Patent search cpc:"H01L2224/48599" Page 8

71.

发明授权
Ag-Au-Pd三元合金接合线有权

公开(公告)号：CN103155130B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180049000.5

申请日：2011-11-01

Applicant: 田中电子工业株式会社

Inventor： 千叶淳 , 手岛聪 , 小林佑 , 安德优希

IPC: H01L21/60 , C22C5/06

CPC classification number: C22C5/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/431 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/48463 , H01L2224/48507 , H01L2224/48599 , H01L2224/48624 , H01L2224/48824 , H01L2224/85075 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/00014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01046 , H01L2924/01039 , H01L2924/01064 , H01L2924/0106 , H01L2924/01062 , H01L2924/01004 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2924/01205 , H01L2924/01022 , H01L2924/01077 , H01L2924/00013

Abstract: 本发明的目的是提高用于在高温和高湿度环境中使用的半导体的接合线键合至铝焊点的可靠性。解决方式是一种用于半导体装置的Ag-Au-Pd三元合金接合线，所述接合线由4-10质量％的具有99.999质量％以上的纯度的金，2-5质量％的具有99.99质量％以上的纯度的钯和剩余质量％的具有99.999质量％以上的纯度的银制成。这种用于半导体的接合线包含15-70重量ppm的氧化性非贵金属元素，并且在通过模具连续拉伸之前经过热退火，且在通过模具连续拉伸之后经过热回火，并且这种接合线在氮氛中进行球焊。在铝焊点与线之间的界面处的Ag2Al金属间化合物层与Ag-Au-Pd三元合金线之间的腐蚀由Au2Al和富Pb层抑制。

72.

发明授权
半导体装置、用于制造半导体装置的方法以及电子器件失效

公开(公告)号：CN102651352B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201210034475.3

申请日：2012-02-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 谷元昭 , 冈本圭史郎

IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/78 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/3737 , H01L23/49822 , H01L23/66 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05558 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/06155 , H01L2224/06181 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29116 , H01L2224/29118 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/32225 , H01L2224/3224 , H01L2224/32245 , H01L2224/33183 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48599 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48666 , H01L2224/48699 , H01L2224/48724 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/48766 , H01L2224/48799 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/48866 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/1026 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/1047 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/13064 , H01L2924/142 , H01L2924/15153 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、用于制造半导体装置的方法以及电子器件，所述半导体装置包括：包括第一电极的半导体器件；包括第二电极和凹部的衬底；和散热粘合材料，该散热粘合材料将半导体器件固定在凹部中，以将第一电极布置为靠近第二电极，其中第一电极耦接到第二电极，并且散热粘合材料覆盖半导体器件的底表面和侧表面的至少一部分。

73.

发明授权
半导体器件及其制造方法和制造装置有权转让

公开(公告)号：CN102290391B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110066789.7

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 , 井本孝志 , 武部直人 , 石田胜广 , 本田友巳 , 熊谷靖

IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01R43/00

CPC classification number: H01L24/85 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48455 , H01L2224/48476 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/48992 , H01L2224/48997 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2224/49429 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/181 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , Y10T29/41 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48465 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及半导体器件的制造装置。根据一个实施例，一种半导体器件包括第一半导体元件、第一电极、球部、第二电极、以及线。所述第一电极被电连接到所述第一半导体元件。所述球部被设置在所述第一电极上。所述线连接所述球部和所述第二电极。位于所述线的与所述第二电极相反的一侧的端部处的折返部的厚度小于所述线的直径。

74.

发明授权
树脂密封型半导体装置及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN101901788B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201010113656.6

申请日：2010-02-05

Applicant: 精工电子有限公司

Inventor： 木村纪幸

IPC: H01L23/12 , H01L21/56 , H01L23/29

CPC classification number: H01L24/14 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/49171 , H01L2224/85001 , H01L2224/85423 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18165 , H01L2924/351 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/20752 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供树脂密封型半导体装置及其制造方法。树脂密封型半导体装置具有：半导体元件；多个微球，其表里一体地具有内部端子面和外部端子面；金属线，其将所述半导体元件与所述内部端子面电连接；以及密封体，其利用密封树脂来密封所述半导体元件、所述多个端子部的一部分和所述金属线，该树脂密封型半导体装置构成为，所述半导体元件的背面从所述密封体露出，并且，所述多个微球的一部分作为外部端子面，从所述密封体的底面呈突起状地露出。

75.

发明公开
与线焊盘有关且降低高RF损耗镀覆影响的设备和方法有权

公开(公告)号：CN103503133A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021283.7

申请日：2012-02-29

Applicant: 天工方案公司

Inventor： W.孙 , 小皮特.J.赞帕迪 , H.邵

IPC: H01L23/48 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2223/6611 , H01L2223/6672 , H01L2224/04042 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48599 , H01L2224/48611 , H01L2224/48616 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/49111 , H01L2224/85411 , H01L2224/85416 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00011

Abstract: 为了降低与高射频（RF）损耗镀覆有关的RF损耗，例如，镍/钯/金（Ni/Pd/Au）镀覆，在某些实施例中，焊料掩模可以被重构以防止线焊区域的边缘和侧壁被镀覆。使线焊区域的边缘和侧壁不被高RF损耗镀覆（例如Ni/Pd/Au镀覆）提供了RF电流围绕高阻抗材料流动的通道，这降低了与高阻抗镀覆材料有关的RF信号损耗。而且，为了降低与高RF损耗镀覆（例如，Ni/Pd/Au镀覆）有关的RF损耗，与射频集成电路（RFIC）有关的诸如电容器、电阻器或电感器的芯片上无源器件可相对于RFIC的RF信号输出设置在RF上信号通道中。通过在RF上信号通道中设置芯片上无源器件，RF电流不直接流过无源器件焊盘的高RF损耗镀覆材料。

76.

发明公开
用于缩减多重堆栈的整体封装尺寸的针脚凸块堆栈设计有权转让

公开(公告)号：CN103329263A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180049007.7

申请日：2011-08-10

Applicant: 斯班逊有限公司

Inventor： 赖玉清 , F·Y·何 , W·K·南 , K·E·龙 , S·冯 , 关凯澄

IPC: H01L23/48 , H01L23/12

CPC classification number: H01L24/49 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48456 , H01L2224/48465 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/48997 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49427 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/8503 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48455 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明揭示一种用于堆栈晶粒的方法。在一实施例中，形成覆在衬底上的第一晶粒。第一配线接合至该第一晶粒以及至该衬底的指状焊片，其中，该第一配线用第一焊点接合至该指状焊片。形成覆在该第一针脚焊点上的第一针脚凸块，其中，该第一针脚凸块是由导电材料的一熔球形成。形成覆在该第一晶粒上的第二晶粒。第二配线接合至该第二晶粒以及至该第一针脚凸块，其中，该第二配线用第二焊点接合至该第一针脚凸块。

77.

发明公开
半导体封装件和制造半导体封装件的方法有权

公开(公告)号：CN103247589A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310049396.4

申请日：2013-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗珍 , 金营式 , 吴基宅 , 洪性福

IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/065

CPC classification number: H01L24/85 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L25/0657 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48616 , H01L2224/48624 , H01L2224/48992 , H01L2224/48997 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/85365 , H01L2224/85416 , H01L2224/85951 , H01L2224/85986 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/48455

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。该半导体封装件包括：包括板焊盘的板；安装在板上的多个半导体芯片，半导体芯片包括芯片焊盘。突起分别设置在芯片焊盘上，引线设置在芯片焊盘和突起之间。引线将多个半导体芯片的芯片焊盘和板焊盘彼此电连接。

78.

发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN103219323A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310018017.5

申请日：2013-01-17

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： 谷口敏光

IPC: H01L23/544 , H01L21/66

CPC classification number: H01L23/544 , H01L22/34 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/48599 , H01L2224/48624 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，能够防止划片TEG焊盘的切断残渣部从半导体芯片的端部剥落而使接合线之间、器件焊盘之间或者接合线与器件焊盘之间发生短路。由在划片槽（1）内向器件形成区域（2）的方向延伸的多个长方形焊盘构成半导体晶片（60）的划片TEG焊盘（3）。通过切割将半导体晶片（60）分割为半导体芯片（62），此时被切割而残留在半导体芯片端部的划片TEG焊盘（3）的切断残渣部（3a）的长度小于相邻的所述器件焊盘上的所述钝化膜（40）的开口部（40a）端部彼此之间的间隔。