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    패터닝 공정 오차를 보정하는 장치 및 방법
    53.
    发明公开
    패터닝 공정 오차를 보정하는 장치 및 방법 审中-公开

    公开(公告)号：KR20180069053A

    公开(公告)日：2018-06-22

    申请号：KR20187014222

    申请日：2016-09-27

    Applicant: ASML NETHERLANDS BV

    Inventor： TEN BERGE PETER ,  SLOTBOOM DAAN MAURITS ,  VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS ,  WARDENIER PETER HANZEN

    IPC: G03F1/72 ,  G03F1/70 ,  G03F7/20

    CPC classification number: G03F1/72

    Abstract: 패터닝시스템에서의제 1 패터닝디바이스에관한제 1 측정및/또는시뮬레이션결과(1300)에기초하여제 1 오차정보(1310)를결정하는단계; 패터닝시스템에서의제 2 패터닝디바이스에관한제 2 측정및/또는시뮬레이션결과(1320)에기초하여제 2 오차정보(1330)를결정하는단계; 제 1 오차정보와제 2 오차정보간의차이(1340)를결정하는단계; 및컴퓨터에의해, 제 1 오차정보와제 2 오차정보간의차이에기초하여제 1 패터닝디바이스및/또는제 2 패터닝디바이스에대한수정정보(1360)를생성하는단계를포함한방법이개시되고, 제 1 오차정보와제 2 오차정보간의차이는제 1 패터닝디바이스및/또는제 2 패터닝디바이스가수정정보에따라수정된후, 소정범위내로감소된다.

    극자외 광원 내에서의 타겟 팽창 속도 제어 방법
    55.
    发明公开
    극자외 광원 내에서의 타겟 팽창 속도 제어 방법 审中-公开

    公开(公告)号：KR20180038543A

    公开(公告)日：2018-04-16

    申请号：KR20187006976

    申请日：2016-08-10

    Applicant: ASML NETHERLANDS BV

    Inventor： RAFAC ROBERT JAY ,  RIGGS DANIEL JASON

    IPC: H05G2/00

    CPC classification number: H05G2/008 ,  H05G2/005

    Abstract: 방법은, 플라즈마로변환될때 극자외(EUV) 광을방출하는컴포넌트를포함하는타겟재료를제공하는단계; 수정된타겟을형성하도록타겟재료의기하학적분포를수정하기위해타겟재료에에너지를전달하도록제1 방사선빔을타겟재료를향해지향시키는단계; 수정된타겟을향해제2 방사선빔을지향시키는단계로서, 제2 방사선빔은수정된타겟의적어도일부를 EUV 광을방출하는플라즈마로변환하는, 단계; 제1 방사선빔에대하여상대적으로타겟재료와수정된타겟중 하나이상과연관된하나이상의특성을측정하는단계; 및하나이상의측정된특성에기초하여제1 방사선빔으로부터타겟재료에전달되는방사노광량을미리결정된에너지범위내로제어하는단계를포함한다.

    멤브레인 조립체를 제조하는 방법
    57.
    发明公开
    멤브레인 조립체를 제조하는 방법 审中-公开
    制造膜组件的方法

    公开(公告)号：KR20180030673A

    公开(公告)日：2018-03-23

    申请号：KR20187004729

    申请日：2016-07-04

    Applicant: ASML NETHERLANDS BV

    Inventor： KLOOTWIJK JOHAN HENDRIK ,  VAN DEN EINDEN WILHELMUS THEODORUS ANTHONIUS JOHANNES

    IPC: G03F1/62 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F1/62 ,  G03F7/70916

    Abstract: EUV 리소그래피를위한멤브레인조립체를제조하는방법이개시되며, 상기방법은: 평면기판및 적어도하나의멤브레인층을포함한스택을제공하는단계 -상기평면기판은내부구역및 내부구역주위의보더구역을포함함- ; 및평면기판의내부구역을선택적으로제거하는단계를포함한다. 멤브레인조립체는: 적어도하나의멤브레인층으로부터형성되는멤브레인; 및멤브레인을유지하는보더를포함하고, 보더는평면기판의보더구역으로부터형성된다. 스택에는평면기판의내부구역을선택적으로제거하는단계동안보더구역을기계적으로보호하도록구성되는기계적보호재료가제공된다.

    Abstract translation: 公开了一种用于制造用于EUV光刻的膜组件的方法，该方法包括：提供包括平面衬底和至少一个膜层的叠层，该平面衬底包括围绕内部区域和内部区域的边界区域 - ; 并有选择地去除平面衬底的内部区域。 膜组件包括：由至少一个膜层形成的膜; 以及用于保持膜的边界，其中边界由平坦基板的边界区域形成。 该堆叠设置有机械保护材料，该机械保护材料被配置为在选择性地移除平面衬底的内部区域的步骤期间机械地保护边界区域。

    계측 방법, 방사선 소스, 계측 장치 및 디바이스 제조 방법
    58.
    发明公开
    계측 방법, 방사선 소스, 계측 장치 및 디바이스 제조 방법 审中-公开
    测量方法，辐射源，测量装置和装置制造方法

    公开(公告)号：KR20180030191A

    公开(公告)日：2018-03-21

    申请号：KR20187004699

    申请日：2016-08-03

    Applicant: ASML NETHERLANDS BV

    Inventor： POLYAKOV ALEXEY OLEGOVICH ,  QUINTANILHA RICHARD ,  BANINE VADIM YEVGENYEVICH ,  VERSCHUREN COEN ADRIANUS

    IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  H05G2/00

    CPC classification number: H05G2/00 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G21K1/06

    Abstract: 리소그래피에의해제조되거나리소그래피에서사용되는타겟구조체(T)는역콤프턴산란에의해생성된 EUV 방사선(304)으로적어도제 1 회상기구조체를조사함으로써검사된다. 반사또는투과과정에서타겟구조체에의해산란된방사선(308)이검출되고(312) 타겟구조체의특성이검출된산란된방사선에기초하여프로세서(340)에의해계산된다. 방사선은 0.1 nm 내지 125 nm의 EUV 범위에속하는제 1 파장을가질수 있다. 동일한소스를사용하여전자에너지를조절하면서, 구조체는 EUV 범위에속하는상이한파장, 및/또는더 짧은(x-선) 파장및/또는더 긴(UV, 가시) 파장으로수 회조사될수 있다. 역콤프턴산란소스내에서전자에너지를고속스위칭함으로써, 상이한파장에서의조사가초당수 회수행될수 있다.

    Abstract translation: 通过光刻产生的或用于光刻的目标结构（T）通过用局部康普顿散射产生的EUV辐射（304）照射至少第一移相器结构来检查。 在反射或透射期间由目标结构散射的辐射308被检测312，并且处理器340基于检测到的散射辐射来计算目标结构的特性。 辐射可具有落入0.1nm至125nm的EUV范围内的第一波长。 通过控制具有相同源的电子能量，该结构可以以不同的波长进行调查几次，和/或较短的（x射线）的波长和/或更长的（UV，可见光）的波长属于EUV范围内。 通过快速切换背对背散射源内的电子能量，可以每秒多次执行不同波长的辐照。

    리소그래피 장치, 투영 시스템, 마지막 렌즈 요소, 액체 제어 부재, 및 디바이스 제조 방법
    59.
    发明公开
    리소그래피 장치, 투영 시스템, 마지막 렌즈 요소, 액체 제어 부재, 및 디바이스 제조 방법 审中-公开
    光刻设备，投影系统，最后一个透镜元件，液体控制元件和器件制造方法

    公开(公告)号：KR20180030148A

    公开(公告)日：2018-03-21

    申请号：KR20187004424

    申请日：2016-07-13

    Applicant: ASML NETHERLANDS BV

    Inventor： ROPS CORNELIUS MARIA ,  BOUMAN WILLEM JAN ,  POLET THEODORUS WILHELMUS

    IPC: G03F7/20 ,  G02B27/00

    CPC classification number: G03F7/70783 ,  G02B27/0006 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958

    Abstract: 리소그래피장치, 침지리소그래피장치와함께사용되는투영시스템, 투영시스템을위한마지막렌즈요소, 액체제어부재및 디바이스제조방법이개시된다. 일구성에서, 리소그래피장치는투영시스템을통해기판(W)의타겟부상으로패터닝된방사선빔(B)을투영하도록구성되는투영시스템(PS)을포함한다. 액체한정구조체(12)는투영시스템과기판사이의공간(10)에침지액체를한정한다. 투영시스템은출구표면을통해패터닝된방사선빔을투영하기위한출구표면(104); 및액체한정구조체와대향하는추가표면(110)을포함한다. 추가표면은침지액체에대해제 1 정적후진접촉각도를갖는다. 출구표면은침지액체에대해제 2 정적후진접촉각도를갖는다. 제 1 정적후진접촉각도는제 2 정적후진접촉각도보다크고; 65°미만이다.

    Abstract translation: 公开了一种光刻设备，用于浸没式光刻设备的投影系统，用于投影系统的最后一个透镜元件，液体控制构件以及器件制造方法。 在一种配置中，光刻设备包括投影系统PS，投影系统PS被配置为通过投影系统将图案化的辐射束B投影到衬底W的目标部分上。 液体限制结构12在投影系统和衬底之间的空间10中限定浸没液体。 投影系统包括用于将图案化的辐射束投影穿过出射表面的出射表面（104） 和与液体限制结构相对的附加表面（110）。 附加表面相对于浸没液体具有第一静态后向接触角。 出口表面相对于浸没液体具有第二静态背接触角。 第一静态背接触角大于第二静态背接触角; Lt。

    리소그래피 장치를 제어하는 방법, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
    60.
    发明公开
    리소그래피 장치를 제어하는 방법, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 审中-公开
    用于控制光刻设备，光刻设备和方法的方法

    公开(公告)号：KR20180018810A

    公开(公告)日：2018-02-21

    申请号：KR20187001814

    申请日：2016-07-05

    Applicant: ASML NETHERLANDS BV

    Inventor： QUEENS RENE MARINUS GERARDUS JOHAN ,  KOOP ERIK JOHAN ,  JUNGBLUT REINER MARIA

    IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F9/7026 ,  G03F9/7034

    Abstract: 리소그래피장치는기판에걸쳐다수의필드에디바이스패턴을적용한다. 높이맵(h(x,y))은복수의컴포넌트((h'(x,y), h"(x,y))로분해된다. 제1 높이맵 컴포넌트((h'(x,y))는디바이스패턴과연관된토포그래피변화를나타낸다. 하나이상의추가적인높이맵 컴포넌트(h"(x,y))는이와다른토포그래피변화를나타낸다. 각각의높이맵 컴포넌트를이용하여, 각각의컴포넌트에특유한제어알고리즘에따라제어세트포인트가계산된다. 그다음으로상이한높이맵 컴포넌트에대해계산된제어세트포인트가조합되어기판으로의디바이스패턴의이미징을제어하는데이용된다. 특유한제어알고리즘은서로상이할수 있으며, 비선형의정도가상이할수 있다. 상이한세트포인트의조합은선형적일수 있다. 디바이스특유토폴로지및 다른국소적인변화의존재하에포커스제어가개선될수 있다.

    Abstract translation: 光刻设备将器件图案施加到衬底上的多个场。 高度图（h'（x，y））被分解为分量（h'（x，y），h“（x，y） （X，y）表示不同的地形变化。使用每个高度图组件，每个组件特定的控制 然后根据该算法计算控制设定点，然后将针对不同高度图分量计算出的控制设定点进行组合以控制将设备图案成像到衬底上。不同的控制算法可以彼此不同， 不同设置点的组合可以是线性的。在存在设备特定拓扑和其他局部变化的情况下，可以改进焦点控制。

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