Lithographieanlage mit einer Überwachungseinrichtung für ein Pellikel

    公开(公告)号:DE102019117964A1

    公开(公告)日:2020-07-23

    申请号:DE102019117964

    申请日:2019-07-03

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Lithographieanlage, insbesondere eine EUV-Lithographieanlage (1), umfassend: ein Beleuchtungssystem (10) zur Beleuchtung einer Maske (M), ein Pellikel (P) zum Schutz der Maske (M), sowie ein Projektionssystem (20) zum Abbilden der Maske (M) auf ein Substrat (W). Die Lithographieanlage umfasst eine Überwachungseinrichtung (31) zur Überwachung eines Zustands des Pellikels (P), das an einem Maskentisch (MS) entweder an einer Belichtungsposition (EX) im Nutzstrahlengang (7, 8) der Lithographieanlage (1) oder an einer Inspektionsposition (IS) außerhalb des Nutzstrahlengangs (7, 8) gelagert ist. Die Überwachungseinrichtung (31) weist mindestens einen Detektor (31a-d) zur Erfassung mindestens einer vom Zustand des Pellikels (P) abhängigen Messgröße (38, Z) auf. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Überwachen eines Zustands eines Pellikels (P) in einer Lithographieanlage, insbesondere in einer EUV-Lithographieanlage (1).

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