulator(52) or a space; electrically connecting the first electrode to a ground electric potential through a capacitance variable unit of capacitance variableness; and converting the capacitance of the capacitance variable unit according to a process condition of a plasma process performed on a substrate.

Abstract translation: 提供一种用于处理等离子体的装置和处理等离子体的方法，即使当通过重复收集等离子体处理而产生经过时间的改变时，也能够保持工艺的均匀性。 一种用于处理等离子体的方法包括以下步骤：通过绝缘体（52）或空间将第一电极附接到处理容器（10）; 通过电容变化的电容可变单元将第一电极电连接到地电位; 以及根据在衬底上执行的等离子体处理的处理条件来转换电容可变单元的电容。

公开(公告)号：KR1020070022781A

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020067026949

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR100586386B1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020040028211

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  마츠도다츠오 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/68 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명의 플라즈마 전자 밀도 측정장치는 저전자 밀도 조건이나 고압력 조건하에서도 플라즈마중의 전자 밀도를 정확하게 측정한다.
이 플라즈마 전자 밀도 측정장치는, 측정부(54)에 벡터식의 네트워크 분석기(68)를 구비한다. 이 네트워크 분석기(68)에 의해 복소수 표시의 반사계수를 측정하여, 그 허수부의 주파수 특성을 취득하고, 계측 제어부(74)에 있어서 복소반사계수의 허수부가 제로 크로스하는 포인트의 공진 주파수를 판독하여, 공진 주파수로부터 전자 밀도의 측정값을 산출한다.

公开(公告)号：KR102109226B1

公开(公告)日：2020-05-11

申请号：KR1020157006043

申请日：2013-09-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  도미타유고 ,  미하라나오키 ,  다카하시가즈키 ,  아이타미치타카 ,  요시카와준 ,  센다다카히로 ,  사토요시야스 ,  가토가즈유키 ,  스도우겐지 ,  미즈스기히토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR101772723B1

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：KR1020127034251

申请日：2011-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와와타루 ,  세오야스히로 ,  가토가즈유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136

Abstract: 공통가스원(41)로부터공급되는공통가스를플로우스플리터(44)에의해 2계통으로분기시키고, 2계통으로분기된공통가스를처리용기(2)의유전체창(16)의중앙에마련되는중앙도입구(58)(55), 및기판(W)의상방에둘레방향으로배열되는복수의주변도입구(62)에도입한다. 2계통으로분기시킨공통가스의어느한쪽에첨가가스를첨가한다. 처리용기(2)내에도입된공통가스및 첨가가스를기판(W)의하방의배기구(11a)로부터배기하고, 처리용기(2)내를소정의압력으로감압한다. 다수의슬롯(21)을갖는슬롯안테나(20)를이용하여처리용기(2)내에마이크로파를도입하고, 복수의주변도입구(62)가마련되는영역의전자온도를중앙도입구(58)(55)가마련되는영역의전자온도보다낮게한다.

公开(公告)号：KR101687566B1

公开(公告)日：2016-12-19

申请号：KR1020100117013

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  마츠모토나오키 ,  이와사키마사히데 ,  오쿠니시나오히코

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H05H1/46

Abstract: 처리용기내의고주파전극그 외의전기적부재로부터급전라인또는신호선등의선로상에들어오는고주파노이즈에대하여병렬공진주파수를임의로조정할수 있도록하여, 상이한주파수의고주파노이즈를모두효율적으로안정되고확실하게차단한다. 필터(102(1))는, 통형상의외도체(110) 내에코일(104(1))을동축에수용하고, 코일(104(1))과외도체(110) 간에링 부재(122)를동축에설치한다. 링부재(122)는, 바람직하게는외도체(110)의축방향과직교하는평면상에원환형상으로연장되는판체로서구성되고, 바람직하게는구리, 알루미늄등의도체로이루어지고, 외도체(110)에전기적으로접속되고코일(104(1))과는전기적으로절연되어있다.

Abstract translation: 可以调节并联谐振频率，以便稳定且可靠地阻止流入来自包括处理室内的高频电极的电气部件的馈电线或信号线的线路的不同高频噪声。 过滤器102（1）在圆柱形外部导体110内同轴地容纳线圈104（1），并且环形构件122同轴地安装在线圈104（1）和外部导体110之间。环形构件122可以是 在与外导体110的轴向正交的平面上并且由诸如铜或铝的导体制成并且与外导体110电连接并且与线圈104（1）电绝缘的平板体。