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公开(公告)号:DE102008049777A1
公开(公告)日:2009-11-26
申请号:DE102008049777
申请日:2008-09-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: EISSLER DIETER , HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: An optoelectronic module includes a layer structure having a plurality of semiconductor layers including a substrate layer, a first layer arrangement and a second layer arrangement, wherein 1) the first layer arrangement has a light-emitting layer arranged on the substrate layer, 2) the second layer arrangement contains at least one circuit that controls an operating state of the light-emitting layer, and 3) the second layer arrangement is arranged on the substrate layer and/or surrounded by the substrate layer.
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公开(公告)号:DE102007062042A1
公开(公告)日:2009-06-25
申请号:DE102007062042
申请日:2007-12-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HERRMANN SIEGFRIED
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L33/44 , H01L33/58 , H01L51/52 , H01S5/022
Abstract: The optoelectronic assembly (1) comprises an optoelectronic component (10) for emitting or detecting electromagnetic radiation (20). The optoelectronic component comprises a main surface, through which the electromagnetic radiation is emitted or detected. A transparent shaped part (2) is provided, which has a cavity (3), which is formed in a bearing surface (2a) of the transparent shaped part, which is facing the optoelectronic component. An intermediate layer (7) is provided, which is made of transparent conductive oxide, such as zinc oxide, indium tin oxide, titanium oxide or nickel oxide. An independent claim is included for a method for producing an optoelectronic assembly.
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公开(公告)号:DE102007054039A1
公开(公告)日:2009-03-19
申请号:DE102007054039
申请日:2007-11-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HERRMANN SIEGFRIED , EISSLER DIETER
IPC: H01L25/075 , H01L33/50
Abstract: The LED has a light converter (5) provided with a fluid (6) for light conversion. A converter material is present in the light converter and distributed in the fluid as heterogeneous material mixture. A semiconductor chip (1) includes an emission surface (4) on which the light produced by the chip is emitted. The light converter is connected with a fluid reservoir (9). A pump (11) is arranged in a fluid circuit between the light converter and the fluid reservoir. A fluid flow is produced in an active manner through the pump. The light converter is coupled with a heat pipe. An independent claim is also included for a method for adjustment of chromaticity coordinate during manufacturing of an LED.
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公开(公告)号:DE102007030129A1
公开(公告)日:2009-01-02
申请号:DE102007030129
申请日:2007-06-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: A method for producing a plurality of optoelectronic devices is specified, comprising the following steps: providing a connection carrier assemblage having a plurality of device regions, wherein at least one electrical connection region is provided in each of the device regions, providing a semiconductor body carrier, on which a plurality of separate semiconductor bodies connected to the semiconductor body carrier are arranged, wherein the semiconductor bodies each have a semiconductor layer sequence having an active region, arranging the connection carrier assemblage and the semiconductor body carrier relative to one another in such a way that the semiconductor bodies face the device regions, mechanically connecting a plurality of semiconductor bodies to the connection carrier assemblage in a mounting region of a device region assigned to the respective semiconductor body, electrically conductively connecting the respective semiconductor body to the connection region of the device region assigned to the semiconductor body, and separating from the semiconductor body carrier the semiconductor bodies that are to be connected or are connected to the connection carrier assemblage, and dividing the connection carrier assemblage into a plurality of separate optoelectronic devices each having a connection carrier, which has the device region, and a semiconductor body arranged on the connection carrier and electrically conductively connected to the connection region.
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公开(公告)号:DE102007004304A1
公开(公告)日:2008-07-31
申请号:DE102007004304
申请日:2007-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: The thin-film light emitting diode chip (1) has a layer stack (2) made of a primary radiation surfaces (3,4) lying opposite to each other so that the thin-film light emitting diode chip has two primary radiation directions (5,6). The primary radiation surfaces are provided with measures (7,8) for improving the coupling of the light produced in the layer series. The layer sequence has adjacent layers (11,12) from an n-doped and p-doped indium gallium nitride. The contact paths are made up of indium tin oxide. An independent claim is also included for the method for producing a thin-film light emitting diode chip.
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公开(公告)号:DE102017129226B4
公开(公告)日:2024-09-26
申请号:DE102017129226
申请日:2017-12-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HERRMANN SIEGFRIED , VÖLKL MICHAEL
Abstract: Optoelektronisches Bauelement (1, 2, 3, 4, 5, 6),mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (11, 12, 13, 14, 15) und einem Träger (140),wobei der optoelektronische Halbleiterchip (11, 12, 13, 14, 15) ein Substrat (20) aufweist,wobei über einer Oberseite (21) des Substrats (20) mindestens zwei lichtemittierende Abschnitte (31, 32, 33) lateral nebeneinander angeordnet sind,wobei die lichtemittierenden Abschnitte (31, 32, 33) separat ansteuerbar sind,wobei der optoelektronische Halbleiterchip (11, 12, 13, 14, 15) mit einer zur Oberseite (21) des Substrats (20) senkrecht ausgebildeten Stirnseite (16) über einer Montagefläche (141) des Trägers (140) angeordnet ist,wobei ein Formmaterial (150) über der Montagefläche (141) des Trägers (140) angeordnet ist,wobei das Formmaterial (150) eine Kavität (151) bildet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (11, 12, 13, 14, 15) in der Kavität (151) angeordnet ist.
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公开(公告)号:DE112016005908B4
公开(公告)日:2022-12-29
申请号:DE112016005908
申请日:2016-12-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit einer auf einem Substrat (110) angeordneten Schichtenfolge (120), wobei die Schichtenfolge (120) eine von dem Substrat (110) abgewandte Kontaktseite (101) mit zwei elektrischen Kontaktstellen (130) aufweist;- Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) auf einem temporären Träger (200) derart, dass die Kontaktseite (101) dem temporären Träger (200) zugewandt ist;- Anordnen einer Opferschicht (300) über dem temporären Träger (200) derart, dass der optoelektronische Halbleiterchip (100) in die Opferschicht (300) eingebettet wird;- Ablösen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) mit der umgebenden Opferschicht (300) von dem temporären Träger (200);- Anordnen des optoelektronischen Halbleiterchips (100) auf einem Hilfsträger (210) derart, dass die Kontaktseite (101) von dem Hilfsträger (210) abgewandt ist;- Anordnen eines Formmaterials (400) über dem Hilfsträger (210) derart, dass ein Gehäuse (410) gebildet wird, das den optoelektronischen Halbleiterchip (100) zumindest teilweise umschließt, wobei die Kontaktseite (101) durch das Formmaterial (400) bedeckt wird;- Ablösen des Gehäuses (410) von dem Hilfsträger (210);- Herauslösen der Opferschicht.
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公开(公告)号:DE102021106332A1
公开(公告)日:2022-09-22
申请号:DE102021106332
申请日:2021-03-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HERRMANN SIEGFRIED , PERZLMAIER KORBINIAN , PFEUFFER ALEXANDER
Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe mit einem Träger (10) mit wenigstens einem Kontaktbereich (11) sowie zumindest ein optoelektronisches Bauelement zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, das auf dem wenigstens einen Kontaktbereich (11) angeordnet ist. Ein strahlführendes Element (40, 40b, 40c) mit einem transparenten Material, ist auf dem Träger (10) angeordnet, ummantelt das zumindest eine optoelektronische Bauelement vollständig und bedeckt die in einem Betrieb emittierenden Oberflächenbereiche des optoelektronisches Bauelement zumindest teilweise.
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公开(公告)号:DE102021201588A1
公开(公告)日:2022-08-18
申请号:DE102021201588
申请日:2021-02-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HERRMANN SIEGFRIED
Abstract: Es wird eine optoelektronische Halbleitervorrichtung (1) angegeben umfassend- mehrere optoelektronische Halbleiterchips (2), die jeweils eine erste Kontaktstruktur (3) umfassend ein erstes Kontaktelement (3A) aufweisen,- einen Träger (4) umfassend- eine Haltestruktur (5), auf der die optoelektronischen Halbleiterchips (2) jeweils teilweise angeordnet sind,- eine zweite Kontaktstruktur (6),wobei die ersten Kontaktelemente (3A) durch elektrostatische Kräfte zwischen den ersten Kontaktelementen (3A) und der zweiten Kontaktstruktur (6) in Richtung des Trägers (4) oder weg vom Träger (4) bewegbar sind, unddie optoelektronischen Halbleiterchips (2) mittels der Bewegung zwischen einem ersten Schaltzustand und einem zweiten Schaltzustand wechseln.Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung (1) angegeben.
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公开(公告)号:DE112020000567A5
公开(公告)日:2021-12-02
申请号:DE112020000567
申请日:2020-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: BAUMHEINRICH THORSTEN , BEHRINGER MARTIN , BIEBERSDORF ANDREAS , BOSS RUTH , BRANDL MICHAEL , BRICK PETER , DROLET JEAN-JAQUES , HALBRITTER HUBERT , KREINER LAURA , LANG ERWIN , LEBER ANDREAS , MEYER TOBIAS , PFEUFFER ALEXANDER , PHILIPPENS MARC , RICHTER JENS , SCHWARZ THOMAS , TA PAUL , VARGHESE TANSEN , WANG XUE , WITTMANN SEBASTIAN , STOLZ JULIA , DIEKMANN KARSTEN , ENGL KARL , HERRMANN SIEGFRIED , HAHN BERTHOLD , ILLEK STEFAN , JENTZSCH BRUNO , PERZLMAIER KORBINIAN , PIETZONKA INES , RAUSCH ANDREAS , REGAU KILIAN , RUEGHEIMER TILMAN , SCHWALENBERG SIMON , SOELL CHRISTOPHER , STAUSS PETER , SUNDGREN PETRUS , VU HOA , WIESMANN CHRISTOPHER , BOGNER GEORG , HÖRNER PATRICK , KLEMP CHRISTOPH , MÜLLER JENS , NEVELING KERSTIN , PARK JONG , RAFAEL CHRISTINE , SINGER FRANK , CHAND KANISHK , FEIX FELIX , MÜLLER CHRISTIAN , RUMMEL EVA-MARIA , HEITZER NICOLE , ASSMANN MARIE , BERGER CHRISTIAN , KANEVCE ANA
IPC: H01L33/62 , G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/60
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