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    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    51.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102015109793A1

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：DE102015109793

    申请日：2015-06-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RUDOLPH ANDREAS ,  HALBRITTER HUBERT

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/26

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, umfassend – eine auf einer ersten Halbleiterschicht (11) epitaktisch aufgewachsene aktive Zone (2) mit – zumindest zwei Quantentopfschichten (20) und – zumindest einer zwischen den zumindest zwei Quantentopfschichten (20) angeordneten Barriereschicht (21), wobei – die Barriereschicht (21) mit X:AlyGa1-yAszP1-z, wobei 0 ≤ y ≤ 1 und 0 ≤ z ≤ 1, gebildet ist, wobei X ein Dotierstoff ist.

    Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement
    52.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102013106573A1

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：DE102013106573

    申请日：2013-06-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GÖÖTZ BRITTA ,  HALBRITTER HUBERT

    IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  H01L25/075 ,  H01L33/30

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angegeben. Das strahlungsemittierende optoelektronische Bauelement umfasst – einen Halbleiterchip, der im Betrieb des Bauelements Primärstrahlung einer Wellenlänge zwischen 600 nm und 1000 nm emittiert, – ein Konversionselement umfassend ein Konversionsmaterial, das Ionen eines oder mehrerer Metalle umfasst, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Cr, Pb, und Mg umfasst und das die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung nahezu vollständige in Sekundärstrahlung einer Wellenlänge zwischen 1000 nm und 6000 nm konvertiert.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Strahlungssensor
    53.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Strahlungssensor 未知

    公开(公告)号：DE102013101001A1

    公开(公告)日：2014-07-31

    申请号：DE102013101001

    申请日：2013-01-31

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  MÜLLER CHRISTIAN

    IPC: H01L31/0232 ,  G01J1/04

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Detektion von Strahlung. Ferner beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) ein erstes Filterelement (31), das ein Bragg-Filter ist, und ein zweites Filterelement (32), das ein metallischer plasmonischer Filter ist. Das erste und das zweite Filterelement (31, 32) sind entlang eines Laufwegs (D) einer zu detektierenden Strahlung (R) aufeinander folgend angeordnet und weisen voneinander verschiedene Transmissionsspektren mit je zumindest einem spektralen Transmissionsfenster auf. Absorptionsbereiche des ersten und des zweiten Filterelements (31, 32) überlappen und befinden sich je beiderseits des zumindest einen Transmissionsfensters des entsprechenden Filterelements.

    Optoelektronische Vorrichtung
    54.
    发明专利
    Optoelektronische Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102012109183A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012109183

    申请日：2012-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRANDL STEFAN ,  HALBRITTER HUBERT

    IPC: H01L31/0232 ,  G02B3/08 ,  H01L31/12 ,  H01L33/58

    Abstract: Es wird eine optoelektronische Vorrichtung (1) mit einem zum Erzeugen oder Empfangen von Strahlung vorgesehenen optoelektronischen Bauelement (2), einem Rahmen (3) und einem optischen Element (4) angegeben, wobei sich der Rahmen in einer vertikalen Richtung zwischen einer Strahlungsdurchtrittsseite und einer Rückseite erstreckt. In dem Rahmen ist eine Öffnung (30) ausgebildet, in der das Bauelement angeordnet ist. Das optische Element ist als eine Fresnel-Linse oder als eine Fresnel-Zonenplatte ausgebildet und überdeckt das Bauelement in Aufsicht auf die Strahlungsdurchtrittsseite.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERDIODEN
    55.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERDIODEN 未知

    公开(公告)号：DE102021118463A1

    公开(公告)日：2023-01-19

    申请号：DE102021118463

    申请日：2021-07-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER LAURA ,  HALBRITTER HUBERT

    IPC: H01S5/20 ,  H01S5/18 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl oberflächenemittierender Halbleiterlaserdioden mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1),- Aufbringen einer Maskenschicht (2) mit einer Vielzahl von Öffnungen (21) auf das Wachstumssubstrat (1), so dass Bereiche des Wachstumssubstrats (1) durch die Öffnungen (21) freiliegen,- Aufbringen einer ersten Zwischenschicht (3) zumindest auf die freiliegenden Bereiche des Wachstumssubstrats (1), wobei die erste Zwischenschicht (3) ein quasi-zweidimensionales Material aufweist, und- epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (42) auf der ersten Zwischenschicht (3), wobei die epitaktische Halbleiterschichtenfolge eine aktive Schicht (5) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist.

    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG MIT EINEM PWM-TRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN ODER STEUERN EINER OPTOELEKTRONISCHEN LEUCHTVORRICHTUNG
    60.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG MIT EINEM PWM-TRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN ODER STEUERN EINER OPTOELEKTRONISCHEN LEUCHTVORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102018131023A1

    公开(公告)日：2020-06-25

    申请号：DE102018131023

    申请日：2018-12-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  RICHTER JENS

    IPC: H05B45/325 ,  G09G3/32 ,  H01L27/15

    Abstract: Eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (10) umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (11), das ausgebildet ist, Licht zu erzeugen, eine Stromquelle (12), die ausgebildet ist, einen Strom zu erzeugen, und einen mit einem pulsweitenmodulierten Signal angesteuerten PWM-Transistor (13), der in Abhängigkeit von dem pulsweitenmodulierten Signal einen ersten Zustand oder einen zweiten Zustand annimmt und der ausgebildet ist, das optoelektronische Halbleiterbauelement (11) im ersten Zustand mit dem von der Stromquelle (12) erzeugten Strom zu versorgen und im zweiten Zustand von dem von der Stromquelle (12) erzeugten Strom zu entkoppeln, wobei die Stromquelle (12) mittels einer ersten Technologie hergestellt ist und der PWM-Transistor (13) mittels einer zweiten Technologie hergestellt ist.

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