현미경을 위한 반도체 하전 입자 검출기

    公开(公告)号:KR20210008044A

    公开(公告)日:2021-01-20

    申请号:KR20207035295

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 검출기에는감지요소어레이가제공될수 있다. 검출기는어레이를포함하는반도체기판, 및검출기에입사되는하전입자의개수를카운트하도록구성된회로를포함할수 있다. 검출기의회로는복수의감지요소로부터의출력을처리하고어레이의감지요소상의하전입자도착이벤트에응답하여카운터를증분시키도록구성될수 있다. 다양한카운팅모드가사용될수 있다. 카운팅은에너지범위를기초로할 수있다. 특정에너지범위에서하전입자의개수가카운트될수 있고, 감지요소에서오버플로우(overflow)에직면할때 오버플로우플래그(flag)가설정될수 있다. 회로는각각의감지요소에서발생하는각각의하전입자도착이벤트의타임스탬프를결정하도록구성될수 있다. 감지요소의크기는하전입자카운팅을가능하게하는기준에기초하여결정될수 있다.

    광빔의 공간적 변조
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:KR20200138728A

    公开(公告)日:2020-12-10

    申请号:KR20207026977

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 시스템은, 수정된광빔을생성하기위해광빔과상호작용하도록구성된공간변조디바이스 - 수정된광빔은수정된광빔의전파방향에수직인방향을따라불균일한세기를갖는광의공간패턴을포함하고, 광의공간패턴은하나이상의광 성분을포함함 -; 및플라즈마상태에있을때 EUV 광을방출하는타겟재료를포함하는타겟을타겟영역에제공하도록구성된타겟공급시스템을포함한다. 타겟영역은수정된광빔내의하나이상의광 성분중 적어도일부가타겟의부분과상호작용하도록빔 경로와중첩된다.

    프로세스 파라미터에 기반하여 기판을 라벨링하는 방법

    公开(公告)号:KR20200138328A

    公开(公告)日:2020-12-09

    申请号:KR20207031052

    申请日:2019-03-04

    Abstract: 제조프로세스의프로세스단계를거치는기판과연관된데이터를그룹화하기위한방법이개시된다. 이러한방법은, 프로세스단계의대상이되기전의기판과연관된제 1 데이터를획득하는단계, 및프로세스단계의대상이된 후의기판과연관된제 2 데이터의복수개의세트를획득하는단계를포함하고, 제 2 데이터의각각의세트는제 1 데이터의특성의상이한값과연관된다. 제 2 데이터의세트들사이의거리의척도를기술하는거리메트릭이결정되고; 상기거리메트릭의속성에기반하여제 2 데이터가그룹화된다.

    스테이지 장치, 리소그래피 장치, 제어 유닛 및 방법

    公开(公告)号:KR20200134307A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:KR20207030833

    申请日:2019-03-27

    Abstract: 본발명은스테이지장치를제공하고, 이스테이지장치는대상물지지부, 복수의지지부재및 제어유닛을포한한다. 대상물지지부는대상물을장착하기위한표면을포함한다. 이표면은평면내에서연장되어있다. 복수의지지부재는대상물을지지하기위한것이며, 그립퍼로부터대상물을받고또한대상물을표면에배치하며그리고/또는그 반대로도할 수있다. 지지부재는적어도평면에수직인제 1 방향으로움직일수 있다. 제어유닛은대상물의비평면형상에관한형상정보를받고또한지지부재의위치를제어하도록배치된다. 제어유닛은, 제 1 방향으로의대상물의공간점유를줄이도록위치를제어하여, 지지부재에의해지지되고있는대상물을형상정보에근거하여기울이도록배치된다.

    반도체 구조체의 모델 기반 재구성

    公开(公告)号:KR20200125686A

    公开(公告)日:2020-11-04

    申请号:KR20207027989

    申请日:2019-03-21

    Abstract: 기판상에제조된구조체의속성을결정하기위한방법및 장치에관한것으로서, 구조체의측정된퓨필이미지의픽셀로부터측정된특성을결정하는것 - 측정된특성은측정된퓨필이미지보다적은정보를포함함 -; 측정된특성에대응하고구조체의후보모델에기초하는초기시뮬레이션된특성을생성하는것; 측정된특성과시뮬레이션된특성간의차이가개략적임계치미만이될 때까지반복적인방법으로측정된특성을시뮬레이션된특성과비교하는것; 후보모델로서의개략적모델에기초하여초기시뮬레이션된퓨필이미지를생성하는것; 및측정된퓨필이미지의적어도일부와시뮬레이션된퓨필이미지의적어도일부간의차이가미세임계치미만이될 때까지반복적인방법으로측정된퓨필이미지의적어도일부를시뮬레이션된퓨필이미지의적어도일부와비교하는것에의해구조체의속성이결정된다.

    처리 파라미터의 간접 결정
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:KR20180066209A

    公开(公告)日:2018-06-18

    申请号:KR20187013422

    申请日:2016-09-21

    Inventor: WANG TE SHENG

    CPC classification number: G03F7/70558 G03F7/70625 G03F7/70641 H01L22/12

    Abstract: 본명세서에서, 패터닝공정에의해생성된기판의부분으로부터패터닝공정의직접측정가능한처리파라미터의값을측정하는단계; 직접측정가능한처리파라미터와직접측정가능하지않은처리파라미터간의관계를얻는단계; 및직접측정가능한처리파라미터의값 및관계로부터직접측정가능하지않은처리파라미터의값을결정하는단계를포함하는방법이개시된다.

Patent Agency Ranking