公开(公告)号：DE19926766A1

公开(公告)日：2000-12-21

申请号：DE19926766

申请日：1999-06-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HANEDER THOMAS ,  HOENIGSCHMID HEINZ ,  BRAUN GEORG ,  ROEHR THOMAS ,  SCHINDLER GUENTHER ,  HARTNER WALTER ,  BOEHM THOMAS ,  WENDT HERMANN

IPC: H01L29/78

Abstract: According to the invention, two source/drain regions (121, 122) between which a channel region is arranged are provided for on a semiconductor substrate. On the surface of the channel region a gate dielectric (13) is positioned. Above the gate dielectric (13) a ferroelectric layer (14) and a gate electrode (15) are arranged. The ferroelectric layer (14) overlaps one of the source/drain regions (121). To change the polarization of the ferroelectric layer (14) a voltage can be applied between the gate electrode (15) and the overlapped source/drain region (121).

公开(公告)号：DE102023204788A1

公开(公告)日：2024-11-28

申请号：DE102023204788

申请日：2023-05-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELIAN KLAUS ,  HARTNER WALTER ,  THEUSS HORST ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  SCHALLER RAINER

IPC: G06K19/06 ,  G01S13/02

Abstract: Ein Verfahren zur Authentifizierung eines Gegenstandes umfasst ein Positionieren eines Millimeterwellen-Transceivers relativ zu einem Gegenstand, der eine Meta-Material-Markierung enthält. Ein Sendesignal wird von dem Millimeterwellen-Transceiver in Richtung der Meta-Material-Markierung gesendet, wobei das Sendesignal basierend auf der Meta-Material-Markierung in ein Empfangssignal umgesetzt wird, welches eine erste Charakteristik aufweist und in Richtung des Millimeterwellen-Transceivers abgestrahlt wird. Das Empfangssignal wird durch den Millimeterwellen-Transceiver empfangen und verarbeitet zum Erfassen der ersten Charakteristik. Erste Vergleichsinformationen werden basierend auf der ersten Charakteristik erzeugt und ein Authentifizieren des Gegenstands basierend auf den ersten Vergleichsinformationen wird durchgeführt.

公开(公告)号：DE102022115688A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022115688

申请日：2022-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ERDOEL TUNCAY ,  HARTNER WALTER ,  MOELLER ULRICH ,  RIEDER BERNHARD ,  SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01P5/08

Abstract: Ein Chip-Package umfasst einen Chip, der ausgebildet ist, ein Signal zu erzeugen und/oder zu empfangen; ein Laminatsubstrat, das einen substratintegrierten Wellenleiter (SIW) zum Tragen des Signals umfasst, wobei der substratintegrierte Wellenleiter eine Chip-zu-SIW-Übergangsstruktur umfasst, die ausgebildet ist, das Signal zwischen den SIW und den Chip zu koppeln, und eine SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur, die ausgebildet ist, das Signal aus dem SIW aus- oder in den SIW einzukoppeln, wobei die SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur eine Wellenleiterapertur umfasst; und eine Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen, die um eine Peripherie der Wellenleiterapertur angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen ausgebildet ist, das Signal von der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur zu empfangen und das Signal von dem Chip-Package auszugeben oder das Signal mit der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur und in das Chip-Package zu koppeln.

公开(公告)号：DE102020121855A1

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE102020121855

申请日：2020-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  RIEDER BERNHARD

IPC: H01P5/00 ,  H01L23/66 ,  H05K1/18

Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte bei einem ersten Montagepunkt montiertes Hochfrequenz-Package mit einem Hochfrequenz-Chip und einem Hochfrequenz-Strahlungselement, wobei die Leiterplatte zumindest in einem ersten Abschnitt, der den ersten Montagepunkt umfasst eine erste Elastizität aufweist. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein auf der Leiterplatte bei einem zweiten Montagepunkt montiertes Wellenleiter-Bauteil mit einem Wellenleiter, wobei das Hochfrequenz-Strahlungselement dazu ausgelegt ist, in den Wellenleiter Signale einzustrahlen und/oder über den Wellenleiter Signale zu empfangen. Die Leiterplatte weist zumindest in einem zweiten Abschnitt mit erhöhter Elastizität zwischen dem ersten Montagepunkt und dem zweiten Montagepunkt eine zweite Elastizität auf, wobei die zweite Elastizität höher als die erste Elastizität ist.

公开(公告)号：DE102019112940A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102019112940

申请日：2019-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEISSLER CHRISTIAN ,  WAECHTER CLAUS VON ,  HARTNER WALTER ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Ein Verfahren umfasst ein Bereitstellen zumindest einer Halbleiterkomponente, wobei jede der zumindest einen Halbleiterkomponente umfasst: einen Halbleiterchip, wobei der Halbleiterchip eine erste Hauptoberfläche und eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche umfasst, und ein über der gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips angeordnetes Opfermaterial. Das Verfahren umfasst ferner ein Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente mit einem Verkapselungsmaterial. Das Verfahren umfasst ferner ein Entfernen des Opfermaterials, wobei über jedem des zumindest einen Halbleiterchips eine Aussparung in dem Verkapselungsmaterial ausgebildet wird. Das Verfahren umfasst ferner ein Anordnen zumindest eines Deckels über der zumindest einen Aussparung, wobei durch die zumindest eine Aussparung und den zumindest einen Deckel über jedem des zumindest einen Halbleiterchips ein geschlossener Hohlraum ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102017223689A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102017223689

申请日：2017-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  WAECHTER CLAUS ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MÜHLBAUER FRANZ-XAVER ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  KILGER THOMAS

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/60 ,  H01L23/24 ,  H01L23/50 ,  H01L23/62

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst: eine Platine; ein Halbleiterpackage mit einer Hauptoberfläche, wobei das Halbleiterpackage auf der Platine angeordnet ist und die Hauptoberfläche der Platine zugewandt ist; ein auf der Hauptoberfläche oder innerhalb des Halbleiterpackage angeordnetes Hochfrequenzleitungselement des Halbleiterpackage, wobei das Hochfrequenzleitungselement dazu ausgelegt ist, ein Signal mit einer Frequenz von größer als 10GHz zu übertragen; und ein Unterfüllmaterial, welches zwischen der Platine und dem Halbleiterpackage angeordnet ist, wobei sich das Hochfrequenzleitungselement und das Unterfüllmaterial in einer Orthogonalprojektion auf die Hauptoberfläche nicht überlappen.

公开(公告)号：DE102017210654A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102017210654

申请日：2017-06-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FEHLER ROBERT ,  HAUBNER GERHARD ,  HARTNER WALTER ,  NIESSNER MARTIN RICHARD ,  GEISSLER CHRISTIAN ,  ARCIONI FRANCESCA ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/32

Abstract: Eine elektronische Vorrichtung umfasst Folgendes: eine Lotkugel, eine dielektrische Schicht, die eine Öffnung umfasst, und eine Umverdrahtungsschicht (RDL: Redistribution Layer), die ein RDL-Pad umfasst, das mit der Lotkugel verbunden ist, wobei das RDL-Pad wenigstens einen Hohlraum umfasst, wobei der Hohlraum wenigstens teilweise in einem Bereich des RDL-Pads angeordnet ist, der sich lateral außerhalb der Öffnung der dielektrischen Schicht befindet.

公开(公告)号：DE102015112861A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：DE102015112861

申请日：2015-08-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SELER ERNST ,  WOJNOWSKI MACIEJ ,  HARTNER WALTER ,  BOECK JOSEF

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L25/065 ,  H01Q23/00

Abstract: Eine Mikrowellenvorrichtung schließt ein Halbleitergehäuse ein, das einen Mikrowellen-Halbleiterchip und ein dem Halbleitergehäuse zugehöriges Wellenleiter-Bauteil umfasst. Das Wellenleiter-Bauteil ist zur Übertragung eines Mikrowellen-Wellenleitersignals ausgestaltet. Es schließt ein Teil oder mehrere Teile ein. Die Mikrowellenvorrichtung schließt ferner ein Transformator-Element, das zur Umwandlung eines Mikrowellensignals von dem Mikrowellen-Halbleiterchip in das Mikrowellen-Wellenleitersignal oder zur Umwandlung des Mikrowellen-Wellenleitersignals in ein Mikrowellen-Signal für den Mikrowellen-Halbleiterchip ausgestaltet ist, ein.

公开(公告)号：DE102006023731B4

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：DE102006023731

申请日：2006-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  BONART DIETRICH ,  MEISER ANDREAS ,  GROSS THOMAS

IPC: H01L21/74 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102006029701A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：DE102006029701

申请日：2006-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  HARTNER WALTER ,  GRUBER HERMANN ,  BONART DIETRICH ,  GROSS THOMAS

IPC: H01L21/762

Abstract: The component has a substrate (2) of conducting type and a buried semiconductor layer (3) of other conducting type is arranged on the substrate. The buried semiconductor layer is part of a semiconductor function unit. The insulation structure has a trench and an electrically conducting contact to the substrate. The electrically conducting contact to the substrate is insulated electrically from the functional unit semiconductor layer (4) and the buried layer by a trench. An independent claim is also included for the method for manufacturing of semiconductor components consists of a semiconductor body.