101.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102008049777A1

    公开(公告)日:2009-11-26

    申请号:DE102008049777

    申请日:2008-09-30

    Abstract: An optoelectronic module includes a layer structure having a plurality of semiconductor layers including a substrate layer, a first layer arrangement and a second layer arrangement, wherein 1) the first layer arrangement has a light-emitting layer arranged on the substrate layer, 2) the second layer arrangement contains at least one circuit that controls an operating state of the light-emitting layer, and 3) the second layer arrangement is arranged on the substrate layer and/or surrounded by the substrate layer.

    104.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102007030129A1

    公开(公告)日:2009-01-02

    申请号:DE102007030129

    申请日:2007-06-29

    Abstract: A method for producing a plurality of optoelectronic devices is specified, comprising the following steps: providing a connection carrier assemblage having a plurality of device regions, wherein at least one electrical connection region is provided in each of the device regions, providing a semiconductor body carrier, on which a plurality of separate semiconductor bodies connected to the semiconductor body carrier are arranged, wherein the semiconductor bodies each have a semiconductor layer sequence having an active region, arranging the connection carrier assemblage and the semiconductor body carrier relative to one another in such a way that the semiconductor bodies face the device regions, mechanically connecting a plurality of semiconductor bodies to the connection carrier assemblage in a mounting region of a device region assigned to the respective semiconductor body, electrically conductively connecting the respective semiconductor body to the connection region of the device region assigned to the semiconductor body, and separating from the semiconductor body carrier the semiconductor bodies that are to be connected or are connected to the connection carrier assemblage, and dividing the connection carrier assemblage into a plurality of separate optoelectronic devices each having a connection carrier, which has the device region, and a semiconductor body arranged on the connection carrier and electrically conductively connected to the connection region.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND ANZEIGEVORRICHTUNG

    公开(公告)号:DE102017129226B4

    公开(公告)日:2024-09-26

    申请号:DE102017129226

    申请日:2017-12-08

    Abstract: Optoelektronisches Bauelement (1, 2, 3, 4, 5, 6),mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (11, 12, 13, 14, 15) und einem Träger (140),wobei der optoelektronische Halbleiterchip (11, 12, 13, 14, 15) ein Substrat (20) aufweist,wobei über einer Oberseite (21) des Substrats (20) mindestens zwei lichtemittierende Abschnitte (31, 32, 33) lateral nebeneinander angeordnet sind,wobei die lichtemittierenden Abschnitte (31, 32, 33) separat ansteuerbar sind,wobei der optoelektronische Halbleiterchip (11, 12, 13, 14, 15) mit einer zur Oberseite (21) des Substrats (20) senkrecht ausgebildeten Stirnseite (16) über einer Montagefläche (141) des Trägers (140) angeordnet ist,wobei ein Formmaterial (150) über der Montagefläche (141) des Trägers (140) angeordnet ist,wobei das Formmaterial (150) eine Kavität (151) bildet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (11, 12, 13, 14, 15) in der Kavität (151) angeordnet ist.

    Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

    公开(公告)号:DE112016005908B4

    公开(公告)日:2022-12-29

    申请号:DE112016005908

    申请日:2016-12-20

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit einer auf einem Substrat (110) angeordneten Schichtenfolge (120), wobei die Schichtenfolge (120) eine von dem Substrat (110) abgewandte Kontaktseite (101) mit zwei elektrischen Kontaktstellen (130) aufweist;- Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) auf einem temporären Träger (200) derart, dass die Kontaktseite (101) dem temporären Träger (200) zugewandt ist;- Anordnen einer Opferschicht (300) über dem temporären Träger (200) derart, dass der optoelektronische Halbleiterchip (100) in die Opferschicht (300) eingebettet wird;- Ablösen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit der umgebenden Opferschicht (300) von dem temporären Träger (200);- Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) auf einem Hilfsträger (210) derart, dass die Kontaktseite (101) von dem Hilfsträger (210) abgewandt ist;- Anordnen eines Formmaterials (400) über dem Hilfsträger (210) derart, dass ein Gehäuse (410) gebildet wird, das den optoelektronischen Halbleiterchip (100) zumindest teilweise umschließt, wobei die Kontaktseite (101) durch das Formmaterial (400) bedeckt wird;- Ablösen des Gehäuses (410) von dem Hilfsträger (210);- Herauslösen der Opferschicht.

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