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    Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge
    13.
    发明专利
    Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge 未知

    公开(公告)号：DE102015104147B4

    公开(公告)日：2019-09-12

    申请号：DE102015104147

    申请日：2015-03-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KLEMP CHRISTOPH ,  ENGLHARD MARCO

    IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00 ,  H01L21/301 ,  H01L31/18 ,  H01L33/02

    Abstract: Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) umfassend die folgenden Schritte:A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (11a) der Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei- die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und- die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind,B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben (14) befindet,C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) undD) Ablösen des Aufwachssubstrats (10),wobei während der Schritte B) bis D) ein Keil zwischen dem Aufwachssubstrat (10) und dem Träger (13) angesetzt wird, wobei mittels der Druckvariation innerhalb des Ätzbades (40) gezielt ein Volumen von Gasblasen (20) in den Trenngräben (14) geändert wird, sodass die Gasblasen (20) bei geringem Druck der Variation groß und bei hohem Druck der Variation klein gegenüber Strukturgrößen der Trenngräben (14) sind, wobei außerdem- vor Schritt B) eine an das Ätzbad (40) angeschlossene und mit diesem verbundene Pufferkammer (50) bereitgestellt wird und die Druckvariation zu einer Volumenvariation führt und die Volumenvariation durch eine Bewegung eines in die Pufferkammer (50) eingebrachten Kolbens oder Hydraulikstempels (51) erfolgt, und/oder- die Druckvariation zu einer Volumenvariation führt und die Volumenvariation zumindest teilweise mit einem an das Ätzbad (40) angebrachten Kompressor (351) erfolgt, und/oder- die Druckvariation zumindest teilweise durch Entfernen oder Hinzufügen von Gas und Flüssigkeit in beziehungsweise aus dem Ätzbad (40) erfolgt und das Entfernen mit einer an das Ätzbad (40) angeschlossenen ersten Vakuumpumpe (31) erfolgt und das Hinzufügen mit einem an das Ätzbad (40) angeschlossenen Gaseinlass (352) erfolgt.

    Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge
    14.
    发明专利
    Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats von einer Schichtenfolge 未知

    公开(公告)号：DE102015104147A1

    公开(公告)日：2016-09-22

    申请号：DE102015104147

    申请日：2015-03-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KLEMP CHRISTOPH ,  ENGLHARD MARCO

    IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00 ,  H01L21/301 ,  H01L31/18 ,  H01L33/02

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (11a) der Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei – die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und – die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind, B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben (14) befindet, C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (10).

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
    16.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102013022696B4

    公开(公告)日：2025-02-20

    申请号：DE102013022696

    申请日：2013-05-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRÖLL MARKUS ,  KLEMP CHRISTOPH ,  SCHMID WOLFGANG

    IPC: H10H20/83 ,  H10D64/01

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Halbleiterkristalls (100), der eine Oberfläche (110) aufweist;- Aufbringen einer ersten Schicht (200), die ein Dielektrikum aufweist, auf die Oberfläche (110);- Aufbringen und Strukturieren einer Fotolackschicht (300) auf der ersten Schicht (200), wobei die Fotolackschicht (300) so strukturiert wird, dass sie eine Öffnung (310) aufweist;- Teilweises Herauslösen der ersten Schicht, um einen ersten und einen zweiten lateralen Bereich (120, 121, 122) der Oberfläche (110) freizulegen, wobei in einem dritten lateralen Bereich (11) die erste Schicht (200) auf der Oberfläche angeordnet ist, wobei die Fotolackschicht (300) während des Herauslösens der ersten Schicht (200) teilweise unterätzt wird;- Aufbringen einer Kontaktfläche (410), die ein erstes Metall aufweist, im ersten lateralen Bereich (121) der Oberfläche (110);- Entfernen der Fotolackschicht (300);- Aufbringen einer zweiten Schicht (500), die ein optisch transparentes, elektrisch leitfähiges Material aufweist, auf die Kontaktfläche (410) und den zweiten lateralen Bereich (120, 122) der Oberfläche (110);- Aufbringen einer dritten Schicht (600), die ein zweites Metall aufweist, auf die zweite Schicht (500).

    Verfahren zur Anpassung der Abstrahlung von Leuchtdioden in Bildpunkten einer Anzeigevorrichtung und Anzeigevorrichtung
    18.
    发明专利
    Verfahren zur Anpassung der Abstrahlung von Leuchtdioden in Bildpunkten einer Anzeigevorrichtung und Anzeigevorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102016113061A1

    公开(公告)日：2018-01-18

    申请号：DE102016113061

    申请日：2016-07-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS ,  KREUTER PHILIPP ,  KLEMP CHRISTOPH ,  EBBECKE JENS ,  PIETZONKA INES ,  SUNDGREN PETRUS

    IPC: G05D25/02

    Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Anpassung der Abstrahlung von Leuchtdioden (21, 22, 23) in Bildpunkten (2) einer Anzeigerichtung (1) vorgesehen. Dabei weist die Anzeigevorrichtung (1) viele Bildpunkte (2) auf, die je zur einstellbaren Abstrahlung von Mischlicht eingerichtet sind. Die Bildpunkte (2) umfassen je mehrere Leuchtdioden (21, 22, 23) und diese Leuchtdioden (21, 22, 23) emittieren im Betrieb verschiedenfarbig, sodass das Mischlicht zusammengesetzt wird. Zumindest einige der Bildpunkte (2) umfassen je mindestens eine Leuchtdiode (21, 22, 23), die wenigstens zeitweise als Fotodetektor betrieben wird und eine Helligkeit misst. Durch die gemessene Helligkeit wird je ein Emissionsvermögen der betreffenden Leuchtdiode (21, 22, 23) und/oder des betreffenden Bildpunkts (2) ermittelt. Die Leuchtdioden (21, 22, 23) der Bildpunkte (2) werden gemäß der jeweils ermittelten Emissionsvermögen angesteuert, sodass eine Alterung der Leuchtdioden (21, 22, 23) kompensiert wird.

    Verfahren zur Ablösung eines Substrats, Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens und Pumpvorrichtung zum Pumpen von Ätzlösung
    19.
    发明专利
    Verfahren zur Ablösung eines Substrats, Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens und Pumpvorrichtung zum Pumpen von Ätzlösung 未知

    公开(公告)号：DE102014115799A1

    公开(公告)日：2016-05-04

    申请号：DE102014115799

    申请日：2014-10-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SUNDGREN PETRUS ,  ENGLHARD MARCO ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  KLEMP CHRISTOPH

    IPC: H01L21/306 ,  B81C1/00 ,  C23F1/08

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Substrats (11) von einer Schichtenfolge (13) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Verbundes (1, 2), aufweisend – einen Wafer (1) mit dem Substrat (11), der Schichtenfolge (13) und einer zwischen dem Substrat (11) und der Schichtenfolge (13) angeordneten Opferschicht (12), – einen Träger (2) an einer dem Substrat (11) abgewandten Deckfläche (13a) der Schichtenfolge (13), und – zumindest zwei Trenngräben (14), die sich in vertikaler Richtung (Z) durch die Schichtenfolge (13) erstrecken, b) Anbringen einer Pumpvorrichtung (3) an dem Verbund (1, 2), c) Einbringen des Verbundes (1, 2) in ein Ätzbad (4) mit einer Ätzlösung (41), und anschließend d) Erzeugen eines Druckgradienten (5) zwischen den Trenngräben (14) und der Ätzlösung (41) mit der Pumpvorrichtung (3) derart, dass die Ätzlösung (41) durch die Trenngräben (14) stellenweise entlang der Opferschicht (12) fließt und stellenweise in direktem Kontakt mit der Opferschicht (12) steht, e) Ablösen des Substrats (11).

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
    20.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102010046089A1

    公开(公告)日：2012-03-22

    申请号：DE102010046089

    申请日：2010-09-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  RUPPRICH CHRISTOPH ,  KLEMP CHRISTOPH

    IPC: H01L33/10

    Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) vorgesehen, der einen Halbleiterschichtenstapel (3) und einen Spiegel (2) aufweist. Der Halbleiterscur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung auf. Der Spiegel (2) ist an einer Unterseite, des Halbleiterschichtenstapels (3) angeordnet. Der Spiegel 12) weist einen ersten Bereich (2a) und einen zweiten Bereich (2b) auf, wobei der erste Bereich (2a) Silber und der zweite Bereich (2b) Gold enthält. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterchips (10) angegeben.

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