公开(公告)号：DE102014117236A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102014117236

申请日：2014-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOCHE BERNHARD ,  ENGELHARDT MANFRED ,  GOLLER BERNHARD ,  LEUSCHNER RAINER ,  MAYER KARL ,  NOEHAMMER BERND ,  RÖSNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  VOERCKEL MONIKA CORNELIA ,  WENDT HERMANN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten eines Halbleiterwerkstücks können enthalten: das Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks mit einem oder mit mehreren Trennfugengebieten; das Ausbilden eines oder mehrerer Gräben in dem Werkstück durch das Entfernen von Material aus dem einen oder aus den mehreren Trennfugengebieten von einer ersten Seite des Werkstücks aus; das Anbringen des Werkstücks mit der ersten Seite an einem Träger; das Dünnen des Werkstücks von einer zweiten Seite des Werkstücks aus; und das Ausbilden einer Metallisierungsschicht über der zweiten Seite des Werkstücks.

公开(公告)号：DE102014110839A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE102014110839

申请日：2014-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FORSTER MAGDALENA ,  GOLLER BERNHARD ,  SCHMUT KATHARINA ,  SORGER MICHAEL

IPC: H01M2/14 ,  H01M10/05 ,  H01M10/058

Abstract: Ausführungsformen stellen eine Batteriezelle bereit, die eine poröse Membran aufweist, wobei die poröse Membran ein umgewandeltes Halbleitermaterial umfasst. Die poröse Membran trennt eine erste Halbzelle von einer zweiten Halbzelle der Batteriezelle. Die poröse Membran umfasst Kanäle, die zulassen, dass sich Ionen und/oder ein Elektrolyt zwischen der ersten Halbzelle und der zweiten Halbzelle bewegen.

公开(公告)号：DE102019122614B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE102019122614

申请日：2019-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESKE RALF ,  BINTER ALEXANDER ,  DIEWALD WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  GRAF HEIMO ,  LACKNER GERALD ,  RICHTER JAN ,  RUPP ROLAND ,  SCHAGERL GÜNTER ,  SWOBODA MARKO

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:Bereitstellen eines Ausgangssubstrats (100), das ein zentrales Gebiet (110) und ein Randgebiet (180) aufweist, wobei das Randgebiet (180) das zentrale Gebiet (110) umgibt;Ausbilden einer Ablöseschicht (150) im zentralen Gebiet (110), wobei sich die Ablöseschicht (150) parallel zu zwei horizontalen Hauptoberflächen (101, 102) des Ausgangssubstrats (100) erstreckt und wobei die Ablöseschicht (150) modifiziertes Substratmaterial aufweist; undAusbilden einer Vertiefung (190) im Randgebiet (180), wobei die Vertiefung (190) das zentrale Gebiet (110) lateral umschließt, wobei die Vertiefung (190) schräg zur Ablöseschicht (150) verläuft,wobei ein Ausbilden der Vertiefung (190) einen laserunterstützten Materialabtrag aufweist, wobei der laserunterstützte Materialabtrag ein Richten eines Laserstrahls (800) ganz oder teilweise auf eine laterale äußere Oberfläche (103) des Ausgangssubstrats (100) aufweist, wobei die laterale äußere Oberfläche (103) die beiden Hauptoberflächen (101, 102) verbindet und wobei ein Winkel zwischen einer Ausbreitungsrichtung des Laserstrahls (800) und einer horizontalen Ebene zumindest 30 Grad beträgt.

公开(公告)号：DE112022005092T5

公开(公告)日：2024-08-08

申请号：DE112022005092

申请日：2022-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  BINTER ALEXANDER CHRISTIAN ,  HUBER MARTIN ,  HÖCHBAUER TOBIAS FRANZ WOLFGANG ,  MODER IRIS ,  PICCIN MATTEO ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers umfasst: Bilden einer oder mehrerer epitaktischer Schichten über einer ersten Hauptoberfläche des Halbleiterwafers; Bilden einer oder mehrerer poröser Schichten in dem Halbleiterwafer oder in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten, wobei der Halbleiterwafer, die eine oder die mehreren epitaktischen Schichten und die eine oder die mehreren porösen Schichten zusammen ein Substrat bilden; Bilden dotierter Bereiche einer Halbleitervorrichtung in der einen oder den mehreren epitaktischen Schichten; und nach dem Bilden der dotierten Bereiche der Halbleitervorrichtung, Trennen eines nicht porösen Teils des Halbleiterwafers von einem Rest des Substrats entlang der einen oder der mehreren porösen Schichten.

公开(公告)号：DE102018117393A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102018117393

申请日：2018-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEITGEB WALTER ,  BRUNNER DANIEL ,  FERLAN LUKAS ,  OTTOWITZ MARKUS ,  GOLLER BERNHARD

IPC: H01L21/683

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Auflagetisch (100) Folgendes aufweisen: eine Grundplatte (102), die eine Stützstruktur (104) aufweist, wobei die Stützstruktur (104) einen Stützbereich (104r) über der Grundplatte (102) zum Stützen mindestens eines von einem Werkstück oder einem Werkstückträger (200) darin definiert; und eine oder mehrere lichtemittierende Komponenten (106), die zwischen der Grundplatte (102) und dem Stützbereich (104r) angeordnet sind, wobei die eine oder mehreren lichtemittierenden Komponenten (106) dazu ausgebildet sind, Licht in den Stützbereich (104r) zu emittieren.

公开(公告)号：DE102017122650A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102017122650

申请日：2017-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  GOLLER BERNHARD

IPC: H01L21/782 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung beinhaltet Folgendes: teilweises Trennen einer Substratwaferanordnung mit mehreren Halbleiterchips, wobei durch das teilweise Trennen Gräben um die Halbleiterchips herum auf einer Vorderseite der Substratwaferanordnung ausgebildet werden, wobei die Tiefe größer als eine Zieldicke eines Halbleiterchips ist, Füllen der Gräben mit einem Polymermaterial zum Ausbilden einer Polymerstruktur, erstes Dünnen der Rückseite der Substratwaferanordnung zum Freilegen von Teilen der Polymerstruktur, Ausbilden einer leitfähigen Schicht auf der Rückseite der Substratwaferanordnung, so dass die freigelegten Teile der Polymerstruktur abgedeckt sind, zweites Dünnen der Rückseite der Substratwaferanordnung zum Ausbilden von inselförmigen Inseln von leitfähigem Material, wobei die inselförmigen Inseln durch die Polymerstruktur voneinander separiert sind, wobei jede inselförmige Insel einem jeweiligen der mehreren Halbleiterchips entspricht, und Trennen der Substratwaferanordnung entlang der Polymerstruktur.

公开(公告)号：DE102015101382A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：DE102015101382

申请日：2015-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK ,  KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KARLOVSKY KAMIL ,  THEUSS HORST ,  GOLLER BERNHARD

IPC: A61B5/0215 ,  A61B5/026 ,  G01L11/00

Abstract: Der implantierbare Gefäßfluidsensor (100) ist gestaltet, um wenigstens einen Gefäßfluidparameter eine Gefäßes (200) zu erfassen. Der implantierbare Gefäßfluidsensor (100) umfasst einen rohrförmigen Körper (300), der einen ersten Endteil (310) aufweist. Der erste Endteil (310) ist gestaltet, um in einen abgedichteten Übergang (215) mit dem offenen Gefäßende (210) des Gefäßes (200) eingeführt zu werden und einen solchen zu bilden. Der implantierbare Gefäßfluidsensor (100) umfasst weiterhin eine Sensoreinheit (400), die mit dem rohrförmigen Körper (300) verbunden ist. Die Sensoreinheit (400) umfasst einen Sensorbereich (410), der gestaltet ist, um in direktem Kontakt mit dem Gefäßfluid (230) in einem abgedichteten Übergangszustand zu sein. Der Mindestabstand (a) zwischen dem Sensorbereich (410) und dem ersten Endteil (310) beträgt höchstens 10-mal den äußeren Durchmesser (b) des ersten Endteiles (310) des rohrförmigen Körpers (300).

公开(公告)号：DE102015104800A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104800

申请日：2015-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RAJARAMAN VIJAYE KUMAR ,  KARLOVSKY KAMIL ,  NEIDHART THOMAS ,  MAYER KARL ,  LEUSCHNER RAINER ,  MOSER CHRISTINE ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZORN PETER

IPC: H01M10/0525 ,  H01L27/06 ,  H01M2/06

Abstract: Eine Lithium-Ionen-Batterie (2) umfasst ein erstes Substrat (100), das eine erste Hauptoberfläche (120) hat, und einen Deckel (200), der ein isolierendes Material umfasst. Der Deckel (200) ist an der ersten Hauptoberfläche (120) des ersten Substrates (100) angebracht, und ein Hohlraum (252) ist zwischen dem ersten Substrat (100) und dem Deckel (200) gebildet. Die Lithium-Ionen-Batterie (2) umfasst weiterhin ein elektrisches Zwischenverbindungselement (230) in dem Deckel (200), wobei das elektrische Zwischenverbindungselement (230) eine elektrische Verbindung zwischen einer ersten Hauptoberfläche (210) und einer zweiten Hauptoberfläche (220) des Deckels (200) vorsieht. Die Lithium-Ionen-Batterie umfasst weiterhin einen Elektrolyten (130) in dem Hohlraum (252), eine Anode (11) an dem ersten Substrat (100), wobei die Anode eine Komponente umfasst, die aus einem Halbleitermaterial hergestellt ist, und eine Kathode (12) an dem Deckel (200).

公开(公告)号：DE102015102272A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102015102272

申请日：2015-02-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOLLER BERNHARD ,  HESS EVA-MARIA ,  FUERGUT EDWARD ,  SCHWEIGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst das Bereitstellen eines Trägers und eines Halbleiterwafers, der eine erste Seite und eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite aufweist. Das Verfahren umfasst das Aufbringen eines dielektrischen Materials auf den Träger oder den Halbleiterwafer und das Verbinden des Halbleiterwafers mit dem Träger über das dielektrische Material. Das Verfahren umfasst das Verarbeiten des Halbleiterwafers und das Entfernen des Trägers vom Halbleiterwafer, sodass das dielektrische Material auf dem Halbleiterwafer erhalten bleibt, um eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die das dielektrische Material umfasst.

公开(公告)号：DE102013111292A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102013111292

申请日：2013-10-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FORSTER MAGDALENA ,  GOLLER BERNHARD ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  SCHMUT KATHARINA ,  SCHWEIZER PHILEMON ,  SORGER MICHAEL ,  STERNAD MICHAEL ,  WALTER THOMAS

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/04

Abstract: Eine Batterieelektrode (300) gemäß diversen Ausführungsformen kann Folgendes umfassen: ein Substrat (310), das eine Oberfläche (312a, 312b, 314a) umfasst, die so konfiguriert ist, dass sie einem ionenführenden Elektrolyten (308) gegenüberliegt; und eine erste das Diffusionsvermögen ändernde Region (397) auf einem ersten Teil (310a) der Oberfläche (312a, 312b, 314a), wobei die erste das Diffusionsvermögen ändernde Region (397) so konfiguriert ist, dass die Diffusion von Ionen, die von dem Elektrolyten (308) geführt werden, in das Substrat (310) ändert, und wobei ein zweiter Teil (310b) des Substrats (310) frei von der ersten das Diffusionsvermögen ändernden Region (397) ist.