Patent search cpc:"H01L2924/01075" Page 8

71.

发明授权
叠层封装及其制造方法失效

公开(公告)号：CN101335262B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710196246.0

申请日：2007-11-30

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 郑冠镐

IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/94 , H01L2224/05001 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种叠层封装及其制造方法。所述叠层封装包括放置的第一和第二半导体芯片，使得所述叠层封装的其上形成结合焊垫的表面相互面对；形成于第一和第二半导体芯片内的多个贯穿硅通路；和成于第一和第二半导体芯片的表面上从而连接所述贯穿硅通路至对应的结合焊垫的多个再分布层形，其中所述第一和第二半导体芯片的再分布层相互接触。通过用这种方式形成叠层封装，可以防止在制造工艺期间形成的捡取误差和裂纹，并且因此可以可靠地形成叠层封装。

72.

发明公开
系统级封装有权转让

公开(公告)号：CN102473684A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032884.9

申请日：2010-07-22

Applicant: 米辑电子股份有限公司

Inventor： 林茂雄 , 李进源

IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L27/06 , H01L23/00

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L23/60 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0251 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/24145 , H01L2224/24225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/013

Abstract: 本发明描述系统级封装或多芯片模块，其可包含在载体上方的多层芯片与多层虚拟衬底、未完全地或完全地穿过所述多层芯片且完全地穿过所述多层虚拟衬底的多个穿透通孔、在所述穿透通孔中的多个金属插塞，以及在所述多层芯片之间的连接到所述金属插塞的多个金属互连件。所述多层芯片可通过所述金属插塞和所述金属互连件互相连接，或连接到外部电路或结构，例如母板、球栅格阵列BGA衬底、印刷电路板、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。

73.

发明公开
电子部件的制造方法及电子部件失效

公开(公告)号：CN102473655A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031710.0

申请日：2010-07-09

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 前岛研三 , 桂山悟 , 和布浦彻

IPC: H01L21/60

CPC classification number: C09D163/00 , H01L21/563 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81091 , H01L2224/81093 , H01L2224/81097 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81204 , H01L2224/81209 , H01L2224/81211 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8349 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512

Abstract: 本发明的电子部件制造方法是将具有连接用金属电极的第1电子部件和具有连接用焊接电极的第2电子部件接合的焊接接合方法，其特征在于，顺次进行下述工序：在上述第1电子部件及上述第2电子部件的焊接接合面中的至少一方形成含有热固性树脂的树脂层的第1工序；形成上述含有热固性树脂的树脂层后，将上述第1电子部件的连接用金属电极和上述第2电子部件的连接用焊接电极以对置方式对位，在比上述连接用焊接电极的焊料的熔点低的温度下进行加热及加压，由此使上述连接用金属电极和上述连接用焊接电极对接的第2工序；将上述对接的第1电子部件和第2电子部件边通过加压流体进行加压，边在比上述连接用焊接电极的焊料的熔点高的温度下进行加热，使上述连接用焊接电极的焊料与上述连接用金属电极熔融接合的第3工序；将上述含有热固性树脂的树脂层在比上述连接用焊接电极的焊料的熔点低的温度下进行加热，由此使其固化的第4工序。

74.

发明公开
晶圆级半导体封装件及其制造方法有权复审申请

公开(公告)号：CN102468257A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110051621.9

申请日：2011-02-22

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 约翰·R·杭特

IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/295 , H01L23/296 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L25/117 , H01L25/50 , H01L2224/02377 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/11 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种晶圆级半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括至少一半导体芯片、中介层组件、封装体及下重布层。半导体芯片具有主动面。中介层组件具有上表面及下表面，中介层组件具有至少一导通孔，导通孔延伸于上表面与下表面之间。封装体包覆部分的主动芯片及部分之中介层组件。下重布层电性连接中介层组件与半导体芯片的主动面。

75.

发明公开
半导体器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102456663A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110309782.3

申请日：2011-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世泳 , 宋昊建 , 李忠善 , 李镐珍

IPC: H01L23/522 , H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73257 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一半导体芯片，其包括穿透其至少一部分的第一穿透电极和第二穿透电极，第一穿透电极具有第一突出高度，第二穿透电极具有高于第一突出高度的第二突出高度；第二半导体芯片，其与第一穿透电极电连接；以及第三半导体芯片，其与第二穿透电极电连接。

76.

发明公开
检查基板的接合结构的方法和接合结构检验设备有权

公开(公告)号：CN102439708A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080015400.X

申请日：2010-02-08

Applicant: 新加坡科技研究局 , 钟泰技术私人有限公司

Inventor： 钟金鹏 , 林秋江 , 徐健 , 刘通 , 唐再昕 , 林伟业

IPC: H01L21/66 , G01N21/956 , G01N21/29 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 , G01N21/8806 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73265 , H01L2224/78901 , H01L2224/85121 , H01L2224/859 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751

Abstract: 在实施方式中，可以提供用于检查基板的接合结构的方法。该方法可以包括：提供包括待检查的接合结构的基板；确定包括待检查的接合结构的部分的一个或多个预定关注区域的一个或更多个立体图像，所述预定关注区域对应于参考基板的参考接合结构的存储的预定参考模型中的参考关注区域；从多个预定关注区域中的一个或更多个中确定待检查的接合结构的一个或更多个二维特征参数和一个或更多个三维特征参数；以及判断所确定的特征参数是否满足关于参考模型的至少一个预定质量标准。

77.

发明公开
功率用半导体装置有权

公开(公告)号：CN102414825A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200980159009.4

申请日：2009-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田和成

IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L23/52 , H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L29/0649 , H01L29/41741 , H01L29/456 , H01L29/7813 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/4847 , H01L2224/48724 , H01L2224/85205 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及功率用半导体装置。栅极电极（26）用于控制流过半导体层（SL）的电流。栅极绝缘膜（29）将半导体层（SL）与栅极电极（26）彼此电绝缘。导体部（24）设置在半导体层（SL）上且与半导体层（SL）电连接。层间绝缘膜(25)以导体部（24）与栅极电极（26）电绝缘的方式设置在栅极电极（26）上。缓冲绝缘膜（23）覆盖导体部（24）及层间绝缘膜（25）上的一部分区域并且由绝缘体构成。电极层（21）具有位于导体部（24）露出的区域上的布线部分（21w）及位于缓冲绝缘膜（23）上的焊盘部分（21p）。由此，能够抑制引线（22）连接到焊盘部分（21p）时对IGBT的损伤。此外，能够防止电流集中引起的破坏的产生，能够处理更大的功率。

78.

发明公开
堆叠半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN102376695A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110230869.1

申请日：2011-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐哲

IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L21/98

CPC classification number: H01L24/97 , H01L23/3107 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00

Abstract: 一种堆叠半导体器件可以具有三维堆叠的多个芯片。堆叠半导体器件可以包括第一半导体芯片和至少一个第二半导体芯片。第一半导体芯片可以包括多个第一硅通孔(TSV)。至少一个第二半导体芯片可以包括多个第二TSV。至少一个第二半导体芯片可以堆叠在第一半导体芯片上方并可以比第一半导体芯片薄。因此，堆叠半导体器件可以具有改善的可靠性。