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公开(公告)号：CN100580869C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710104506.7
申请日：2007-05-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05568 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和半导体装置的制备方法。该基板处理方法包括步骤：将被处理基板的一侧表面接合到支撑基板；在被处理基板被支撑基板支撑的状态下处理被处理基板；以及从被处理基板除去支撑基板。将被处理基板接合到支撑基板的步骤包括熔化形成在被处理基板上以接合被处理基板到支撑基板的接合凸点，以及从被处理基板除去支撑基板的步骤包括抛光支撑基板以除去支撑基板。
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公开(公告)号：CN101266991B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810085095.6
申请日：2008-03-17
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L31/0224 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底，其具有彼此相对的第一及第二表面，所述第一表面是设置有电子元件的有源表面；衬垫电极，形成于所述有源表面上的所述电子元件的周边部分中，并与所述电子元件连接；第一开口，其从所述半导体衬底的所述第二表面向所述衬垫电极延伸并且不到达所述所述半导体衬底的所述第一表面；第二开口，被形成为从所述第一开口的底表面到达所述衬垫电极，其具有比所述第一开口更小的直径；绝缘层，被形成为覆盖所述第一开口及所述第二开口的侧壁表面；以及导电层，其形成在所述绝缘层的内侧，以至少覆盖所述绝缘层的内壁表面以及所述第二开口的底表面。
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公开(公告)号：CN101308845B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810100204.7
申请日：2008-05-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/146 , H01L23/482 , H01L23/367 , H01L21/822 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/3677 , H01L23/481 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10158 , H01L2924/16235 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，具有形成在有源表面上的第一电子电路和第二电子电路；焊盘电极，通过连接到第一电子电路和/或第二电子电路形成在有源表面上；第一开口，从半导体基板的与有源表面的相反侧的表面朝着焊盘电极沿着半导体基板的深度形成到某一位置；第二开口，形成为从第一开口的底部表面到达焊盘电极；绝缘层，通过覆盖第一开口和第二开口的侧壁表面形成；传导层，通过至少覆盖绝缘层的内壁表面和第二开口的底部表面而形成；第三开口，从半导体基板的与有源表面相反侧的表面沿着半导体基板的深度形成到某一位置；以及热绝缘体，嵌镶在第三开口中。
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公开(公告)号：CN100452342C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN03818345.5
申请日：2003-06-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H05K1/187 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/49816 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/24 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/13 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/16237 , H01L2224/24227 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H05K3/205 , H05K3/386 , H05K3/4614 , H05K3/4617 , H05K2201/0394 , H05K2201/10674 , H05K2203/063 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49146 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 披露了一种用于制造具有内置器件的板的方法，能够在绝缘层上精确地形成精细间距的导电图形，同时能够保证导电图形的尺寸稳定性，并且能够将转印薄片彻底去除。转印薄片(61)包括金属基底层(62)和将被溶解的金属层(64)。通过电镀在将被溶解的金属层(64)上形成导电图形(55)。在将具有形成的导电图形(55)的转印薄片(61)粘合到绝缘基底(51)上之后，通过将金属基底层(62)从将被溶解的金属层(64)上分离并且相对于导电图形(55)有选择地将将被溶解的金属层(64)溶解并去除的步骤，将转印薄片(61)去除。
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公开(公告)号：CN101266991A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810085095.6
申请日：2008-03-17
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L31/0224 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底，其具有彼此相对的第一及第二表面，所述第一表面是设置有电子元件的有源表面；衬垫电极，形成于所述有源表面上的所述电子元件的周边部分中，并与所述电子元件连接；第一开口，其从所述半导体衬底的所述第二表面向所述衬垫电极延伸并且不到达所述半导体衬底的所述第一表面；第二开口，被形成为从所述第一开口的底表面到达所述衬垫电极，其具有比所述第一开口更小的直径；绝缘层，被形成为覆盖所述第一开口及所述第二开口的侧壁表面；以及导电层，其形成在所述绝缘层的内侧，以至少覆盖所述绝缘层的内壁表面以及所述第二开口的底表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101742813B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910222812.X
申请日：2009-11-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H05K1/02 , H05K3/46 , H01L23/12 , H01L23/498 , H01L23/34
CPC classification number: H05K1/0203 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01078 , H01L2924/16195 , H01L2924/19105 , H05K1/117 , H05K2201/066 , H05K2201/09472 , H05K2201/09845 , H05K2201/10371 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明涉及安装板和半导体模块。安装板包括层压布线部分，所述层压布线部分包括以层压方式形成在基板的表面上的多个布线层，其中内布线层的一部分暴露于外面，该内布线层是多个布线层中除了最上面的布线层之外的任意布线层。
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公开(公告)号：CN100437959C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610121481.7
申请日：2006-08-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H05K3/3436 , H01G2/065 , H01L21/563 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L2224/03505 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/73203 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2924/00015 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15313 , H01L2924/1579 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H05K1/111 , H05K3/3489 , H05K3/4007 , H05K2201/0367 , H05K2201/10674 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/1134
Abstract: 本发明公开了一种元件安装方法和安装了元件的主体。该方法配置成将键合表面上具有电极端子的表面安装电子元件安装在接线板上，该方法包括的步骤为：制备所述电子元件，所述电子元件具有覆盖电极端子的焊料层以及设于所述焊料层上并具有助熔剂功能的树脂层；制备接线板，所述接线板具有凸出导体，所述凸出导体形成于安装表面上并将被键合到所述电极端子；以及将所述电子元件安装到接线板上并执行焊料层回流，使得所述凸出导体穿透所述树脂层。
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公开(公告)号：CN101308845A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810100204.7
申请日：2008-05-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/146 , H01L23/482 , H01L23/367 , H01L21/822 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L21/76898 , H01L23/3677 , H01L23/481 , H01L31/0203 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10158 , H01L2924/16235 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，具有形成在有源表面上的第一电子电路和第二电子电路；焊盘电极，通过连接到第一电子电路和/或第二电子电路形成在有源表面上；第一开口，从半导体基板的与有源表面的相反侧的表面朝着焊盘电极沿着半导体基板的深度形成到某一位置；第二开口，形成为从第一开口的底部表面到达焊盘电极；绝缘层，通过覆盖第一开口和第二开口的侧壁表面形成；传导层，通过至少覆盖绝缘层的内壁表面和第二开口的底部表面而形成；第三开口，从半导体基板的与有源表面相反侧的表面沿着半导体基板的深度形成到某一位置；以及热绝缘体，嵌镶在第三开口中。
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公开(公告)号：CN101136383A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710182106.8
申请日：2007-06-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/12 , H01L2224/02126 , H01L2224/02255 , H01L2224/03019 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05082 , H01L2224/0555 , H01L2224/05552 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/10126 , H01L2224/1147 , H01L2224/11902 , H01L2224/13007 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种电子元件、使用其的半导体器件以及制造电子元件的方法。该电子元件具有在该其中形成暴露部分垫电极的开口的钝化层、形成于该垫电极和钝化层之上的下金属层、以及形成于下金属层上的隔离金属层用于外部连接电极，该电子元件还包括配置在开口外部或/和内部的隔离金属层下面的凹槽或/和突起，该下金属层形成在凹槽或/和突起上且具有与凹槽或/和突起相应的表面形状。
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公开(公告)号：CN101079372A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710104506.7
申请日：2007-05-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05568 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19043 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和半导体装置的制备方法。该基板处理方法包括步骤：将被处理基板的一侧表面接合到支撑基板；在被处理基板被支撑基板支撑的状态下处理被处理基板；以及从被处理基板除去支撑基板。将被处理基板接合到支撑基板的步骤包括熔化形成在被处理基板上以接合被处理基板到支撑基板的接合凸点，以及从被处理基板除去支撑基板的步骤包括抛光支撑基板以除去支撑基板。
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