公开(公告)号：KR102263421B1

公开(公告)日：2021-06-09

申请号：KR1020140140615

申请日：2014-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 곤노마사히코 ,  신타쿠마사유키 ,  스즈키다카시 ,  아이타미치타카 ,  오카다다이조 ,  오쿠니시나오히코 ,  가토히데오 ,  마츠모토나오키

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/34 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR102224542B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020140015298

申请日：2014-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카네코카즈시 ,  마츠모토나오키 ,  코야마코지 ,  후나자키카즈노리 ,  카토히데오 ,  이시바시키요타카

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 안정된플라즈마처리를보다확실히행할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치에포함되는마이크로파발생기(41)에의해발생시킨고주파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시키는플라즈마발생기구를구비한다. 마이크로파발생기(41)는, 고주파를발진하는마그네트론(42)과, 부하측으로진행하는진행파의전력을측정하는검출기(54a)와, 부하측으로부터반사되는반사파의전력을측정하는검출기(54b)와, 고압전원(43)에의해마그네트론(42)에공급되는전압을제어하는전압제어회로(53a)를포함한다. 전압제어회로(53a)는, 검출기(54a)에의해측정된진행파전력에, 검출기(54b)에의해측정된반사파전력에기초하여산출된전력을더한전력에상당하는전압을마그네트론(42)에공급하도록제어하는로드제어기구를포함한다.

公开(公告)号：KR102068861B1

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：KR1020157005540

申请日：2013-09-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  고야마고지 ,  요시카와쥰

IPC: H01J37/32 ,  H01Q13/10 ,  H01Q21/06 ,  H05H1/46

公开(公告)号：KR101982366B1

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：KR1020147008422

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키네다카유키 ,  사사키마사루 ,  마츠모토나오키 ,  신푸쿠에이이치로우

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

公开(公告)号：KR1020150046747A

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：KR1020140142517

申请日：2014-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신타쿠마사유키 ,  스즈키다카시 ,  곤노마사히코 ,  아이타미치타카 ,  오카다다이조 ,  가토히데오 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32275

Abstract: 마이크로파를이용하는플라즈마처리장치가제공된다. 이장치는탑재대, 포커스링, 제 1 통형상부, 환상부, 제 2 통형상부, 및초크부를구비한다. 포커스링은탑재대의정전척을둘러싸도록고리형상으로연장되어있다. 제 1 통형상부는유전체로구성되고, 포커스링의아래쪽에있어서탑재대의하부전극의외주를따라서연장되고있다. 환상부는유전체로구성되고, 포커스링과제 1 통형상부의사이에마련되어있다. 제 2 통형상부는도전성을갖고, 제 1 통형상부의외주를따라서연장되고있다. 초크부는유전체로구성되고, 포커스링 및환상부를거쳐서제 1 통형상부를전파하는마이크로파를억제한다. 초크부는제 1 통형상부로부터바깥쪽으로돌출하고, 또한, 고리형상으로연장되고있다. 제 2 통형상부는초크부를덮고있다.

Abstract translation: 提供了使用微波的等离子体处理装置。 该装置具有幼苗托盘，聚焦环，第一罐形状单元，环形单元，第二罐形状单元和轴承座单元。 聚焦环被放大成环形以覆盖幼苗托盘的静电卡盘。 第一罐形单元由电介质组成，位于聚焦环下方，并且沿着下电极的外圆周扩大。 环形单元由电介质组成，并且布置在聚焦环和第一罐形状单元之间。 第二罐形状单元具有导电性，并且沿着第一罐形状单元的外周增大。 阻塞单元由电介质组成，并且抑制通过聚焦环和环形单元并扩散第一罐形单元的微波。 轴承座单元从第一罐形单元突出到外部，并且被放大成环形。 第二罐形状单元覆盖轴承座单元。

公开(公告)号：KR1020150032662A

公开(公告)日：2015-03-27

申请号：KR1020147032420

申请日：2013-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  코야마코지 ,  오즈토시히사 ,  요시무라쇼타

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23F4/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치(1)는, 처리 용기(2)로 도입된 처리 가스를 플라즈마화함으로써, 처리 용기(2)의 내부에 수용된 웨이퍼(W)를 처리한다. 플라즈마 처리 장치(1)는 중앙 도입부(55)와 주변 도입부(61)와 유량 조정부와 제어부(49)를 구비한다. 중앙 도입부(55)는 Ar 가스, He 가스 및 에칭 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 처리 가스를 웨이퍼(W)의 중앙부로 도입한다. 주변 도입부(61)는 처리 가스를 웨이퍼(W)의 주변부로 도입한다. 유량 조정부는, 중앙 도입부(55)로부터 웨이퍼(W)의 중앙부로 도입되는 처리 가스의 유량과, 주변 도입부(61)로부터 웨이퍼(W)의 주변부로 도입되는 처리 가스의 유량을 조정한다. 제어부(49)는, 처리 가스에 포함되는 Ar 가스에 대한 He 가스의 분압비가 소정값 이상이 되도록, 유량 조정부로 조정되는 처리 가스의 유량을 제어한다.

公开(公告)号：KR1020150016491A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020147029747

申请日：2013-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  도미타유고

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32917 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/67739

Abstract: 플라즈마 처리 장치 PM1은, 플라즈마 처리 공간 S를 구획하는 처리 용기(12)와, 피처리 기판 W의 설치용 스테이지(14)와, 플라즈마 반응에 이용되는 처리 가스를 플라즈마 처리 공간 S에 도입하는 가스 공급계(38) 등을 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치 PM1은, 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 전자 에너지를 공급하는 마이크로파 발생기(16)를 구비한다. 또한, 플라즈마 처리 장치 PM1은, 처리 용기(12)의 외부의 기판 반입 스테이지에 설치된 피처리 기판 W에 대한 플라즈마 처리 개시의 지령이 발행되어 피처리 기판 W가 처리 용기(12) 내에 반송되고 있는 동안에, 웨이퍼리스의 상태에서, 처리 가스를 공급함과 아울러 전자 에너지를 공급하는 웜업 처리를 행하는 제어부(100)를 구비한다.

公开(公告)号：KR101484652B1

公开(公告)日：2015-01-20

申请号：KR1020120071707

申请日：2012-07-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  오츠카야스히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: (과제) 부착물의 발생을 억제 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 일 실시 형태의 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 도입부, 보유지지(保持) 부재 및, 포커스 링을 구비하고 있다. 처리 용기에 의해 구획 형성되는 처리 공간에 있어서, 도입부로부터 도입된 에너지에 의해, 가스 공급부로부터 공급된 처리 가스의 플라즈마가 발생된다. 이 처리 공간에, 피처리 기체를 보유지지하기 위한 보유지지 부재와 당해 보유지지 부재의 단면을 둘러싸도록 형성된 포커스 링이 배치되어 있다. 보유지지 부재의 단면과 포커스 링과의 사이에는, 350㎛ 이하의 간극이 구획 형성되어 있다.

Abstract translation: 发明内容本发明提供一种能够抑制析出物的产生的等离子体处理装置。

公开(公告)号：KR1020130129937A

公开(公告)日：2013-11-29

申请号：KR1020137012435

申请日：2011-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  티안차이종 ,  사사키마사루 ,  미하라나오키 ,  마츠모토나오키 ,  모야마가즈키 ,  요시카와준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 기판을 탑재하기 위한 탑재대가 마련되는 처리 용기, 상기 처리 용기 내로 제1 가스를 공급하도록 구성되는 제1 가스 공급 유닛, 상기 제1 가스의 적어도 일부를 제1 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제1 플라즈마 생성 유닛, 상기 처리 용기 내로 제2 가스를 공급하도록 구성되는 제2 가스 공급 유닛, 및 상기 제2 가스의 적어도 일부를 제2 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제2 플라즈마 생성 유닛을 포함한다. 탑재대로부터 제2 가스의 유입구의 높이는, 탑재대로부터 제1 가스의 유입구의 높이보다 낮다.

公开(公告)号：KR101250717B1

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：KR1020117031569

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.