公开(公告)号：DE102021106332A1

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：DE102021106332

申请日：2021-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L33/58 ,  G02B3/00 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075 ,  H01L33/46 ,  H01L33/52

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe mit einem Träger (10) mit wenigstens einem Kontaktbereich (11) sowie zumindest ein optoelektronisches Bauelement zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, das auf dem wenigstens einen Kontaktbereich (11) angeordnet ist. Ein strahlführendes Element (40, 40b, 40c) mit einem transparenten Material, ist auf dem Träger (10) angeordnet, ummantelt das zumindest eine optoelektronische Bauelement vollständig und bedeckt die in einem Betrieb emittierenden Oberflächenbereiche des optoelektronisches Bauelement zumindest teilweise.

公开(公告)号：DE112020000567A5

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE112020000567

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH THORSTEN ,  BEHRINGER MARTIN ,  BIEBERSDORF ANDREAS ,  BOSS RUTH ,  BRANDL MICHAEL ,  BRICK PETER ,  DROLET JEAN-JAQUES ,  HALBRITTER HUBERT ,  KREINER LAURA ,  LANG ERWIN ,  LEBER ANDREAS ,  MEYER TOBIAS ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  PHILIPPENS MARC ,  RICHTER JENS ,  SCHWARZ THOMAS ,  TA PAUL ,  VARGHESE TANSEN ,  WANG XUE ,  WITTMANN SEBASTIAN ,  STOLZ JULIA ,  DIEKMANN KARSTEN ,  ENGL KARL ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  HAHN BERTHOLD ,  ILLEK STEFAN ,  JENTZSCH BRUNO ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  PIETZONKA INES ,  RAUSCH ANDREAS ,  REGAU KILIAN ,  RUEGHEIMER TILMAN ,  SCHWALENBERG SIMON ,  SOELL CHRISTOPHER ,  STAUSS PETER ,  SUNDGREN PETRUS ,  VU HOA ,  WIESMANN CHRISTOPHER ,  BOGNER GEORG ,  HÖRNER PATRICK ,  KLEMP CHRISTOPH ,  MÜLLER JENS ,  NEVELING KERSTIN ,  PARK JONG ,  RAFAEL CHRISTINE ,  SINGER FRANK ,  CHAND KANISHK ,  FEIX FELIX ,  MÜLLER CHRISTIAN ,  RUMMEL EVA-MARIA ,  HEITZER NICOLE ,  ASSMANN MARIE ,  BERGER CHRISTIAN ,  KANEVCE ANA

IPC: H01L33/62 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE102017100812A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：DE102017100812

申请日：2017-01-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  SINGER FRANK ,  SCHWARZ THOMAS ,  PFEUFFER ALEXANDER

IPC: H01L21/50 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075

Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips eingerichtet und umfasst die Schritte:A) Bereitstellen von Quellsubstraten (21, 22, 23), wobei jedes der Quellsubstrate (21, 22, 23) mit einer bestimmten Art von Strahlung emittierenden Halbleiterchips (41, 42, 43) bestückt ist,B) Bereitstellen eines Zielsubstrats (3) mit einer Montageebene (30),C) Erzeugen von Podesten (52, 53) an dem Zielsubstrat (3) oder an zumindest einem der Quellsubstrate (21, 22, 23), undD) Übertragen mindestens eines Teils der Halbleiterchips (41, 42, 43) mit einem Scheibe-zu-Scheibe-Prozess von den Quellsubstraten (21, 22, 23) auf das Zielsubstrat (3), sodass die auf das Zielsubstrat (3) übertragenen Halbleiterchips (41, 42, 43) innerhalb einer Art ihre relative Position zueinander beibehalten und jede Art von Halbleiterchips (41, 42, 43) auf dem Zielsubstrat (3) aufgrund der Podeste (52, 53) eine andere Höhe (H1, H2, H3) über der Montageebene (30) aufweist.

公开(公告)号：DE102015108532A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102015108532

申请日：2015-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/08

Abstract: Es wird eine Anzeigevorrichtung (1) mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte (1a, 1b, 1c) angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (3) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung umfasst. Die Halbleiterschichtenfolge (3) weist eine erste Halbleiterschicht (31), eine aktive Schicht (33) und eine zweite Halbleiterschicht (35) auf. Die Anzeigevorrichtung (1) umfasst ferner eine erste Kontaktstruktur (51) zur Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht (31) und eine zweite Kontaktstruktur (55) zur Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht (35). Die erste Kontaktstruktur (51) weist getrennt voneinander betreibbare erste Kontakte (51a, 51b, 5c) auf, die sich jeweils lateral unterbrechungsfrei entlang der ersten Halbleiterschicht (31) erstrecken. Die ersten Kontakte (51a, 51b, 51c) begrenzen jeweils mit ihrer Kontur einen Bildpunkt (1a, 1b, 1c) lateral. Die Halbleiterschichtenfolge (3) und die erste Kontaktstruktur (51) weisen mindestens eine bezüglich eines jeweiligen Bildpunkts (1a, 1b, 1c) lateral angrenzende Ausnehmung (7a, 7b) auf, die sich durch die erste Kontaktstruktur (51), die erste Halbleiterschicht (31) und die aktive Schicht (33) hindurch in die zweite Halbleiterschicht (35) hinein erstreckt. Die zweite Kontaktstruktur (55) weist zweite Kontakte (55a, 55b) auf, die sich von einer der ersten Kontaktstruktur (51) zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) durch die mindestens eine Ausnehmung (7a, 7b) erstrecken.