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公开(公告)号：DE102012102119A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：DE102012102119
申请日：2012-03-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ILLEK STEFAN , SABATHIL MATTHIAS , LINKOV ALEXANDER , BLEICHER THOMAS , MALM NORWIN VON , MOENCH WOLFGANG
IPC: F21V5/00 , F21V8/00 , F21V13/04 , G02B6/00 , G02F1/13357
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Flächenlichtquelle (1) einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips (2) mit einer Strahlungshauptseite (20) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Ein Streukörper (3) ist entlang einer Hauptabstrahlrichtung (x) der Halbleiterchips (3) der Strahlungshauptseite (20) nachgeordnet. Der Streukörper (3) ist zu einer Streuung der Primärstrahlung (P) eingerichtet. Eine Hauptemissionsrichtung (y) des Streukörpers (3) ist schräg zur Hauptabstrahlrichtung (x) des Halbleiterchips (2) orientiert.
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公开(公告)号：DE102012101409A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：DE102012101409
申请日：2012-02-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RODE PATRICK , HOEPPEL LUTZ , MALM NORWIN VON , ILLEK STEFAN , KIESLICH ALBRECHT , HERRMANN SIEGFRIED
IPC: H01L33/20 , H01L25/075 , H01L31/12 , H01L31/18 , H01S5/34
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, wobei ein Schichtverbund (10) mit einer Hauptebene (3), die den Schichtverbund (10) in einer vertikalen Richtung begrenzt, und mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung und/oder Detektion von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) bereitgestellt wird, wobei in dem Schichtverbund (10) eine Mehrzahl von Ausnehmungen (31) ausgebildet ist, die sich von der Hauptebene (3) in Richtung des aktiven Bereichs (20) erstrecken. Auf der Hauptebene (3) wird eine Planarisierungsschicht ausgebildet, sodass die Ausnehmungen zumindest teilweise mit Material der Planarisierungsschicht (6) befüllt werden. Material der Planarisierungsschicht (6) wird zumindest bereichsweise zum Einebenen der Planarisierungsschicht entfernt. Die Halbleiterchips (1) werden fertig gestellt, wobei für den Halbleiterchip (1) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest ein Halbleiterkörper (200) hervorgeht. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.
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公开(公告)号：DE102008054217A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：DE102008054217
申请日：2008-10-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ILLEK STEFAN , STRAUS UWE
IPC: H01L33/00
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公开(公告)号：DE10307280B4
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：DE10307280
申请日：2003-02-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ILLEK STEFAN , PLOESL ANDREAS
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公开(公告)号：DE10059532A1
公开(公告)日：2002-06-06
申请号：DE10059532
申请日：2000-11-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PLOESL ANDREAS , STREUBEL KLAUS , WEGLEITER WALTER , WIRTH RALPH , ILLEK STEFAN
Abstract: A recess (8) made in an active layer (2) from a fastening side (11) breaks up an active zone (3). A number of recesses form elevations (4) on a connection layer (5) for the active layer. The connection layer has a contact point (7) formed by a metallized layer. Rear side elevations formed by the recesses are covered with a reflective layer made up of a dielectric insulating layer (9) and a metallized layer (10) applied to it.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE10038671A1
公开(公告)日：2002-02-28
申请号：DE10038671
申请日：2000-08-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PLOESL ANDREAS , STREUBEL KLAUS , WEGLEITER WALTER , WIRTH RALPH , ILLEK STEFAN
Abstract: An active layer (2) having a photo-emitting zone (3) has a carrier layer (1) formed on its bonding side. Recesses (8) formed in the active layer, have cross-sectional area which decreases with increasing depth of the recesses into the active layer, from the bonding side.
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公开(公告)号：DE112020000567A5
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：DE112020000567
申请日：2020-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUMHEINRICH THORSTEN , BEHRINGER MARTIN , BIEBERSDORF ANDREAS , BOSS RUTH , BRANDL MICHAEL , BRICK PETER , DROLET JEAN-JAQUES , HALBRITTER HUBERT , KREINER LAURA , LANG ERWIN , LEBER ANDREAS , MEYER TOBIAS , PFEUFFER ALEXANDER , PHILIPPENS MARC , RICHTER JENS , SCHWARZ THOMAS , TA PAUL , VARGHESE TANSEN , WANG XUE , WITTMANN SEBASTIAN , STOLZ JULIA , DIEKMANN KARSTEN , ENGL KARL , HERRMANN SIEGFRIED , HAHN BERTHOLD , ILLEK STEFAN , JENTZSCH BRUNO , PERZLMAIER KORBINIAN , PIETZONKA INES , RAUSCH ANDREAS , REGAU KILIAN , RUEGHEIMER TILMAN , SCHWALENBERG SIMON , SOELL CHRISTOPHER , STAUSS PETER , SUNDGREN PETRUS , VU HOA , WIESMANN CHRISTOPHER , BOGNER GEORG , HÖRNER PATRICK , KLEMP CHRISTOPH , MÜLLER JENS , NEVELING KERSTIN , PARK JONG , RAFAEL CHRISTINE , SINGER FRANK , CHAND KANISHK , FEIX FELIX , MÜLLER CHRISTIAN , RUMMEL EVA-MARIA , HEITZER NICOLE , ASSMANN MARIE , BERGER CHRISTIAN , KANEVCE ANA
IPC: H01L33/62 , G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/60
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公开(公告)号：DE102012002605B9
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：DE102012002605
申请日：2012-02-13
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ILLEK STEFAN , WEGLEITER WALTER , WEIDNER KARL , STEGMEIER STEFAN
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit einer Trägeroberseite (20), – Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf der Trägeroberseite (20), wobei die Halbleiterchips (3) voneinander beabstandet sind, – Erstellen eines Formkörpers (4), der die Halbleiterchips (3) in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, wobei mindestens eine Hauptseite (30) der Halbleiterchips (3) frei bleibt von einem Material des Formkörpers (4), – Entfernen des Zwischenträgers (2), und – Aufbringen eines Wärmespreizers (6) an dem Zwischenträger (2) abgewandten Unterseiten (35, 45) der Halbleiterchips (3) und des Formkörpers (4) nach dem Erstellen des Formkörpers (4) und nach dem Entfernen des Zwischenträgers (2), wobei – eine Dicke des Wärmespreizers (6) zwischen einschließlich 10 μm und 250 μm beträgt, und – der Wärmespreizer (6) elektrisch leitfähig ist und zu mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen (65) des Halbleiterbauteils (1) gefertigt wird, wobei der Formkörper (4) zwei elektrische Durchführungen (5a, 5b) aufweist, über welche eine elektrische Verbindung von einer Körperoberseite zu einer Unterseite des Formkörpers (4) hergestellt wird, und durch die zwei Durchführungen (5a, 5b) eine elektrische Verbindung zwischen Kontaktstellen (36) der Halbleiterchips und dem Wärmespreizer (6) hergestellt wird.
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公开(公告)号：DE102015102458A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：DE102015102458
申请日：2015-02-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÖPPEL LUTZ , PFEUFFER ALEXANDER F , SCHOLZ DOMINIK , OTTO ISABEL , MALM NORWIN VON , ILLEK STEFAN
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , H01L29/06 , H01L33/00
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben. Ein Verbund (1), der einen Träger (4) und eine Halbleiterschichtenfolge (2, 3) aufweist wird bereitgestellt. Trenngräben (17) werden in der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) entlang eines Vereinzelungsmusters (16) ausgebildet. Eine die Halbleiterschichtenfolge (2, 3) zu den Trenngräben (17) hin begrenzende Füllschicht (11) wird an einer dem Träger (4) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) aufgebracht. Ferner wird eine an die Füllschicht (11) grenzende Metallschicht (10) in den Trenngräben (17) aufgebracht. Durch Entfernen der an die Füllschicht (11) grenzenden Metallschicht (10) in den Trenngräben (17) werden die Halbleiterchips (20) vereinzelt. Die vereinzelten Halbleiterchips (20) weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) und der Füllschicht (11) auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.
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公开(公告)号：DE102013104840A8
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：DE102013104840
申请日：2013-05-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHWARZ THOMAS , SINGER FRANK , LINKOV ALEXANDER , ILLEK STEFAN , MÖNCH WOLFGANG
IPC: H01L33/60 , H01L25/075 , H01L33/54
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