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    Halbleiterchip mit transparenter Stromaufweitungsschicht
    24.
    发明专利
    Halbleiterchip mit transparenter Stromaufweitungsschicht 未知

    公开(公告)号：DE102017114467A1

    公开(公告)日：2019-01-03

    申请号：DE102017114467

    申请日：2017-06-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE TANSEN

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/36 ,  H01L33/40

    Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (10) mit einem strahlungsdurchlässigen Träger (1), einem Halbleiterkörper (2) und einer transparenten Stromaufweitungsschicht (3) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine n-seitige Halbleiterschicht (21), eine p-seitige Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende optisch aktive Zone (23) aufweist. Der Halbleiterkörper ist mittels einer strahlungsdurchlässigen Verbindungsschicht (5) mit dem Träger befestigt. Die Stromaufweitungsschicht basiert auf Zinkselenid und grenzt an die n-seitige Halbleiterschicht an.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.

    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement
    25.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE112016000546T5

    公开(公告)日：2017-11-16

    申请号：DE112016000546

    申请日：2016-01-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  X-CELEPRINT LTD

    Inventor： MEITL MATTHEW ,  BOWER CHRISTOPHER ,  VARGHESE TANSEN

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen angegeben, wobei eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich, der zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, auf ein Substrat aufgebracht wird. Eine Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht wird gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge wird in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern durch Bilden zumindest eines Grabens, der die Halbleiterkörper trennt, strukturiert. Eine Isolationsschicht wird aufgebracht, die den Graben und vertikale Flächen der Halbleiterkörper bedeckt. Eine Vielzahl von Ankerelementen wird durch Strukturieren der Isolationsschicht in einem Bereich gebildet, der den Graben bedeckt. Das Substrat wird lokal von den Halbleiterkörpern gelöst, wobei die Ankerelemente an dem Substrat befestigt bleiben. Zumindest ein Halbleiterkörper mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem aktiven Bereich zusammen mit einer dazugehörigen Kontaktstruktur wird durch Trennen der Ankerelemente von dem Substrat wahlweise aufgegriffen. Des Weiteren wird ein Halbleiterbauelement angegeben, das nach dem oben genannten Verfahren hergestellt ist.

    Strahlungskörper und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskörpers
    27.
    发明专利
    Strahlungskörper und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskörpers 未知

    公开(公告)号：DE102015102365A1

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：DE102015102365

    申请日：2015-02-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREUTER PHILIPP ,  VARGHESE TANSEN

    IPC: H01L33/20 ,  H01L31/0236 ,  H01L33/58 ,  H01S5/02

    Abstract: Es wird ein Strahlungskörper (100) mit einem Basiskörper (1) angegeben, der im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert. Der Strahlungskörper (100) umfasst zumindest eine Hauptseite (11) mit einer Grobstruktur (2) aus ersten Erhebungen (20) und zumindest eine Strahlungsfläche (12) mit einer Feinstruktur (3) aus zweiten Erhebungen (30). Über die Strahlungsfläche (12) wird die Strahlung aus dem Strahlungskörper (100) ausgekoppelt oder in den Strahlungskörper (100) eingekoppelt, sodass die Strahlung die Feinstruktur (3) passiert und die Feinstruktur (3) dabei für die Strahlung einen graduellen Brechungsindexübergang zwischen an die Strahlungsfläche (12) angrenzenden Materialien bewirkt. Die Strahlung weist ein globales Maximum der Strahlungsintensität bei einer Hauptwellenlänge (λmax) gemessen im Vakuum auf. Die ersten Erhebungen (20) weisen Höhen und Breiten von jeweils mindestens λmax/n auf, wobei n der Brechungsindex des Materials ist, aus dem die Strahlung auf die Strahlungsfläche (12) trifft. Die zweiten Erhebungen (30) verjüngen sich jeweils hin zum Maximum und weisen jeweils Höhen von mindestens 0,6·λmax/n und Breiten von höchstens λmax/(2n) auf. Der Abstand zwischen benachbarten zweiten Erhebungen beträgt jeweils höchstens λmax/(2n).

    Optoelektronisches Bauelement
    30.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102013202902A1

    公开(公告)日：2014-08-28

    申请号：DE102013202902

    申请日：2013-02-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN ,  VARGHESE TANSEN ,  SABATHIL MATTHIAS

    IPC: H01L33/48 ,  H01L31/0203 ,  H01S5/022

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Trägeroberfläche, wobei ein erster lateraler Abschnitt der Trägeroberfläche gegenüber einem zweiten lateralen Abschnitt der Trägeroberfläche erhaben ist, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche auf der Trägeroberfläche, wobei die erste Oberfläche der Trägeroberfläche zugewandt wird, und zum Ausbilden eines Formkörpers mit einer der Trägeroberfläche zugewandten Oberseite und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite, wobei der Halbleiterchip zumindest teilweise in den Formkörper eingebettet wird.

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